a—Si：H光导成像器件

利用a-Si:H膜的光电导灵敏性可记录图像信息。目前正在研制中的实际器件有a-Si:H靶摄像管和用a-Si:H作光感受器的静电成像器件等。 一、a-Si:H静电成像器件 静电成像技术有广泛的应用,如用于传真印刷、计算机数据记录等自动化终端设备中,也可用于X射线图像显示及通常的静电复印机中。 a-Si:H薄膜静电成像器件采用干成像原理,包括三     

a—SiN：：H的退火自理及其对a—Si：HTFT性能与可靠性的影响

研究了ａ－ＳｉＮ：Ｈ的退火行为及其作为栅介质使用时，退火对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ工作特性和可靠性的影响，实验事实表明，在３８０℃以下的退火处理ａ－ＳｉＮ：Ｈ介电常数的变化呈单调上升趋势，对ａ－ＳｉＮ：Ｈ ＴＦＴ的工作特性和可靠性有明显的改善，温度进一步升高时，介电常数减小，ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性变坏。     

a—Si：H和a—SixH1—x：H光学特性的研究

本文所用a-Si:H和a-SixN1-x:H薄膜是用辉光放电法制备而成的,薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N2/SiH4)来控制,利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-SixN1-x:H在波长为200A-6000A的范围内的光学常数.着重研究了其光学参数随制备时的衬底温度T和γ而变化的变化规律.     

厚度对a—Si：H薄膜性能的影响

用等离子体增强化学气相沉积法在最佳工艺参数下在硼玻璃基片上沉积了厚度为1μm以下的不同厚度的a-Si:H薄膜。测量了薄膜厚度对它的光电性质的影响。结果表明，当膜厚增加时，a-Si:H薄膜暗电导、光电导和阈值电压增大，光学带隙和Raman谱的TA模与TO模峰值比减小，折射率几乎不变，光吸收系数和通断电流比先增大，达到最大值后又减小。     

a—Si：H磷掺杂机理

Ｓｔｒｅｅｔ的自动补偿模型不是ａ－Ｓｉ：Ｈ中磷掺杂的唯一机理，它略去了带尾态电子密度ｎＢＴ，实际上相当于略去了其他掺杂机理对掺杂的贡献。Ｗｉｎｅｒ ｅｔ ａｌ的磷杂质结合模型，可以推广到ｎＢＴ≠０情形，其反应常数仍满足Ｈｅｎｒｙ定律。磷掺杂固相效率和磷结合系数可以同时表示成磷气相浓度的明显的解析函数，其计算结果与实验曲线及其外推均相一致。     

a—Si：O：H钝化膜

本文报道了用等离子放电SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积的氢化非晶硅氧合金膜,均匀、致密、耐腐蚀、半绝缘、电中性、富含氢,是较理想的半导体器件表面钝化膜.兼有SiO_2和a-Si_2H的优点,而又克服了它们各自的缺点.用氢化非晶硅氧合金膜钝化平面晶体管,不仅明显地改善了小电流放大系数,而且放在盐水里浸几个小时后,特性不变.     

掺钇α—Si：H膜的光性研究

用反射消光式椭圆偏振光谱研究了射频溅射法制备的不同衬底温度和不同掺钇浓度下的α-Si:H(Y)膜在可见光区的光学性质,结果与透射谱一致。由红外吸收谱判断膜中氢含量和存在形式随生长条件和掺钇浓度变化。     

异质结硅太阳能电池a—Si：H薄膜的研究

通过应用Scharfetter-Gummel数值求解Poisson方程，对热平衡态P^ （a-Si:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果指出，采用更薄P^ (a-Si：H）薄膜设计能有效增强光生载流子的传输与收集，从而提高a-Si/c-Si异质结太阳能电池的性能。同时，还讨论了P^ (a-Si:h)薄膜中P型掺杂浓度对光生载流了传输与收集的影响。高强茺光照射下模拟，计算表明，a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池具有较高光稳定性。     

AM混合相Si：P：H膜

本文介绍采用辉光放电法分解SiH_4+Ar+PH_3的混合气体淀积掺磷氢化非晶硅膜,即a-Si:P:H.再使其结晶化,得到非晶-微晶混合相结构的Si:P:H膜,即AK-Si:P:H.对膜的结构和性质作了探讨和分析.结果表明,AM-Si:P:H合金膜结构均匀、致密,对可见光及近红外有良好光吸收.退火温度达到500℃以上时,AM-Si:P:H膜的电导特性有一大的突破.S-W效应明显减小,是p-i-n太阳能电池所希望的n~+型材料.     

a—Si：H磷掺杂固相效率和相关分配系数

证明了分配系数ｄ是气相浓度Ｘｐ（ｇ）的解析函数，其系数由ａ－Ｓｉ：Ｈ生长期间界面上固／气相平衡反应常数决定。ｄ这种性质致磷掺杂固相效率可藉助Ｘｐ（ｇ）进行解析计算。     

a—Si：H带尾态的光致变化

为阐明a-Si∶H的光致变化效应的物理机构,作者用光电流相移法研究了光照前后.a-Si∶H导带尾态的变化情况;同时用等光电导法测量了光吸收Urbach尾,从而确定了价带尾的光致变化情况.实验结果表明:光照以后,导带尾态和价带尾态都增加了.作者认为:在集团氢存在的地方,与光照引起的Si-H键断裂相伴随的Si-Si弱键的增加是带尾态增加的原因.