高精度振荡器及峰值固定斜坡补偿电路设计

设计了一款具有充放电电容的高性能振荡器。该振荡器基于0.5μm BCD工艺库,利用Cadence和Hspice软件,在芯片系统典型应用环境下仿真,得到的内同步振荡频率为500kHz,外部EN同步振荡频率为200kHz到2MHz;在3~5.5V电源电压下及-40~125℃温度范围内,振荡器的频率偏移在±3%以内,内部时钟CLK占空比偏移在±4%以内,补偿电压峰值偏移在±8%以内。该振荡器性能良好,已成功应用于一款DC/DC降压开关电源芯片。     

电流模式开关电源中的高精度锯齿波振荡器设计

提出了一种用于开关电源芯片的高性能锯齿波振荡器。基于U-I转换器原理．设计了精密电流产生电路;利用系统内部基准电压,设计了一种门限电压产生电路。从而有效地提高了振荡器频率稳定度和精度。基于TSMC0．5灿mBCD-Y-艺,利用Spectre软件进行电路仿真,在芯片典型应用环境下仿真得到锯齿波振荡频率为132kHz。频率随电源电压在3．6-6．4V变化范围和温度在-27-27℃变化范围以内可控制其偏移在±3％以下。该锯齿波振荡器已经成功应用于一款AC／DC降压开关电源芯片的设计中。     

一种适用于DC/DC开关电源芯片的锯齿波振荡器设计

应用于手机等通信电子产品电源系统的DC/DC开关电源变换器芯片,要求具有高性能的锯齿波振荡器.鉴于此要求,设计了一款具有级冲放电电容的高性能锯齿波振荡器.基于华润上华CSMC 0.5 μmBiCMOS工艺库,利用Cadence Spectre软件进行电路仿真,在芯片系统典型应用环境下仿真得到锯齿波振荡频率为5 MHz,信号幅值为0～3 V.频率随电源电压在2.7～5.5 V变化范围和温度在-20～100 ℃变化范围而产生的偏移在±4%以内.该锯齿波振荡器的性能良好,已经成功应用于一款DC/DC降压开关电源芯片的设计之中.     

一种高精度高稳定性锯齿波振荡器的设计

设计了一种应用于DC/DC开关电源管理芯片的锯齿波振荡器,该电路利用内部基准电流源产生的电流对电容进行充放电,使得产生的锯齿波信号随电源电压和温度的变化较小,采用迟滞技术提高了锯齿波信号幅值.采用基于CSMC的0.5μmCMOS 工艺进行仿真.结果表明,该电路产生的振荡频率为5MHz,信号幅值为0-3V,电源电压在2....     

一种温度不敏感占空比可调的振荡器

介绍了一种单比较器型锯齿波及CLK方波震荡器电路,它通过基准电压源对RT/CT充放电产生一定占空比的锯齿波及CLK方波信号。该电路所产生的方波及锯齿波频率的温度和电压稳定性好,波形的占空比可根据需求进行trimming调节。同时介绍了电路的工作原理,进行了HSPICE仿真,最后给出了流片验证结果。     

带电压前馈的固定充放电时间锯齿波振荡器

设计了一种用于降压型DC-DC开关电源转换器的锯齿波振荡器。利用电压前馈方法和固定充放电时间方法,实现了锯齿波幅度随电源电压线性变化且频率固定的锯齿波振荡器,抑制了电源电压突变时的输出电压过冲。基于0.18 μm BCD工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,该锯齿波振荡器产生的锯齿波频率为2.73 MHz。在2.7~5.5 V电源电压、-55 ℃~125 ℃温度范围内,频率偏移在±6%以内。振荡幅度在0.576~1.470 V范围内随电源电压线性变化。     

一种用于DC-DC转换器的精密振荡器设计

提出了一种用于DC-DC转换器的高频、精密张驰振荡器的设计方法.基于V-i转换器原理,设计了精密电流产生电路;基于基极电流补偿技术,设计了一种结构新颖的比较器门限电压产生电路,从而有效地提高了振荡器频率稳定性和精度.通过外接可调电阻,振荡器可调工作频率为100 kHz～3 MHz,并能同时提供占空比85%的方波信号和用于斜率补偿的锯齿波信号,还具有与外接时钟信号同步振荡的功能.流片测试结果表明该振荡器满足设计指标.     

适用于DC-DC开关电源的振荡器设计

应用于手机等通信电子产品电源系统的DC-DC开关电源变换器芯片,要求具有高性能的振荡器。鉴于此要求,设计了一款具有充放电电容的高性能振荡器。该振荡器基于0.5μm BCD工艺库,利用Cadence和Hspice软件,在芯片系统典型应用环境下仿真,得到的内同步振荡频率为794 k Hz,外部EN同步振荡频率为1 MHz到2MHz;在VCC=5.5 V,0~125℃温度范围内振荡器的频率偏移在6%以内。仿真结果显示,该振荡器性能良好,适用于DC-DC开关电源。     

一种用于RFID标签带温度补偿的振荡器设计

提出了基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺带温度补偿高精度振荡器的设计方案。针对射频电子标签应用的设计要求,选用改进型的双电容张弛振荡器结构。通过温度补偿作用,参考电压与输出电流受电源影响较小,保证了振荡器输出频率的稳定性。使用SPECTRE工具对电路进行仿真,在1.8 V电源电压下,-25¹00℃范围内,中心频率为1.92 MHz时最大偏差小于±0.75%,达到使用的要求,并在此基础上完成电路的版图。     

峰值电流模式变换器自适应斜坡补偿电路设计

峰值电流模式变换器工作于CCM模式且D＞0.5时,存在开环不稳定性等问题,必须进行斜坡补偿.针对常规的斜坡补偿方式所存在的缺陷,设计了一种补偿量自动适应输入输出电压变化的斜坡补偿电路.利用MOS管工作于线性区的压控电阻特性,实现了在整个占空比区间内自动适应、优化的斜坡补偿,与传统的设计相比,自适应斜坡补偿对系统带载能力、瞬态响应的负面影响减至最小,改善系统性能,增加系统稳定性,是进行斜坡补偿的最佳方案.最后给出仿真结果.     

一种低电压高精度振荡器的设计

提出了一种结构简单、电源电压宽、精度高的振荡器。利用系统的基准偏置电流对电容进行充放电,并且与该偏置电流作用在电阻上的电压进行比较,产生680 kHz的方波信号。该电路在电源电压大于2.2 V时,就可得到高精度的振荡频率。采用0.5 μm OKI工艺,利用Hspice和Cadence对电路进行仿真。在芯片系统典型应用环境下仿真得到振荡频率为680 kHz;电源电压在2.2~6 V,温度为-40 ℃~85 ℃变化范围时,振荡频率的范围为663~707 kHz,最大偏移量为+3.97%;电压为5 V时,该振荡器振荡频率的偏移在±1.18%以内。     

一种高精度高稳定性振荡器的设计

提出了一种基于标准双极工艺、能同步外部时钟的低成本RC振荡器.由于采用迟滞技术和高压双极型工艺,振荡周期对温度、电压及工艺偏差均有很好的宽容度,且周期大小易于调整.在输入电压为5～40V、-55℃～125℃温度范围,以及三个电阻工艺偏差的情况下,进行HSPICE仿真.结果表明,在最坏情况下,振荡器周期的最大偏差为9.8%;在不考虑温度的情况下,由电压和电阻工艺偏差引入的振荡周期最大偏差为5.6%.该振荡器满足电源管理芯片要求,适合低成本AC-DC、DC-DC转换器和充电器等电源管理芯片的应用.     

一种用于斜坡补偿的振荡器设计

电流控制模式的开关电源变换器在占空比D>0.5时,存在次谐波振荡问题,因此必须进行斜坡补偿。在分析了峰值电流模式的DC/DC转换器中斜坡补偿原理的基础上,介绍了一种用于斜坡补偿的振荡电路,该振荡电路主要是通过对电容充放电的控制产生所需要的斜波,从而应用于DC/DC补偿。电路基于0.35μmCMOS工艺设计,并在Cadence下对电路进行整体仿真。结果表明该电路能在较大电源电压及温度范围内正常工作,能够提供1MHz的振荡信号。     

一种带有数字修调的高精度带隙基准电路

采用一种具有较高固有精度的带隙核心结构,设计了一种应用于开关电源芯片的带数字修调的高精度带隙基准电路。通过对传统Brokaw基准结构进行改进,提出了一种新型的带隙基准核心电路,使得由于失配导致的基准电压变化从6.4 mV减小到3.4 μV,提高了带隙基准的固有精度。基于CSMC 0.5 μm BCD工艺对电路进行仿真,结果表明,在－40 ℃~120 ℃的温度范围内,基准的温度系数为5.2×10－6/℃,电源抑制比分别为－167.5 dB@dc,－89.6 dB@1 MHz。     

GPS校频的压控振荡器设计

提高压控振荡器（VCO）的频率稳定度和噪声抑制能力,是基于反馈控制原理与GPS驯服校频技术频标产生电路获得高稳定度、高准确率的标准频率信号的关键。综合差分对型VCO,LC型VCO的优点,研究压控振荡器的噪声与频率调节范围及稳定时间的关系,设计一种全差分结构的LC型压控振荡器（使用COMS电容阵列作LC元件）,具有较高的电源噪声和衬底噪声抑制能力。仿真结果表明,该压控振荡器的频率稳定时间短,准确度锁定在GPS标准的准确度上。     

一种带频率抖动功能的振荡器电路的设计

介绍了一种带频率抖动功能的振荡器,该振荡器结构简单、频率抖动效果明显,通过周期性改变振荡器内部比较器的比较阈值达到频率抖动的效果,可有效降低芯片电磁干扰.使用0.5 μm BCD工艺对电路进行仿真,在25℃,TT工艺角下,振荡器中心频率为66.87 kHz,频率抖动差值为±5.02 kHz,频率抖动重复频率约为1.046 kHz.电路适用于对电磁兼容性要求较高的开关电源芯片,具有很强的工程实用性.     

一种低电源电压灵敏度RC振荡器的设计

基于传统RC振荡器的理论分析,采用电阻串分压提供参考电压的方式,设计了一种低电源电压灵敏度的振荡器。基于HHNEC 0.5μm BiCMOS工艺,完成了HSPICE仿真。仿真结果显示,该振荡器输出一个频率为63kHz、占空比为50%的方波信号,当电源电压在4.5～5.5V之间变化时,频率变化范围在±0.52%内,有效降低了电源电压对振荡频率的影响。该振荡器可应用于开关电源芯片。     

一种高精度CMOS带隙基准电压源设计

介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路.该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18 μm CMOS工艺.Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10～120 ℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0～3.6 V内,电源抑制比为69 dB.该电压基准在相变存储器芯片电路中,用于运放偏置和读出/写驱动电路中所需的高精度电流源电路.     

高频高压电源中倍压器的设计

倍压器作为高压电源的重要组成部分对于提高电源的性能具有特殊作用。分析了倍压器相关参数对电源性能的影响规律,用理论分析的方法设计了一种半臂式倍压器,并对其进行了实际测试。仿真与测试结果表明,倍压器参数优化对于电源性能具有显著影响,且实现了倍压器设计的优化。