溶胶凝胶法制备的Y3Al5O12:Tb3+,Ce3+的光学性能及能量传递研究

用溶胶凝胶法制备了一系列不同掺杂浓度的Y3Al5O1 2(YAG):Tb3+,Ce3+荧光粉,对其物相、光学性能和能量传递进行了研究.多晶粉末X-射线衍射结果表明,所有样品均为YAG晶相,没有其它杂相.当样品在Tb3+的特征激发峰273 nm激发时,除了Tb3+的特征发射外,还观察到位于467 nm的YAG基质的电荷迁...     

溶胶-凝胶法制备纳米级Y2O3：Tb^3＋发光材料

采用溶胶-凝胶法合成Y2O3：Tb3＋纳米粒子。用红外光谱（IR）、X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）光谱对其进行一系列表征。结果表明所制备的纳材料在400℃还没完全结晶,在1000℃时结晶完全,得到较纯产物且有良好的发光性能。     

Y2O3：Eu^3＋薄膜的制备及发光性能的研究

以稀土氧化物为原料，用溶胶-凝胶法制备前驱液，加入适量的聚乙烯醇做成膜物质，用浸渍拉提法在石英玻璃表面上得到均匀的薄膜，然后经过适当的干燥和热处理得到Y2O3：Eu^3＋发光薄膜．讨论了Eu^3＋的掺杂浓度和热处理温度对薄膜发光性能的影响．试验表明：Eu^3＋的最佳掺杂浓度为8％（摩尔分数），薄膜的发光性能随热处理温度提高而增强，当热处理温度达到700℃后，薄膜的发光性能基本上稳定．同时用原子力显微镜和X射线衍射分析了薄膜的表面形貌和结构．     

YAG：Ce3＋黄色荧光粉的高温固相法制备

采用高温固相法制备了Ce3＋激活的钇铝石榴石荧光粉Y3Al5O12：Ce3＋（YAG：Ce3＋）。采用X射线衍射法对所制备的样品进行结构分析,采用荧光光谱仪对样品进行发光分析。结果表明,在YAG：Ce3＋的高温固相法制备过程中原材料和助熔剂用量以及稀土离子掺杂量、研磨时间、灼烧温度和时间等,都会对所制备样品的成相和发光性能产生影响。     

溶胶-凝胶法引入烧结助剂制备SiC-Y3Al5O12复相陶瓷

以碳化硅、六水硝酸钇、九水硝酸铝和六次甲基四胺为主要原料,通过溶胶-凝胶法引入Al2O3和Y2O3复合烧结助剂,液相烧结制备得到SiC-Y3Al5O12(Y3Al5O12简称YAG)复相陶瓷.采用DTA、TEM、XRD等分析测试技术研究了溶胶-凝胶法引入复合烧结助剂过程及复合烧结助剂对SiC-YAG陶瓷的烧结性能、力学性能、物相组成与显微结构的影响.结果表明干凝胶在920℃左右已完全转变成YAG相,最终获得的YAG粒径小,并均匀分散在SiC表面的SiC-YAG复合粉体;复合粉体先干压、再等静压成型后,在1860℃下烧结45 min,所制得复相陶瓷的相对密度达到了96.5%,抗弯强度达到486 MPa,断裂韧性达到5.7 MPa·m1/2.     

溶胶凝胶法制备Al2O3超滤膜的研究

氧化铝超滤膜是一种新型的分离膜,性能优异,在生物医学等领域有广阔的应用前景。本文通过采用溶胶凝胶法制备Al_2O_3超滤膜的实验过程,重点研究影响Al_2O_3超滤膜制备的因素。     

溶胶-凝胶法制备Y3Al5O12粉体的研究

本文以Y2O3、硝酸铝以及柠檬酸为起始原料，采用溶胶一凝胶法合成了YAG粉体，研究了烧成温度及烧成时间对YAG粉体形成的影响，并利用SEM和XRD等实验技术对粉体进行了表征。结果表明，用溶胶一凝胶法成功地合成了纳米YAG粉体(50～70nm)，且随着烧结温度的升高和烧结时间的延长，颗粒尺寸不断增大。     

溶胶-凝胶Al2O3溶胶薄膜早期干燥过程研究

采用无机盐先驱体,溶胶-凝胶法制备了Al2O3溶胶薄膜,并对溶胶膜的早期干燥过程进行了研究.结果表明,Al2O3溶胶薄膜的早期干燥过程存在着2个恒速干燥期,第1恒速干燥期的干燥速度明显高于第2恒速干燥期.此外,在早期干燥过程中,随着温度的升高,薄膜失重率急剧增加.为了获得理想的薄膜,应对溶胶膜进行分级干燥.     

纳米Al2O3的制备及红外吸收研究

用溶胶凝胶法制备了不同晶型和晶粒尺寸的Al2O3纳米粉末样品，分析了反应过程中各因素对产物形态的影响。对所制得样品的红外吸收能力进行了研究。结果表明，样品的红外吸收能力对其晶型和晶粒尺寸具有一定的依赖性。     

溶胶—凝胶法制备超滤Al2O3膜的研究—非担载超滤Al2O3膜的制备

以异丙醇铝为原料通过溶胶-凝胶法制备了非担载超滤Al2O3膜。对主要制备因素即胶溶剂的种类及用量、水解温度和加水量、老化温度及老化时间、焙烧温度等进行了研究。实验表明所制备的非担载超滤Al2O3膜在500℃焙烧所得膜的孔径小于5nm,且孔径分布均匀。     

溶胶-凝胶法制备纳米晶γ-Al2O3：Tb^3＋粉末及其发光性能

以异丙醇铝为原料,聚乙二醇(PEG1000)为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备了纳米晶γ-Al2O3:Tb3+发光粉;并采用DTA/TG、XRD、TEM及荧光光谱对其进行了一系列表征.研究结果表明:采用溶胶-凝胶制备工艺,经800℃煅烧4 h,可以得到发光强度高的纳米晶γ-Al2O3:Tb3+发光粉;发光粉的最佳激发波长为251 nm,对应于Tb3+4f-5d跃迁;最佳掺杂浓度为5%(物质的量浓度,下同),在251 nm光激发下,最强的发射峰位于544 nm,可以用作绿色发光材料.     

纳米Y2O3：Eu^3＋发光材料的研究综述

综述了纳米Y2O3：Eu^3 发光材料的研究进展情况，介绍了Y2O3：Eu^3 发光材料的各种制备方法，其中重点介绍了沉淀法和溶胶-凝胶法。对纳米发光材料结构与性能的关系进行了详细评述，并对其未来的应用和发展趋势进行了展望。     

溶胶—凝胶法制备α—A12O3微晶陶瓷的研究

以一水氧化铝（A1OOH）为原料，采用溶胶－凝胶法，经搅拌分散、胶溶、凝胶以及凝胶干燥过程制备了α－Al2O3微晶陶瓷的前驱体，热处理得到溶α－A12O3微晶陶瓷。通过TG（DTG）－DTA和XRD等分析测试手段，详细考察了胶溶剂、pH值、固含量等工艺参数对α－Al2O3微晶陶瓷性能的影响，得到了合适的工艺参数。     

缩短溶胶-凝胶法制备Al2O3系膜溶胶时间的探讨

本文以缩短成膜时间为目标,主要对催化剂及水解条件进行了研究。经过对不同的硝酸加入量、水解温度、水解时间的研究,发现以硝酸作催化剂,当H^ ／AL控制在0．08～0．14范围内,水解温度为87℃,水解时间控制在3～4小时时,只需陈化8～10小时,即可得到稳定的澄清溶胶。并且,所制得的复合溶胶涂覆在多孔陶瓷基质上经干燥、热处理后得到性能良好的复合膜。     

Al3+/Bi4Ti3O12薄膜的制备及其光催化性能表征

采用溶胶一凝胶法制备了掺 Al3+ 的Bi4 Ti3 O12 薄膜(Bl-xAlxTi3O12).采用分光光度法研究了薄膜对甲基橙溶液的降解,以及Al3+对薄膜的光催化效果影响.光催化结果表明,Al3+的掺杂量为 2atm% 时,薄膜的光催化效果最好,比未掺杂前提高 57.9%,且吸收边红移量为 36nm.     

YVO4：Eu^3＋，Bi^3＋荧光粉的制备及荧光性能研究

用溶胶凝胶法在较低温度下制备了YVO4：Eu^3＋，Bi^3＋荧光粉，采用X射线衍射仪（XRD），扫描电子显微镜（SEM）及荧光分光光度计测试，研究了合成产物的结构、表面形貌，分析了在Eu3’含量一定的情况下掺杂Bi^3＋的浓度的变化对发光性能的影响。结果表明，溶胶凝胶法合成的YVO4：Eu^3＋，Bi^3＋荧光粉为单相结构、粒径在1um左右、无团聚现象；Bi^3＋对Eu^3＋离子有敏化作用，在一定浓度下使荧光粉的发射强度增加。     

Y3Al5O12∶Eu3+荧光粉表面包覆SiO2的研究

采用化学均相沉淀法在YAG∶Eu3+荧光粉表面包覆了SiO2.利用XRD、SEM、Zeta电位分析、傅里叶红外光谱和荧光光谱等手段对包覆处理前后的样品进行了测试和表征.结果表明:SiO2包覆层紧密附着在荧光粉表面,而不改变YAG∶Eu3+荧光粉的晶体结构和发光中心;并通过改善荧光粉的表面状态,在一定程度上提高了荧光粉的发光强度.     

溶胶-凝胶法制备Zn2SiO4：Pr3＋发光材料及其发光性能的研究

用溶胶-凝胶法合成了亚纳米级Zn2SiO4：Pr3＋发光材料,探讨了Pr3＋掺杂浓度及保温温度对发光性能的影响;利用XRD、SEM对样品的结构及其形貌进行表征,结果表明：保温温度在1 000℃基本形成Zn2SiO4晶体,颗粒尺寸大约2μm;荧光分析结果表明,样品的激发及发光光谱均为Pr3＋的发光,激发峰λmax为353 nm,发射峰λmax为610 nm,是典型的Pr3＋的1D2-3H4跃迁引起的。     

溶胶-凝胶法制备纳米In2O3粉末

以InCl3·4H2O为原料,经水解、胶溶、凝胶、煅烧得到了纳米级In2O3.利用XRD,TEM,TG-DTA等测试手段对纳米级In2O3的晶粒生长过程进行了研究.计算表明:随着煅烧温度的升高,平均晶粒度增大,而平均晶格畸变率则随着平均晶粒度的增大而减少.表明粒子越小,晶格畸变率越大,晶粒发育越不完整.应用相变理论计算得温度低于500℃煅烧1h,晶粒生长活化能为4.75kJ·mol-1,高于600℃时,晶粒生长活化能为66.40kJ·mol-1.TEM分析表明:加入适量形貌控制剂,可使颗粒的粒径和形貌得到很大改善.     

Ce3+掺杂的Ca1.5Y1.5Al3.5Si1.5O12荧光粉发光性能研究

采用高温固相法合成白光LED用Ca1.55Y1.5Al3.5Si1.5O12:x Ce3+黄绿色荧光粉,利用X-射线粉末衍射和荧光光谱进行表征。实验结果表明,在紫外近紫外区(200~380nm)激发下荧光粉发射光谱主峰位于402nm,在蓝光454nm激发下荧光粉发射光谱主峰位于530nm。当灼烧温度为1623K,Ce3+掺杂浓度为10%,发光强度最高。随着Ce3+的掺杂增加会发生浓度猝灭。该荧光粉与商业近蓝光芯片发射相匹配,是一种优秀的白光LED用黄绿色荧光粉。