光学和电子元件同时集成在硅上

罗切斯特大学的研究者已制出全硅的发光二极管。这些管子把驱动电路集成在同一硅片上。以前，硅仅能发弱光，所以发光二极管多数是用GaAs、GaN、Znse、SiC等材料。但这些材料需要外部驱动电子装置，要求的制作技术超过已建硅半导体厂的范围。硅发光二极管的优越性是用与微电子制作技术相同的技术制作。用新的多孔硅丝做成数字显示器两个关键成就是制成了稳定的材料和在同一晶片上集成了发光二极管及其微电路驱动器。“从来没有这样做过”，PhilippeFauchet教授说，“从实验室的样品到工业界感兴趣的技术需经过这样一个过程。”按Fauchct…     

监测麻醉剂的微气体传感器

制作了硅衬底SnO_2薄膜气体传感器用于监测麻醉剂,如forane,安氟醚,氟烷和乙醚.这些都是医院手术室常用的.SnO_2敏感膜通过旋涂溶于二甲笨中的Sn(Ⅱ)—二乙酸乙酯然后热处理来沉积在硅上.硅膜上有一个扩散电阻加热器和一个用作温度敏感和控制的P—     

掺磷或硼的无定形氢化硅薄膜结构的电子衍射法研究

掺磷或硼的氢化硅结构上的变化可以用能量筛选过的电子衍射方法来研究,而且衰减了的原子密度函数也可以计算出来。人们发现无定形硅的结构网络也依赖于磷和硼的掺杂程度。无定形硅膜可用高频感应辉光放电法制成。参加反应的气体SiH_4、H_2和B_2H_6或PH_3在由电容式耦合的高频感应炉中发生置换反应而在食盐的新鲜解理面上沉积出薄膜。这些薄膜然后漂浮在水面上,而且捞到金属网上,用电子显微镜进行了观察和分析。硅与硼原子含量的比例以及硅对氧气的比例率均用电子能量损失谱仪进行了测定。当无定形硅的衍射     

用硅酸铕薄膜制作电发光器件

电发光器件对平面显示器和光电子集成电路都有用,为制作这种器件,对Ⅲ－Ⅴ族元素半导体材料和有机材料进行了广泛研究。然而,用这些材料制作的器件往往缺乏长期稳定性或缺少大面积的均匀发射。由于这些因素的限制以及用硅制作大规模集成电路的制造工艺的广泛应用,用硅制作电发光器件应是有益的。日本科技公司和筑波大学的研究人员已用溅射工艺在硅衬底上淀积了２μｍ厚的硅酸铕（ＥｕＳｉＯ）层,然后使此膜层在１０００°Ｃ的真空中退火１５分钟。所做成的器件在很大面积上呈现均匀光强的白光电发光发射,室温下的外量子效率约０．１％…     

新的硅外延生长法—两段外延生长技术

一、序言近年来,随着集成电路的发展和固体器件的高频化,要求硅外延片的生长层厚度要很薄,且在与基片的界面处杂质分布很徒。这样的片子,在高速变容二极管、双极集成电路、高频晶体管或以PIN二极管、碰撞雪崩渡越时间二极管等为代表的微波二极管的制作中更是不可缺少。这些器件一般是在具有高浓度杂质的硅基片上或在掺杂了高浓度杂质的区域上生长具有低浓度杂质的硅外延层上制作的。一般,硅外延生长是利用调节掺杂气体的浓度或流量来控制杂质浓度。可是,在具有高浓度杂质的基片上生长具有低     

反应离子刻蚀硅槽工艺研究

在CMOS多晶硅刻蚀工艺的基础上进行工艺开发,采用氯气和溴化氢气体进行硅槽刻蚀。通过对功率、压力、气体流量等工艺参数拉偏,用扫描电子显微镜观察硅槽侧壁形貌,分析各参数在反应离子刻蚀中所起到的作用,得到对硅槽形貌影响较大的因素,最终得到一种能够与CMOS工艺兼容的硅槽刻蚀方法。该方法能够制作出深度6μm、深宽比4∶1、侧壁光滑的硅槽,可以用于光电继电器、硅电容等新型器件的研发。     

硅光栅技术

制作硅光栅的微细加工工艺可分为体硅工艺和面硅工艺，这些微细加工方法在技术上与微电子及微机械工艺可以兼容，这使得制作集成式微型光谱仪成为可能。硅是一种良好的近红外材料，可以用来制作天文红外光谱仪器的浸没光栅。 本文重点介绍了硅光栅的制作工艺及其在不同领域中的应用。     

固体传感器与硅材料的微细加工

具有良好机械和物理性能的硅(单晶)材料,正在逐渐成为大有发展前途的固体传感器材料。本文将综述硅材料的一些微细加工技术以及用这些方法制成的各类传感器的构造及其传感原理,此外还对硅微细加工的一个成功例子—集成型气体色谱分析系统作了简单介绍。     

硅槽刻蚀技术中的源气体选择

源气体及组分的选择是硅槽刻蚀技术的关键因素。本文介绍了刻蚀过程中源气体及组分对硅的作用方式，从刻蚀速率、侧壁钝化、损伤、刻蚀均匀性等方面分析比较了近年来所出现的几种硅糟刻蚀用源气体及组分。     

半导体器件生产中微量氧的比色分析法

一、引言 半导体工艺中必然要使用各种气体作为保护气体或者作为反应气体。例如,制备硅、锗时用氢气作四氯化硅、四氯化锗、二氧化锗等的还原气体。硅器件扩散时用氮气作杂质源的运载及保护气体。而合金法形成PN结时用氮气作保护气体。反应溅射时用氮气、氧气、氮气加氧气或氩气加氧气作反应溅射的反应气体,低温气相钝化时氮气或氧气作运载气体等等。管芯成型后还要在一定保护气氛(如氮气或干燥空气)中封入管壳内。     

变压器事故后的色谱分析

变压器油中溶解气体的色谱分析技术是当前监督变压器内部是否存在潜伏性故障、故障的严重程度和故障趋势的一种有效的状态监测手段.阐述变压器事故后两种检测方法,油中色谱分析法和电气试验法,提出把两种方法相结合可提高事故处理效率的想法,并通过对发生事故的两台110 kV变压器实例的检测,介绍诊断其内部是否存在故障及故障的性质和严重程度的步骤.重点分析如何利用溶解气体色谱分析法分析该变压器油中溶解气体的成份、特征气体含量、变化趋势及三比值的方法,进行故障识别、故障类型和状况诊断、故障部位估算.     

由声表面波器件和LB膜构成的气体传感器

叙述了用声表面波器件和ＬＢ膜制作的几种气体传感器的设计原理和基本特性，它们具有高灵敏度和优良的选择性。这些传感器已成功地应用于ｐｐｂ级ＮＯ２气体的检测和在识别系统中识别有气味的气体。     

超快激光微构造硅的研究与应用

在特定的气体氛围下,用一定能量密度的超短脉冲激光连续照射单晶硅片表面,或者离子注入在硅中引入硫族元素等方法,可在硅表面得到具有奇特光电性质的微米量级尖锥结构,该微锥结构被称为黑硅。这一新材料有奇特的光电性质,如对0.25～17μm波长的光有强烈的吸收,具有良好的场致发射特性等,为硅提供许多新的功能。Mazur教授预言这种新材料相当于60年前的半导体,在探测器、传感器、显示技术及微电子等领域都有重要的潜在应用价值,尤其在高效太阳能电池领域具有其他材料无可比拟的优越性。本文介绍了超快激光微构造硅的形成机理,研究进展、光电特性以及应用前景。     

微机电系统技术：—硅基微加工

当前流行的硅基做加工技术主要有体微加工（bulkmieromachining）和表面做加工（sutheemic。achini。）两种。它们之间的主要区别为：前者将微机械的运动部件制作在硅衬底里,后者则将微机械运动部件制作在硅衬底表面上的薄膜里”健体微加工技术目前用体微加工技术制作的主要产品有：某些压力传感器、加速度传感器。微泵、微阀、微沟槽等微传感器、微机械和微机械零件等,这些产品的微结构的显著特点是它们都有可运动的悬臂梁或桥、可振动的膜或硅衬底里的沟槽。这些微结构的形成主要利用腐蚀技术和光刻技术相结合,有选择地从硅衬底上挖去…     

光纤掺氟化合物及其研究

用氟代硼掺杂到光纤中也可使纤维的折射率降低,並能改善纤维的性质。掺氟用化合物要求沸程在0°～100℃范围,适合此沸程的氟化合物很少。提出通过代入重卤素到碳硅硫的氟化物中的方法来获得适宜的掺杂用化合物,並对这些化合物在制备上进行了探讨。最后讨论了它们在掺杂过程中所发生的反应。     

氮氧化硅膜的淀积与组成

用SiH_2Cl_2、N_20和NH_3混合气体、借低压化学汽相淀积(LPCVD)工艺在820℃下生长了氮氧化硅膜。整个膜的组成可通过调节N_2O/NH_3气体流量比来加以改变。淀积膜的卢瑟福背散射(RBS)及俄歇分析指出,整个膜的组成是均匀的,与衬底性质无关。这些氮氧化物膜的厚度和组成很容易用椭圆对称法进行测量;而其氧/氮比可从折射率值中准确地导出。据推断,在原子尺度范围内,LPCVD氮氧化物是均匀的,也就是,硅原子受到氧原子和氮原子的随机包围。因此,这种氮氧化物不是想象中的氧化硅和氮化硅的两相物理混合物。就温度-偏压应力状态下平带电压的漂移而言,发现氮氧化物膜在金属-氮氧化物-氧化物-硅结构中的稳定性随着氧含量的增加而改善。     

高纯气体沾污的在线监视

长期以来,对工艺气体的纯度一直使用分析仪进行检测。最近,为了确保高密度微电路在制作中所用的超高纯气体的需要,对仪器制造厂家提出了制造能提供微量气体沾污进行连续、在线,实时监视的设备要求。传统的测量方法和气体气析技术正在得到改进,以适应工艺中的这些要求。     

离子注入半导体的激光退火

叙述了用高功率激光辐射退火的离子注入硅的物理和电学性能。重点放在用激光退火和用常规热退火可以得到的材料性能的对比上。讨论了这些技术在高效率太阳电池制作上的应用，以及这种新技术在其它材料领域的可能应用。     

等离子体腐蚀工艺实验

一、前言等离子体技术在半导体器件工艺中应用很广,它除了能作微细图形的腐蚀外,还可以进行抛光,清洗、镀膜等加工。我们用CF_4气体对硅和硅化合物进行了腐蚀实验,取得了一些结果。通常腐蚀工艺用的等离子体是在0.01——0.1托真空中,通入CF_4,CCl_4,SF_6等活性气体,在高频电场作用下活性气体辉光放电,形成非平衡低温等离子体。其特点是电离度低,气体温度低(1)。等离子体内的粒子之间的相互碰撞,激励分子的内部运动,如振动,转动,电子跃迁等,例如双原子的分子A_2和电子e的碰撞(2),对应于电子能量的大小,可以发生如下的反应     

大流量压阻式流量传感器的研制

根据流体力学差压原理 ,采用硅微机械加工手段设计制作了微挡板结构的压阻式流量传感器。测试结果表明 ,该传感器具有测量 0 .1～ 10L/min的气体流量的能力