光学塑料棱镜反射膜的镀制

由于光学塑料在耐热性、耐吸湿性和表面强度等方面的特性比光学玻璃差,所以在光学塑料棱镜表面上镀制金属反射膜存在着金属膜层和塑料棱镜表而附着性能差的问题,镀膜后的塑料棱镜不易达到使用的技术要求.本文通过对镀膜材料和光学塑料基体的特性分析,提出了一种实用的介质加金属三层反射膜系.基于这种膜系采用了等离子辅助镀膜技术和石英晶片监控膜厚的方法,并且针对塑料棱镜蒸镀的特殊性,严格控制蒸镀条件中的有关参数,形成了一套稳定的蒸镀工艺.实验结果表明,光学塑料棱镜镀制金属反射膜可以解决膜层性能差的问题,满足光学产品的技术要求,实现批量生产.     

多层介质高反射膜的散射特性研究

为了研究多层介质高反射薄膜的散射特性减小光学薄膜的散射损耗,以多层光学薄膜矢量光散射理论为基础,利用光学薄膜的总散射损耗与光学薄膜双向反射分布函数的关系,研究了多层介质高反射薄膜分别在膜层界面粗糙度为完全相关和完全非相关模型下入射角和偏振状态对总散射损耗的影响,以及入射波长对总散射损耗的影响.理论研究结果表明,随着入射角的变化p偏振入射光引起的p偏振的总散射损耗强烈依赖于膜层界面粗糙度的相关特性,尤其是在布儒斯特角附近更为明显;此外,通过对介质高反射膜在两种不同模型下的总散射损耗随入射波长的变化与其反射率谱的比较发现,完全相关模型下的总散射损耗与反射率谱的变化趋势一致,完全非相关模型则恰好反之.     

基于偏振双反射膜的5MHz频差He-Ne双频激光器

提出了一种利用特殊多层反射膜—应力双反射膜制作的偏振双反射膜He Ne双频激光器 ,这种膜对不同偏振光在垂直入射时反射系数相位跃变不同。利用横向Zeeman效应减小模式耦合 ,使激光器能够输出 5MHz频差的正交线偏振光。进行了横向磁场的方向及激光器的偏振特性的实验研究。采用热补偿法稳频后 ,与中国计量科学研究院的碘稳频激光器 (波长扩展不确定度为 2 5× 10 - 1 1 )进行了拍频比对 ,比对结果表明 :激光器的频率稳定度为 1 4× 10 - 1 0 (10s采样 ) ,平均真空波长扩展不确定度为 3× 10 - 8(K =3)。这种双频激光器结构简单 ,光束特性好 ,频差合适 ,适于制作高测速外差干涉仪。     

一种新的膜厚测试技术

在“Y”型光纤一个端面上垂直放置涂有透明薄膜的基片 ,入射光在光纤—薄膜层—空气的界面处两次反射 ,由于两束反射光之间存在光程差 ,所以反射光发生干涉。不需要测量干涉条纹 ,仅通过对反射光谱的分析计算 ,可以测出薄膜的厚度以及折射率的数值。在单晶硅基片上做非晶的PSiO2 膜的甩膜实验中使用该方法测试PSiO2 膜的厚度 ,实验证明 ,该方法测量精度高、速度快 ,对薄膜无破坏作用。用卤素白光和红光的准单色光( 60 0nm～ 860nm)作为光源 ,膜厚范围为 0 5到几十微米 ,测量误差小于 4 0nm。进行了实验验证 ,给出了对噪声的处理方法     

宽光谱监控法镀制高精度增透膜的研究

本文介绍了使用宽光谱监控系统镀制增透膜的基本原理和技术特点.给出了针对不同的膜层特性计算评价函数的方法,分别为能量法和特征点法,能量法适合膜层的光学特性对每一个波长点的权重要求都是一样的,特征点法适合于只对膜层光学特性的某几个特定波长的要求较高,并根据膜料光学参数的特性,分别设置权重因子,其它波长忽略不计.用工艺曲线代替理论设计曲线作为目标曲线,解决实际镀制的光谱特性与理论值存在偏差的问题,使评价函数的极小值趋近于零,达到最佳膜厚.这种简单而准确的方法对于提高宽带增透膜镀制精度和成品率有显著的效果,具有实际的应用价值.     

双Wollaston棱镜的光程差及其色散

深入研究了的光程差与棱镜楔角以及空间变量-入射角三者的关系,并进行了计算机模拟.发现了对方解石构成的双Wollaston棱镜,光程差有较大的变化范围,光程差和入射角的关系有较好的线性的条件是:棱镜楔角在22°附近,入射角在-50°到10°范围内变化.然后对光程差的色散特性进行了分析和计算机模拟,结果表明,双Wollaston棱镜的光程差明显依赖于光波长,根据拟合结果它们的关系可以用三阶多项式来表述.本结果为偏振型空间调制干涉光谱仪的设计和应用提供了理论依据.     

平面弧靶结构对锆膜层性能的影响

通过对靶座结构的改变,使得靶面不再存在其他材质,由此提高了电弧离子镀膜膜层的纯度.考核了靶结构调整前后所镀制锫膜层的耐酸蚀性能,通过XPS手段测试了两种状态下膜层的成份及其含量,解释了两种膜层耐酸蚀性能差异的原因.     

热反射玻璃镀膜工艺的研究

本文采用直流磁控溅射方法，对氧化不锈钢膜、金属Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜和ＴｉＯｘＮｙ膜在不同工艺和不同组合条件下形成的两层膜系热反射镀膜玻璃的光学性能及有关组份进行了测试分析，阐明了该种方法及该种系列工艺条件下镀制热反射玻璃镀膜的性质，提出了此工艺条件镀制两层膜系热反射玻璃镀膜的最佳组合工艺。对有关工业生产中实施工艺技术所存在的问题进行了探讨     

光学相关器系统的固化设计与性能分析

小型固化光学相关器,以偏振分光棱镜和反射型傅里叶透镜作为基本部件,并采用透明固体介质填充光学系统的空隙。该系统通过各元件端面相连,简化了校准难度;使用反射型透镜,具有色像差和轴外像差小的优势。模拟分析表明,这种固化结构具有良好的系统性能,并满足识别的需要。     

车削铝镜红外高反射膜镀制

在红外光谱系统中使用的车削铝镜上镀制高反射膜时,由于铝镜镜面较柔软,用常规擦拭 清洗的方法易划伤镜面,可以在镀制前利用有机物熏蒸的方法清洗车削铝镜,既溶解清洗了表面附着的油污和灰尘,又保护了铝镜镜面。用该方法清洗后镀制的金膜反射率在近红外波段达到98%以上,膜层牢固,使用效果较好。     

随机相位抖动测量

无线电信号的重要特性之一是相位,为了澄清信号的相位特性的概念,提出了在工程系统里信号的相位特性,尤其是随机相位抖动的概念和表征。本文论述有随机相位抖动的测量方法,着重介绍一种为连续波雷达测试相位特性的相位抖动测试仪。详细分析该测试仪的设计细节和有关电路,该测试仪,经使用和系统自检,对5MHz～80MHz 信号测试,系统的相位漂移小于0.2°/小时,随机相位误差优于0.2°/10ms 和0.2°/1s。     

锰掺杂对PZN－PFN－PFW系陶瓷相组成的影响

本文研究了锰掺杂对ＰＺＮ－ＰＦＮ－ＰＦＷ系陶瓷相组成的影响，用ＸＲＤ和ＳＥＭ法探讨了ＰＺＮ－ＰＦＮ－ＰＦＷ系中ＰＺＮ含量与焦录石相形成间的关系。结果表明，在该三元系中添加０．１５ｗｔ％ＭｎＣＯ＿３就能获得完全无焦录石的钙钛矿型结构的陶瓷。     

聚醚砜四元制膜液体系的相图计算

以Ｆｌｏｒｙ－Ｈｕｇｇｉｎｓ理论为基础，对ＰＥＳ－ＰＧ－ＮＭＰ＿Ｈ２Ｏ＿）聚醚砜丙二醇－Ｎ－甲基－２－哟咯烷酮水）四元制液体系的相图进行了计算，利用三元相图考察Ｈ２Ｏ和ＰＧ对液－液相分离的影响，在三元的理论的基础上提出了低分子量添加剂的卤元改性Ｆｌｏｒｙ－Ｈｕｇｇｉｎｓ理论，并提出了一种获得四元相图的方法，利用四元相图能较争地描述四元体系，利用改性的四元理论，能了地理解该种体系的液－液相分离行为。     

高精度数字检相电路设计

文章提出一种高精度数字检相电路 ,适合应用于相位法激光测距等要求精密测相的场合 .该电路采用脉冲填充法和单片机相结合 ,采取具体措施解决了零点漂移、幅值变化、频率变化等原因引起的测相误差 ,获得了高的相位测量精度和稳定性 ,文中给出了测试方法和测试结果     

Devitrification of rapidly quenched Al-Cu-Ti amorphous alloys

X-ray diffraction, transmission electron microscopy and differential scanning calorimetry were carried out to study the transformation from amorphous to icosahedral/crystalline phases in the rapidly quenched Al₅₀Cu₄₅Ti₅ and Al₄₅Cu₄₅Ti₁₀ alloys. In the present investigation, we have studied the formation and stability of amorphous phase in Al₅₀Cu₄₅Ti₅and Al₄₅Cu₄₅Ti₁₀ rapidly quenched alloys. The DSC curve shows a broad complex type of exothermic overlapping peaks (288- 550†C) for Al₅₀Cu₄₅Ti₅ and a well defined peak around 373†C for Al₄₅Cu₄₅Ti₁₀ alloy. In the case of Al₅₀Cu₄₅Ti₅ alloy amorphous to icosahedral phase transformation has been observed after annealing at 280†C for 73 h. Large dendritic growth of icosahedral phase along with α-Al phase has been found. Annealing of Al₅₀Cu₄₅Ti₅ alloy at 400†C for 8 h results in formation of Al₃Ti type phase. Al₄₅Cu₄₅Ti₁₀ amorphous alloy is more stable in comparison to Al₅₀Cu₄₅Ti₅ alloy and after annealing at 400†C for 8 h it also transforms to Al₃Ti type phase. However, this alloy does not show amorphous to icosahedral phase transformation.     

嵌入式相电检测及相序调整系统设计

针对许多行业有三相电相序与安全生产的要求,设计了基于32位ARM9处理器芯片S3C2410X的嵌入式系统,并移植了Linux操作系统来提高系统多任务与实时响应能力.介绍了该系统各硬件模块设计和软件设计流程,硬件模块由相电检测、相序调整、人机交互及TC35i报警等模块构成.该系统可对"三相四线制"供电端口进行相电检测与相序调整,在出现异常时执行报警操作并短信或者电话通知到负责人员,可应用于压缩机、风机和三相电机等装置的供电,特别适用于大型的移动供配电设备.     

外差干涉定位系统中的锁相跟踪方法

以外差干涉定位系统为研究对象,提出一种基于锁相跟踪的定位方法,简化了传统定位系统结构;就整个定位系统的工作过程及原理进行了说明,证明了锁相跟踪方法的可行性;讨论了系统工作过程中的核心功能环节的实现方法,分别对高频信号的发生、移相脉冲抑制以及鉴相过程进行详细说明。本文就鉴相电路功能和干涉锁相跟踪定位系统的输出进行了测试实验,实验结果证明高频鉴相电路输出准确度达到0.07o,锁相跟踪系统定位输出的合成不确定度为10.1 nm。     

新型相变储能材料研究进展

介绍了相变材料的种类、特点以及储能机理,重点论述了新型相变材料的研究发展,对于复合相变材料和胶囊化相变材料做了较为详细的说明,概括了相变材料的主要研究方向.     

加强高校专项支出项目管理

针对高校目前专项支出项目管理的现状,提出了加强高校专项支出项目管理必须从"事前准备阶段、事中实施阶段、事后审计阶段"进行监督管理.     

Microwave ferrites for phase shifters

The electronically steerable phased array radars (PARs) are finding extensive use in military, communication and civilian applications. A PAR system typically comprises a regular arrangement of a large number of phase controlled radiating elements. Ferrite-based phase shifters in various designs are employed in these systems operating at frequencies above 5 GHz due to their superior power rating and insertion loss characteristics. Under DRDO’s integrated missile programme considerable success has been achieved in the country on the development of ferrite materials, phase shifters and array system. The work done at SSPL on the development of ferrite materials for both X- and C-band phase shifters is described. The effect of various substituents in the chemical composition of the lithium-titanium ferrites and of the process parameters to evolve the grades with required magnetic, electrical and microstructural properties are discussed. The investigations carried out to enhance optimally the r.f. power handling capability of the material for meeting the desired specifications of the C-band phase shifter are also given.