ZnS：V~(3+)光谱和顺磁g因子的统一解释

掺V3 离子的ZnS晶体局部结构与光谱和顺磁共振(EPR)参量有关联.根据Sugano-Tanabe方案建立了d2/8电子强场45×45阶完全能量矩阵,由自旋哈密顿理论推导了EPR参量的计算公式,通过点荷-偶极子模型得到了离子簇局部Td对称结构与晶场参量的关系,基于半自洽场d轨道和完全对角化方法,从局部结构统一解释了ZnS:V3 的光谱和顺磁g因子,计算结果与实验符合.计算结果表明,ZnS:V3 的光谱和EPR谱可以在晶体场理论框架内得到理解.     

稀磁半导体ZnX∶Co2+光磁性质的双共价因子和双ξ模型

考虑到d电子t2g轨道与eg轨道局域性的差异,用双共价因子研究了掺Co2+的共价晶体ZnX(X=S,Se)的光学吸收谱.在研究顺磁g因子时,除考虑中心离子的旋-轨耦合贡献外,还计及配体的旋-轨耦合贡献(双ξ模型).研究表明,计算结果与实验值吻合得很好,对于一些共价性较强的化合物晶体,该方法更加有效.     

稀磁半导体ZnX∶Co2+光磁性质的双共价因子和双ξ模型

考虑到d电子t2g轨道与eg轨道局域性的差异,用双共价因子研究了掺Co2+的共价晶体ZnX(X=S,Se)的光学吸收谱.在研究顺磁g因子时,除考虑中心离子的旋-轨耦合贡献外,还计及配体的旋-轨耦合贡献(双ξ模型).研究表明,计算结果与实验值吻合得很好,对于一些共价性较强的化合物晶体,该方法更加有效.     

Cr:Mg2SiO4晶体中络离子(CrO4)4-的自旋极化MS-Xα计算

本文采用自旋极化MS-Xα方法计算了Cr:Mg2SiO4晶体中络离子(CrO4)4-的电子结构,给出了Td群和C(3v)群下的单电子能量本征值、本征函数和自旋极化分裂值。用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。采用Case-Karplus电荷分配法计算得到自旋-轨道耦合常数ζ(?)。讨论了配位体的距离对单电子轨道和基态组态的影响,也讨论了对称性变化的影响。     

绿宝石晶体电子精细光谱及其基态^4A2的EPR参量研究

利用完全能量矩阵,结合自旋Ｈａｍｉｌｔｏｎｉａｎ理论,研究了Ｃｒ３＋：Ｂｅ３Ａｌ２（ＳｉＯ３）６（绿宝石）晶体的吸收光谱,Ｗ论与实验十分吻合;在此基础上研究了基态４Ａ２的ＥＰＲ（电子顺磁共振）参量（Ｄ及ｇ,ｇ）与２Ｅ态双重话线结构的微观起源,成功地解释了长期未能解决的基态零场分裂（ＺＦＳ）,并证实了２Ｅ态大约６３ｃｍ－１的能级分裂．指认４１３２０ｃｍ－１处的光谱为４Ａ２→２Ａ２跃迁的自施禁戒光谱,而并非自旋允许光谱．     

LEC GaAs中As_(Ga)反位缺陷的鉴定

<正> 美国Rockwell国际微电子研究与发展中心利用电子顺磁共振光谱(EPR)法对非掺杂LECGaAs晶体中的Ga位As(As_(Ga))反位缺陷进行了鉴定。EPR的信号强度与GaAs晶体中补偿的C受主浓度有关。这些结果表明,AS_(Ga)是造成非掺杂半绝缘材料补偿的原因,因此,它能用     

Cr∶Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)~(4-)的自旋极化MS-X_α计算

本文采用自旋极化MS-X_α方法计算了Cr:Mg_2SiO_4晶体中络离子(CrO_4)~(4-)的电子结构,给出了T_d群和C_(3v)群下的单电子能量本征值、本征函数和自旋极化分裂值。用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。采用Case-Karplus电荷分配法计算得到自旋-轨道耦合常数ζ_(?)。讨论了配位体的距离对单电子轨道和基态组态的影响,也讨论了对称性变化的影响。     

稀土光谱的晶格场积分参数

为了解释不同晶体中稀土离子的光谱,对晶格场积分参数进行了推导。确定了此方法的主要公式和不同晶场状态下稀土离子Cu,Pr,Nd,Eu,Tb,Er,Tm和Yb的积分参数表达式。计算了44余种掺Nd,Er的激光晶体的积分参数A_2,A_4,A_6和自旋-轨道相互作用参数ξ,并用积分参数A_2,A_4解释了掺Eu的NaBaZn硅酸盐玻璃中Eu~(3 )发光中心的对称性。     

发可见光多孔硅的电子顺磁共振研究

本文研究了发可见光的多孔硅薄膜及其粉末的电子顺磁共振(EPR)信号。采用不同电阻率和不同晶向的硅单晶衬底,经过不同条件的阳极氧化制成多孔硅薄膜,其光致发光峰在可见光范围,其EPR信号(标记为PK6)来自三角轴对称的自旋中心,对称轴方向是衬底晶格的〈111〉晶向。该结果说明多孔硅中保留着单晶硅成份。分析PK6的对称性及其g张量主值发现它很可能是硅悬键。多孔硅粉末的EPR信号表现为PK6信号的无规取向平均谱。     

掺铒钒酸钇（Er：YVO4）的光学性能

测定了晶体的透过率谱,计算了Er^3 离子在YVO4晶体中的吸收截面。由积分吸收截面的公式拟合出唯象强度参量Ωt,并应用Judd-Ofelt理论计算出振子强度fJ1J^1、辐射跃迁几率AJ,J^1,无辐射跃迁几率WJ,J－1和荧光辐射寿命TJ,并根据这些光学参量,比较了掺铒钒酸钇（YVO4）晶体与掺铒YAG的激光输出和阈值等光学性能,讨论了钒酸钇（YVO4）晶体用作激光晶体的优点。     

Ni（pz）_4Cl_2型化合物的光磁性质理论研究

本文利用ｄ８（Ｄ＊４ｈ）全组态混合统一晶场理论对Ｎｉ（ｐｚ）４Ｃｌ２型化合物的吸收光谱、基态ＺＦＳ、ＥＰＲ参量及顺磁磁化率进行了统一的计算和理论分析．理论结果与实验观测值符合甚好，从而对Ｎｉ（ｐｚ）４Ｃｌ２的光、磁性质作出了完整的、合理的理论解释。     

掺铜氯化镉晶体的电子顺磁共振谱及局域晶格的理论研究

采用晶体场理论和3d⁹电子组态在平面四角晶场中的g因子和超精细结构常数A的三阶微扰计算公式以及CdCl₂: Cu²⁺晶体的局域结构与EPR谱之间的定量关系,合理解释了CdCl₂: Cu²⁺晶体的EPR谱及局域晶体结构,所得EPR参量与实验观测相符合。研究发现芯极化常数κ≈ 0.2827。平面四角键长的变化为 0.013nm. 因此,CdCl₂晶体中掺杂Cu²⁺后,由于静态Jahn-Teller效应引起的晶格驰豫,导致晶格在平面四角内发生了略微伸长的畸变。     

Ni(pz)_4Br_2型络合物的光、热、磁性质的理论研究

本文利用d8（D*（4h））对称性与d8（D*（2h））对称性线性叠加d8［（1－C2）D*（4h）＋C2D*（2h）］作为Ni2+离子的环境品场，借助于强场能量矩阵和全组态混合EPR理论对Ni（pz）_4Br_2型络合物的吸收光谱、肖特基（Schottky）热容量和顺碰碰化车进行了统一计算和理论分析．理论结果与实验观测值符合甚好．从而对Ni（pz）_4Br_2的光、热、磁性质作出了完整、合理的理论解释．     

Structural, morphological and magnetic properties of Zn1-xCoxO prepared by sol-gel and hydrothermal method combined

Cobalt-doped ZnO powder samples were prepared by sol-gel and hydrothermal method combined. The prepared powder samples were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), electron paramagnetic resonance (EPR) and vibrating sample magnetometry (VSM). XRD patterns show that all the samples have a single pure phase with wurtzite structure suggesting that Co²⁺ occupied Zn²⁺ sites in the ZnO crystal lattice. SEM images show that crystal grains of cobalt-doped ZnO are hexagonal cone or spheroidal. EPR pattern shows that all of the samples possess oxygen vacancy. Measurement of magnetism indicates that all the samples exhibit room temperature ferromagnetism (RTFM) embedded in a dominant diamagnetic or paramagnetic signal. The dominant signal turns from diamagnetic to paramagnetic with the increase of Co concentration. The magnetic behavior can attribute to defects and Co doping.     

红宝石激光晶体零场分裂及其光谱精细结构研究

推导了ｄ＾３（Ｃ＾＊３ｖ）组态离子的中间场能量矩阵，建立了红宝石（Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３）晶体基态＾４Ａ２零场分裂（ＺＦＳ）参量Ｄ及＾２Ｅ态分裂△Ｅ（＾２Ｅ）与晶体结构之间的定量关系；假设晶格畸变的基础上，统一地计算了Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３晶体的ＺＦＳ参量Ｄ、Ｚｅｅｍａｎｇ因子、精细光谱及＾２Ｅ态的分裂△Ｅ（＾２Ｅ），计算结果与实验观测十分吻合，定量的研究结果表明：当Ｃｒ＾３＋离子掺入Ａｌ２Ｏ３晶     

Ni2CdCl6·12H2O中Ni2+离子的光谱及其局域结构研究

采用晶场参量的叠加模型,建立了结构参数与光谱之间的定量关系;利用完全对角化方法,由光谱确定Ni2CdCl6·12H2O晶体中[Ni(H2O)6]2 络离子在温度为14 K时的局域结构参数,较好地解释了Ni2CdCl6·12H2O晶体中Ni2 离子的局域结构和光学吸收谱;研究结果发现,Ni2CdCl6·12H2O晶体中络离子[Ni(H2O)6]2 的键长为R≈0.2009 nm,键角为θ≈55.1°;所得光谱的理论结果与实验发现很好符合.