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准一维半导体纳米材料的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
探索准一维纳米结构材料的维数和尺寸,对其光学、电学和力学等性质的影响有很大的研究价值。介绍了半导体纳米棒、纳米线、纳米带等典型准一维纳米材料的一些最新研究进展,并对准一维纳米材料的研究趋势作了展望。 相似文献
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ZnO纳米带的电子显微学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
自从1991年Iijima发现纳米炭管以来,一系列的一维纳米材料(包括纳米线、纳米带、纳米棒等)被相继用不同的方法制备出来。由于它们独特的结构特性和因此而具有的不同于传统二维、三维材料的新颖物理性质,这些一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值,从而受到人们的广 相似文献
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硒化锌是Ⅱ-Ⅵ族中重要的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为2.7 eV,是理想的蓝光探测器材料。准一维ZnSe纳米结构的合成有多种,如纳米带、纳米线、纳米棒等。由于纳米材料与薄膜材料相比具有表面积大、量子效应等独特的物理及化学特性,使得基于纳米材料的纳米器件在过去的几年内被广泛的制备与研究。目前准一维ZnSe纳米材料已经制备出多种纳米器件,文中将对ZnSe纳米结构的合成以及应用作介绍。 相似文献
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近来,一维纳米材料吸引了物理学、材料学和化学界的广泛关注,成为纳米材料研究的热点。纳米线是物质在纳米尺度上的一种特殊结构,其优异的光学、电学和力学性能,在纳米器件的应用领域极具发展前景。纳米线的制备技术及物性的测量是材料在纳米原型器件制作和应用的关键,不断探索低维纳米材料的制备新技术,合成出多种材料的纳米线具有重要意义。 相似文献
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纳米线、纳米管的制备、表征及其应用 总被引:10,自引:0,他引:10
在高度集成化浪潮的推动下,现代技术对纳米尺度功能器件的需求将越来越迫切。纳米线、纳米管等一维材料作为纳米器件中必不可少的功能组件,在纳米研究领域中的地位显得愈发重要。本文从一维纳米材料的研究范畴入手,介绍了纳米线、纳米管的制备方法,技术要点以及各种相关表征方法,并涉及了当前一维纳米材料的一些应用研究,为基于纳米线、纳米管功能器件的研制提供前期参考。 相似文献
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近年来,一维纳米材料如纳米管、纳米线、纳米棒等由于在纳米电子器件和光电子器件中的潜在应用前景而吸引了众多科研小组的兴趣。ZnO纳米材料作为一种宽带系半导体,因其可以在各种高科技产品中的应用如光催化剂、气敏元件、光电二极管、变电阻等已引起人们广泛的研究,到现在为止,许多方法用来制备一维ZnO纳米材料,如电弧法、化学气相沉积、模板法和电化学沉积等。本文用溶液法合成ZnO纳米棒,并对其进行电子显微学的观察与表征。 相似文献
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由于一维纳米材料在发光等领域的巨大的应用潜力,近年来对纳米材料的研究也成为热点。ZnO作为一种宽带隙半导体材料,其纳米结构的研究受到了广泛关注。本文对自组装ZnO孪晶纳米结构进行了系统的透射电镜(TEM)研究。图1a为ZnO纳米结构的低倍TEM像,表明该纳米结构由三个成份A,B,C组成。 相似文献
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本文总结了近年来我们在功能准一维纳米结构材料研究方面所获得的一些有意义的结果。借助于现代电子显微镜技术,不仅研究了硅、氮化稼、氧化锌等一维纳米材料的形貌和显微结构,还研究了其一维择优生长机理及小尺度效应。尤其是利用高能量分辨电子能量损失谱、高角环形暗场探头等先进技术,解决了一个传统X-光等结构分析手段所不能解决的难题,分析了一种SiOx/SiC复合纳米电缆的成份与结构。 相似文献
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近年来,一维纳米材料如纳米管、纳米棒、纳米带等由于其新奇的光,电等特性和潜在的应用前景,已引起人们极大的兴趣。本工作中,我们制备了Sm(OH)3纳米棒,并对其结构进行了表征。 相似文献
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1991年科学家首次发现了在石墨电极直流电弧放电中生成的直径在纳米量级的由纯碳原子构成的纳米碳管。其独特的由石墨面卷曲而成的中空圆柱形一维晶体结构不仅丰富了人们对碳物质的了解,而且其潜在的应用价值也将给纳米材料科学领域带极大的影响。 相似文献