天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

H×8（CD0402）-TxxC—TVS阵列半导体产业在向越来越小的电了元件发展,这住便携式通信,计算机和视频没备的市场是具有很好的前景。瞬态电压抑制器阵列系列提供了在一个双向的配置从3V至36V的电压类型不等选择。芯片二极管符合JEDEC标准,它们易于在标准的设备上放置和卸载。     

最新标准简介

GB 156-2003 《标准电压》代替GB 156-1993http: //www.cesi.ac.cn/its2004年第4期7本标准非等效采用IEC 60038:1983《IEC标准电压》及第1次修改和第二次修改:1997,本标准规定的大部分标准电压等级与IEC60038一致,个别等级存在较大差异。本标准适用于:— 标称电压高于100V、标准频率为50Hz的交流发电、输电、配电及用电系统及其设备;— 交流和直流牵引系统;— 标称电压交流低于120V或直流低于750V设备。本标准不适用于表示信号、传输信号和测量值的电压。本标准不适用于那些用于电气装置内部的元件、部件或设备零件的标准电压。本标…     

医疗电子用高可靠性固钽电容

TM8器件采用独有的多阵列封装（MAP）,显著降低了直流漏电,并实现了更好的稳定性。此外,器件遵照MIL-PRF-55365标准进行了严格的处理和测试。在7种紧凑的外形尺寸内,TM8系列提供1μF／40V～47μF／10V的容量～电压（CV）等级范围。电容器很适合植入式医疗设备、医疗仪器及军工／航天系统等关键应用中对长期性能的要求。     

实现以太网供电的几个关键问题

PoE的核心就是将48V的额定电压通过以太网电缆传输给受电设备（PD）阵列。IP电话就是受电设备的一种,其它还有Wi-Fi设备和蓝牙接入点,网络摄像机和零售终端。     

一种用于X射线工业检测的多通道电荷读出IC

介绍了一种用于X射线工业检测的多通道电荷读出IC。该电荷读出IC可提供64个通道,将探测器电荷转换成模拟电压。电路由电荷放大器增益控制、增益电容阵列、时序发生器、移位寄存器链、电荷放大器阵列和采样保持放大器等组成,具有低噪声、14位动态范围等特性。电路芯片采用0.8μm标准CMOS工艺制造,芯片尺寸为3.1mm×10.9mm。电路在3.3MHz频率、5V电源电压和3.5V参考电压下工作,电路功耗为45mW。测试结果表明,在电荷放大器增益电容为0.5pF和光电二极管结电容为33pF下,电路的输出噪声达到600μV(Vrms)。     

一种用于X射线工业检测的多通道电荷读出IC

介绍了一种用于X射线工业检测的多通道电荷读出IC。该电荷读出IC可提供64个通道,将探测器电荷转换成模拟电压。电路由电荷放大器增益控制、增益电容阵列、时序发生器、移位寄存器链、电荷放大器阵列和采样保持放大器等组成,具有低噪声、14位动态范围等特性。电路芯片采用0.8 μm标准CMOS工艺制造,芯片尺寸为3.1 mm × 10.9 mm。电路在3.3 MHz频率、5 V电源电压和3.5 V参考电压下工作,电路功耗为45 mW。测试结果表明,在电荷放大器增益电容为0.5 pF和光电二极管结电容为33 pF下,电路的输出噪声达到600 μV (V_rms)。     

Ti-Al-V-O纳米管阵列的制备与热稳定性研究

在醇基介质中采用阳极氧化方法成功在Ti6Al4V合金表面制备出大面积的α和β相均为纳米管结构阵列。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDXA)对纳米管阵列的表面形貌、微结构和热稳定性进行了表征。实验结果表明:在醇基溶液中采用阳极氧化方法制备大面积纳米管阵列时,外加电压的增加有利于合金表面多孔纳米结构的形成。在外加电压为30V时,Ti6Al4V合金表面的双相区均获得较为均匀的纳米管阵列。Ti-Al-V-O纳米管阵列管长约900nm、管径约90nm、壁厚约7.4nm。EDXA结果表明:在阳极氧化后,表面Al和V含量降低。Ti-Al-V-O纳米管阵列在550℃下晶化后,其表面形貌可保持规则的纳米阵列结构,而在更高温度下热处理可导致纳米管阵列局部坍塌并发生表面烧结致密化现象。     

检测红外探测器与描述其工作性能的标准程序(续)

3.推荐的检测设备3.1 标准检测设备在对探测器进行检测时,检测实验室使用的仪器设备应符合本章的要求,或者使用同等测量精度的仪器设备。3.2 标准信号发生器标准信号发生器在其输出端输出一频率可调的正弦波电压,其频率可调范围就是完成探测器响应率测量的频率范围。对于一个综合性的检测实验室,频率范围从约1Hz到约100MHz。信号发生器的输出电压应该是可调节的,对50Ω负载能输出约10V的均方根值。3.3 标准衰减器标准衰减器接受信号发生器的电压并输出一均方根幅值确知的电压到其输出端。输出电压的幅值应复盖从1μV到1V的范围。衰减器     

供电适应性试验系列标准对比及工程应用研究

从测试状态、设备分类、稳态电压和瞬变特性等方面,对比分析了GJB 181系列标准中对28 V直流用电设备的飞机供电特性要求,并对供电适应性试验方法中耐电压尖峰、耐过压浪涌和耐欠压浪涌的试验方法、指标参数和合格判据等进行了详细对比分析。阐述了GJB 181系列标准在工程应用中的局限性和兼容性,对如何通过供电适应性试验并在机载28 V直流用电设备中实施工程应用,提出了指导性建议。     

电信和数据通信设备高压直流供电系统的发展目标（下）——高达400V的直流供电系统

国际电信联盟（ITU）标准ITU-TL.1200规定了在电信和数据通信（ICT）设备输入端高达400V的直流供电接口及其正常电压范围（260～4-00VDC）。我国当前研究试验和推广应用的240V高压直流供电系统的正常电压范围（192～288V％）偏低偏窄,或应在有限的时间内过渡到ITU建议的目标电压范围。文中介绍ITU对高达400VDC的直流供电接口的要求、供电系统结构、接地系统设计考虑和ICT设备抗干扰试验要求。     

一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制

采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的Ⅰ-Ⅴ、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比.     

一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制

采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的Ⅰ-Ⅴ、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比.     

一种新型电容阵列结构线性宽带VCO

针对开关电容阵列结构压控振荡器(VCO)的非线性粗调谐特性,提出了一种新型的电容阵列结构线性宽带VCO。该VCO只有1组MOS电容、4路数字控制信号控制电阻阵列和电流源阵列,得到1组偏置直流电压以进行粗调谐;1路模拟控制电压通过电流叠加的方式叠加在MOS电容的控制电压上,进行精细调谐。电阻阵列控制不同数字控制信号下的调谐增益KVCO,与电流源阵列共同产生直流偏置电压以控制步进频率,可以灵活地精确设置不同数字信号控制下的电容值大小,取得线性的粗调谐特性。仿真结果显示,该VCO的调谐范围为5.00~5.87 GHz,步进频率为166 MHz,调谐增益KVCO变化范围为－900~－450 MHz/V,不同数字控制信号下的调谐特性几乎相同,比传统二进制电容阵列拥有更好的粗调谐特性。1.8 V供电电压下,电路最大消耗4.43 mA直流电流。     

外部干扰的抑制(六)

6.4电压波动与闪烁的发射6.4.1电压波动与闪烁的起因本节内容主要针对采用230 V/400 V交流供电的设备,此类设备通常需满足相关EMC标准(EN 61000-3-3与EN 61000-3-11)关于工作电流小于75 A的设备电压波动与闪烁发射要求,这些要求也适用于各种电压的交流与直流电源。如图6AU所示,配电网络中总会存在一(上接2012年第1期75页)     

基于STM32F078和LTC2662的硅基光开关阵列参数标定控制器设计与实现

随着科技的发展,光纤通信大量使用,硅基光开关阵列的使用场景越来越多,当前基于硅基的光开关阵列技术得到了发展.但由于技术还不够成熟,光开关阵列中每个开关节点的控制参数还不能做到一致,需要的电压在4～6 V.为了能够准确控制和使用硅基光开关阵列,必须对硅基光开关阵列中的每个开关节点控制参数进行准确标定,标定其控制电压或电流...     

LMZ10505EXT：5A SIMPLE SWITCHER电源方案

NS公司的LMZ10505EXT是5A SIMPL-E SWITCHER电源模块,最大输入电压5.5V,符合军用标准。LMZ10505EXT电源模块的最大输出功率为25W,输出电流高达5A,它的输入电压2.95V至5.5V,输出电压0.8V～5V,效率高达96%,LMZ10505EXT电源模块主要用在点负载转换,空间受限的应用,极端温度/无空气对流的环境以及对噪音敏感如传感器,医疗设备等。     

一种基于CMOS工艺的低相噪压控振荡器的设计

基于标准CMOS工艺,设计了一款适用于无线通信的基于标准CMOS工艺的频带压控振荡器,该芯片的中心频率2.8 GHz,芯片面积0.5×0.5 mm²,典型功耗为11 mA@3.3 V。测试结果表明,在0.8 V～2.5 V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为2.3 GHz ～3.3 GHz,通过电容阵列实现了1 GHz的调谐带宽,在2.8 GHz频率时的典型相位噪声为-81 dBc/Hz@10 kHz,压控振荡器的典型增益为40 MHz/V。     

应用于无源UHF RFID标签的CMOS兼容集成微型太阳能电池研究

在标准CMOS工艺下,设计了一种与CMOS工艺兼容的片上集成太阳能电池阵列,通过从外部环境收集光能为UHF射频识别(RFID)标签供电。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺制备出太阳能电池阵列,其面积约为0.2mm2;在AM1.5、1 000W/m2、25℃标准测试条件下,测得最大输出功率为10.212μW,短路电流和开路电压分别为28.763μA和0.458V,光电转换效率为5.106%。相对于常规Si太阳能电池复杂的制造工艺,本文太阳能电池阵列与CMOS工艺相兼容,可与电路系统集成从而实现片上供电。     

电信和数据通信设备高压直流供电系统的发展目标（上）——高达400V的直流供电系统

国际电信联盟（ITU）标准ITU-TL．1200规定了在电信和数据通信（ICT）设备输入端高达400V的直流供电接口及其正常电压范围（260～400VDC）。我国当前研究试验和推广应用的240V高压直流供电系统的正常电压范围（192～288VDC）偏低偏窄,或应在有限的时间内过渡到ITU建议的目标电压范围。文中介绍ITU对高达400VDC的直流供电接口的要求、供电系统结构、接地系统设计考虑和ICT设备抗干扰试验要求。     

电压不足期间支持电信电源的小电容

本设计实例介绍如何在短暂电压不足期间使电信设备保持正常工作。首先必须了解电信设备专用电源的几个细节。向电信设备馈电的电源的共模电压为-48V,尽管实际电压范围可能是-42．5V— -56V、-40V- -60V,甚至超出这些范围。公共电源——”砖块”DC／DC转换器工作于-36V— -75V范围。当-48V源降至0V并持续10ms时,就会出现电压不足。