Y掺杂BST薄膜介电性能研究

用改进溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si上制备了钇(Y)掺杂Ba_0.6Sr_0.4TiO_3 (BST)薄膜,研究了Y掺杂对BST薄膜表面结构和介电性能的影响.XPS结果表明,Y掺杂有利于薄膜钙钛矿结构的形成,但对氧空位没有明显的抑制作用.SEM和AFM结果表明,Y掺杂能缓解薄膜应力、减少薄膜裂纹、细化晶粒,进而改善薄膜的表面结构.在进行Y掺杂后,薄膜的介电性能得到明显提高,40 V外加电压下的介电调谐率大于40%及零偏压下介电损耗为0.0210,优化因子大于20.     

金属间化合物Ti5Si3制备技术的研究进展

介绍了金属间化合物Ti5Si3的制备技术及研究现状,并从改善其室温脆性和断裂韧度等方面简述了改善Ti5Si3性能的途径.     

Ti—6Al—4V合金激光表面合金化制备Ti5Si3／Ti耐磨复合材 …

利用预涂Ｓｉ粉对Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金进行激光表面合金化,制得以初和及共晶金属间化合物Ｔｉ５Ｓｉ３为增强相的快速凝固“原位”耐磨磨复合材料表面改性层,研究了激光表面合金化Ｔｉ５Ｓｉ３／β－Ｔｉ耐磨复合材料表面改性层的显微组织及其在干滑动磨损及二体磨料磨损条件下的耐磨性能。结果表明：利用Ｓｉ粉对Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金进行激光表面合金化处理后,合金层硬度及耐磨性大幅度提高。     

As-cast microstructures and solidification paths of the Nb–Si–Ti ternary alloys in Nb5Si3–Ti5Si3 region

Abstract The as-cast microstructures and solidification paths of the Nb-Si-Ti ternary alloys in the NbsSi3-TisSi3 region were investigated. Since there exist some isomor- phous compounds in the NbsSi3-TisSi3 region, such as aNbsSi3 with B3Cr5 prototype, 13NbsSi3 with Si3W5 pro- totype, 7NbsSi3 with MnsSi3 prototype, and TisSi3 with MnsSi3 prototype, the primary solidification areas of these compounds were not typically indentified in previous experiments. In the present paper, the microstructure observation, the phase identification, and the composition measurement were performed using scanning electron microscopy （SEM）, X-ray diffraction （XRD）, and electron probe microanalysis （EPMA）, respectively. No ternary compound is found. There exist three primary solidification areas, 13Nbs_x（Ti）xSi3, ~Nbs_x（Ti）xSi3, and Tis-x（Nb）xSi3 in the NbsSi3-TisSi3 region. Together with the literaturereported experimental data and optimization results, the liquidus projection of the whole Nb-Si-Ti ternary system is constructed, and totally ten primary solidification areas-- diamond-Si, Nb1-x（Ti）xSi2, Ti1-x（Nb）xSi2, Ti1-x（Nb）xSi, Ti5-x（Nb）xSi4, βNb5-x（Ti）xSi3,αNb5-x（Ti）xSi3, Ti5-x （Nb）xSi3, （Nb,Ti）3Si, and BCC--and nine transitional invariant reactions-L ＋ Nb1-x（Ti）xSi2 → Ti1-x（Nb）x Si2 ＋ Si, L ＋ Nb1-x（Ti）xSi2 → Ti1-x（Nb）xSi2 ＋ Ti5- （Nb）xSi4, L ＋ Ti5-x（Nb）xSi4 → Ti1-x（Nb）xSi2 ＋ Ti1-x （Nb）xSi, L ＋ 13Nb5-x（Ti）5Si3→ Nb1-x（Ti）xSi2 ＋ Ti5-x （Nb）xSi4, L ＋ βNb5-x（Ti）xSi3→b5-x（Ti）xSi3 ＋Ti5-x （Nb）xSi4, L ＋ αNb5-x（Ti）αSi3 → Ti5-x（Nb）xSi3 ＋ Ti5-x（Nb）x Si4, L ＋ αNb5-x（Ti）xSi3 →βNb5-x（Ti）xSi3 ＋ Ti5-x（Nb）xSi3, L ＋ βNb5-xTb-xSi3 → Ti5-x（Nb）xSi3 ＋ （Nb,Ti）3Si, and L ＋ （Nb,Ti）3Si → Ti5-x（Nb）xSi3 ＋ BCC are confirmed.     

Mn掺杂对0.7BiFeO3-0.3PbTiO3薄膜铁电性能的影响

利用溶胶-凝胶法在La Ni O3/Si O2/Si衬底上制备了掺Mn量为0%、1%、5%、10%(质量分数)的0.7Bi Fe O3-0.3Pb Ti O3(BFMPT7030/x,x=0,0.01,0.05,0.1)薄膜。XRD测试表明,薄膜均完全结晶,呈现高度(100)择优取向。通过对薄膜晶体结构分析,发现BFMPT7030/0.05薄膜具有最小的晶粒尺寸(258 nm)及最小的晶胞体积(61.25×10-3 nm3)。SEM测试结果显示样品晶粒生长充分,晶粒尺寸在150~300 nm之间。铁电性能测试结果表明,当Mn含量为5%时,铁电性能较好,电滞回线形状最好,最为饱和。漏电流测试结果表明随着掺Mn量增加,BFMPT7030薄膜的漏电流随电场增大而增加的趋势减弱。     

Synthesis and electrochemical properties of nanocrystalline Li[Li1／3Ti5／3O4] by complex sol-gel method

1　INTRODUCTIONSpinelLi[Li1/3Ti5/3O4 ]isaveryattractiveelec trodematerialforitsexcellentcyclelifeandpromisingchargingrateinrechargeableenergystoragecells .Duringelectrochemicalreactionsconsistingofelectronandlithiumioninsertionintoorextractionfromit,itslatticeconstantchangesveryslightly ,soitiscon sidereda“zero strain”insertioncompound[13] .Thismaterialwassuccessfullyusedasanodecoupledwithhighpotentialcathodematerials (LiMn2 O4 ,LiCoO2oractivecarbonfiber)toprovideacellorhybridsu perc…     

激光熔炼Ti5Si3-TiCo-Ti2Co多相金属间化合物合金的组织与耐磨性

利用激光熔炼技术制备出Ti5Si3-TiCo-Ti2Co多相金属间化合物新型耐磨合金，分析了合金的显微组织并测试了合金的室温干滑动磨损性能。结果表明，Ti5Si3-TiCo—Ti2Co多相金属间化合物耐磨合金组织均匀、致密，在室温干滑动磨损条件下具有优异的耐磨性能。Ti5Si3-TiCo—Ti2Co多相金属间化合物耐磨合金的磨损量随磨损时间的延长缓慢增加，磨损率先增加后降低；难熔金属硅化物Ti5Si3的高硬度及金属间化合物的反常屈服强度一温度关系及磨损过程中表面粘附转移保护层的形成，是Ti5Si3-TiCo—Ti2Co多相金属间化合物耐磨合金在室温干滑动磨损试验条件下具有较好耐磨性能的原因。     

Si粉表面溶胶-凝胶预处理制备Cu/Si复合材料

以Si粉在Al_2O_3/TiO_2复合溶胶中预处理形成的凝胶膜层作为扩散阻挡层抑制Cu-Si反应,制备出Cu/Si复合材料,研究了Cu/Si复合材料的相组成、显微结构与性能.结果表明:Si粉预处理的Cu/Si复合材料主要由Cu和Si组成,含有少量的Cu_3Si相;其硬度为147HV0.1,室温热扩散系数为26.4 mm~2/s.复合材料烧结过程中Cu原子与Si原子借助膜层中的缺陷部位进行扩散,在Cu/Si界面局部反应形成Cu-Si化合物.相比之下,Si粉未预处理的Cu/Si复合材料只含有Cu_3Si相,无Cu与Si残留;其硬度高达399HV0.1,室温热扩散系数仅为3.0 mm~2/s.所以,Si粉表面溶胶-凝胶预处理可以有效降低Cu-Si反应程度,保持复合材料中的Cu相与Si相,提高导热性能.     

Ti-6．5Al—3．5Mo-0．3Si及其改进型钛合金

介绍了Ti-6．5Al-3．5Mo-0．3Si及其改进型钛合金的成分、加工和热处理工艺及性能等，为合理选择其加工和热处理工艺及使用该合金提供依据。     

Csf／Si3N4复合材料的力学性能和微波介电性能研究

采用热压烧结的方法，以α-Si3N4粉和短切碳纤维为主要原料，以Y2O3和La2O3为烧结添加剂，制备Csf／Si3N4复合材料，研究了其力学性能和微波介电性能。结果表明，该Csf／SiaN。复合材料的抗弯强度随纤维含量的增加呈现下降的趋势，是由于碳纤维氧化所产生的缺陷所致；当纤维含量较低时，断裂韧性随纤维含量增大而增大，由于纤维氧化产生的缺陷阻止了裂纹进一步的扩展或使裂纹发生了偏转。当纤维含量超过1％（质量分数）后，随着纤维含量的增大，氮化硅显微结构发生变化，氮化硅陶瓷本身断裂韧性减小，使Csf／Si3N。复合材料断裂韧性逐步降低。当碳纤维含量在0～1％（质量分数）时，随着碳纤维含量的增加，介电常数ε’，ε＂和介电损耗tanδ均随着纤维含量的增加而增大，而且所制得的复合材料表现出较强的频散效应：当纤维含量继续增加时，在相同的频率下，介电常数下降，材料的频散效应逐渐消失。     

铈掺杂钛酸锶钡薄膜的结构及介电性能

用改善的溶胶凝胶法制备铈掺杂钛酸锶钡(Ba_0.6Sr_0.4TiO_3, BST)薄膜,研究其结构与介电性能.X射线光电子能谱表明,铈掺杂显著地减少了薄膜表面非钙钛矿结构.但是,由于掺杂薄膜较薄且掺杂量小,X射线衍射结果未见明显变化.原子力显微镜结果表明,掺杂BST薄膜表面光滑致密.掺杂BST薄膜的介电性能大幅度提高,在40 V外加电压下介电调谐率达60.8%,零偏压下的介电损耗为0.0265.同时,就有关结构及介电性能改善的机制进行了讨论.     

Preparation and Anti-Oxidation Properties of Ti(CN) Films Deposited by P CVD

THE PLASMA-assisted chemical vapor deposition(PCVD)technique is industrially important because itis the coating process available at low temperature(<600°C)like PVD,favorable for mass-production andsuitable for complex-shaped tools due to its goodstep-coverage characteristics"'21.Therefore,TiN-basedfilms have been extensively prepared by PCVD for thepurpose of increasing the service life of cutting tools,forming tools and die molds.HC1,by-product of the common usedTiCl4-H2-N2-Ar ga…     

高速钢表面多弧离子镀(Ti,Al)N薄膜及性能研究

采用多弧离子镀技术在W18Cr4V表面制备出（Ti，Al）N硬质薄膜，研究了Al含量对（Ti，Al）N薄膜的形貌、硬度、膜基结合力、耐磨性、摩擦系数的影响。并利用扫描电镜、X射线衍射仪对薄膜进行了分析。结果表明Al含量在25％左右的（Ti，Al）N薄膜硬度达到2780HV0．05，耐磨性好，摩擦系数仅为0．168，且与钢基体结合良好．具有最佳的综合性能。     

高速钢表面多弧离子镀(Ti,Al)N薄膜及性能研究

采用多弧离子镀技术在W18Cr4V表面制备出(Ti,Al)N硬质薄膜,研究了Al含量对(Ti,Al)N薄膜的形貌、硬度、膜基结合力、耐磨性、摩擦系数的影响。并利用扫描电镜、X射线衍射仪对薄膜进行了分析。结果表明Al含量在25%左右的(Ti,Al)N薄膜硬度达到2780HV0.05,耐磨性好,摩擦系数仅为0.168,且与钢基体结合良好,具有最佳的综合性能。     

AISI304不锈钢表面Fe3Si型硅化物渗层制备及其力学性能

采用NaCl∶ KCl∶NaF=2∶2∶1(摩尔比)的中性熔融盐作为载体,Na2SiF6∶ Si=8∶2粉末作为渗硅剂,以SiO2为助渗剂,800℃下渗硅5h可实现在AISI 304不锈钢表面形成厚约600 μm的富含Cr,Ni合金元素的Fe3Si型硅化物渗层.采用万能材料试验机进行了轴向拉伸试验,并对应力-应变曲线进行了分析.结果表明,硅化物渗层为脆性断裂,基体部分为塑性断裂;AISI 304不锈钢渗硅后的名义屈服应力有明显提高.     

La2O3添加剂对BST陶瓷介电性能的影响

钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3)优异的介电性能使其在微波可调器件的应用中成为热门材料.以BaCO3,SrCO3和TiO2为原料,采用传统的固相合成方法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,以La2O3为添加剂在1400℃烧结成钛酸锶钡陶瓷.分析了La2O3添加剂对陶瓷的微观形貌、相组成以及介电性能的影响.XRD分析表明La2O3能完全固溶到钛酸锶钡晶格中.掺杂后的陶瓷晶粒尺寸明显降低.掺杂了La2O3的钛酸锶钡的介电可调性有所增高.     

磁控溅射法制备硅钼薄膜及其性能表征

用射频磁控溅射法在硅基底上成功制备出具有低电阻率的单一四方相二硅化钼薄膜，并通过X射线衍射仪、原子力显微镜及四探针电阻测试仪对退火前后的薄膜样品进行了结构和电学性能分析。结果表明：薄膜的电学特性强烈依赖于薄膜的微结构和相组成。沉积态薄膜主要为非晶结构。经高温退火后，薄膜的晶态结构发生显著的变化，晶化效果明显提高，薄膜方阻大幅降低。     

不同氧源对原子层沉积ZnO薄膜的性能影响

采用原子层沉积方法(ALD)分别以H2O、H2O2和O3为氧源制备ZnO薄膜,研究不同氧源对ZnO薄膜生长速率、成分、晶体结构及电学性能的影响.结果表明,采用不同氧源均能实现ZnO薄膜的ALD自限制生长,所制备ZnO薄膜均具有垂直于衬底表面的c轴择优取向.与采用H2O2和H2O为氧源制备的ZnO薄膜相比,XRD和XPS测试证实O3为氧源制备薄膜的晶体质量和Zn/O原子较高;相应的Hall测试表明其电阻率最低为0.053 Ω·cm,此时载流子浓度为4.8×1018 cm-3,Hall迁移率为24.5 cm2/Vs.