EDA迎战SoC的对策──访Synopsys公司董事长兼首席执行官Aart De Geus博士

Ｓｙｎｏｐｓｙｓ公司董事长兼首席执行官Ａａｒｔ Ｄｅ Ｇｅｕｓ 博士是位ＥＤＡ业的领军人物，他因把逻辑综合技术从理论转入成功的商业运用．而被列为２０世纪最后２５年中对电子业影响最大的产业领袖之一。７月初，适逢Ｇｅｕｓ博士来华，记者有幸听到了他对ＳｏＣ（系统芯片）时代ＥＤＡ业发展的看法。 问：逻辑综合是Ｓｙｎｏｐｓｙｓ的标志性产品．使贵公司从一家小公司变为业内翘楚。目前公司将主打哪些技术．以保持这种发展势头？ 答：目前虽然整个经济环境慢下来，但Ｓｙｎｏｐｓｙｓ一直发展良好。如今公司３２００人左右，营业…     

用VHDL实现网络码调制算法

网格编码调制（Ｔｒｅｌｌｉｓ Ｃｏｄｅｄ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ，简称ＴＣＭ）是近几年发展起来的数字传输新技术。它利用集分割原理，将信号通过映射变成卷积码形式，使信号间具有最大的空间距离。与传统的ＰＳＫ、ＱＡＭ等数字调制方法相比，ＴＣＭ提高了传输率，降低了误码率。本文用ＶＨＤＬ语言对９６００ｂｐｓ和１４４０ｂｐｓＴＣＭ算法进行了电路描述，并利用Ｓｙｎｏｐｓｙｓ软件对电路进行了模拟和综合。     

新结构高性能In_（0．3）Ga_（0．7）As／In_（0．29）Al_（0．

新结构高性能Ｉｎ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／Ｉｎ_（０．２９）Ａｌ_（０．７１）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ研究证明，ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ的结构优于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和习用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ。在ＧａＡｓ上制备的赝配结构ＨＥＭＴ（ＰＭ－ＨＥ...     

用VHDL实现网格编码调制算法

网格编码调制（ＴｒｅｌｉｓＣｏｄｅｄＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ，简称ＴＣＭ）是近几年发展起来的数字传输新技术。它利用集分割原理，将信号通过映射变成卷积码形式，使信号间具有最大的空间距离。与传统的ＰＳＫ、ＱＡＭ等数字调制方法相比，ＴＣＭ提高了传输率，降低了误码率。本文用ＶＨＤＬ语言对９６００ｂｐｓ和１４４００ｂｐｓＴＣＭ算法进行了电路描述，并利用Ｓｙｎｏｐｓｙｓ软件对电路进行了模拟和综合。     

采用图像抑制有源HEMT混频器的60 GHz MMIC下变频器

采用图像抑制有源ＨＥＭＴ混频器的６０ＧＨｚＭＭＩＣ下变频器（ｌＥＥ１９９４ＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＭＭ．Ｗ。Ｍｏｎｏｌ．Ｃｌｒｃ．Ｓｙｍｐ．）报道，日本ＴａｍｉａＳａｉｔｏ等用ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ工艺技术设计、制作出一种Ｖ波段单片下变频器。...     

半导体和IC

２５ＭｂｏｓＡＴＭ标准收发器查询号２３１美国ＩＤＴ公司推出业界第一个专为２５ＭｂｐｓＡＴＭ网络设计的全面综合化物理层（ＰＨＹ）收发器半导体产品。ＩＤＴ的ＳＷＩＴＣＨＳｔＡＲ系列ＰＨＹ收发．器专为多媒体台式计算机提供经济实惠的高度集成解决方案，使台式计算机能够具备ＡＴＭ的速度及功能，全面支持多媒体电脑软件的运行。而此次推出的ＩＳＴ７７１０５将是ＳＷＩＴＣＨＳｔＡＲ系列的第一款产品。ＩＤＴ７７１０５ＰＨＹ内部具备多项主机应用系统与ＡＴＭ网络之间所需的连接功能，该器件先将收发双向的信息单元格式化，使其…     

MACH5系列新一代高密度可编程逻辑器件

ＡＭＤ公司的第五代高密度可编程逻辑器件ＭＡＣＨ５系列产品，采用先进的０．５　ｍ～０．２５μｍＥＥＣ－ＭＯＳ工艺，是目前最先进的高密度、高性能、低功耗、电可擦除ＣＭＯＳＣＰＬＤ。ＭＡＣＨ５系列器件可广泛地应用于计算机、网络产品、程控交换机、通信产品及仪器仪表等各个领域。本文拟就三个方面介绍ＭＡＣＨ５系列器件的性能特点和开发过程。一、ＭＡＣＨ５系列器件的结构特点与ＭＡＣＨ１～４系列器件相比，ＭＡＣＨ５在结构上有了较大的改进，采用所谓“层次”的结构设备，结构示于图ＭＡＣＨ器件在结构上的共同特点是ＰＡＬ…     

锐意创新的Viewlogic公司

１９９７年底,ＥＤＡ界二家著名公司Ｓｙｎｏｐｓｙｓ与Ｖｉｅｗｌｏｇｉｃ宣布合并,震动了ＥＤＡ界。然而与Ｓｙｎｏｐｓｙｓ公司合并不到一年的Ｖｉｅｗｌｏｇｉｃ公司又脱离了Ｓｙｎｏｐｓｙｓ公司,独立后的新Ｖｉｅｗｌｏｇｉｃ公司怎么样？为此,记者最近采访了Ｖｉｅｗｌｏｇｉｃ北京办事处经理王丽莉小姐。合并近一年后,有着１０几年电子产品系统设计领域丰富经验的Ｖｉｅｗｌｏｇ－ｉｃ,为了能按照自己的技术和产品取向寻求更大发展,在１９９８年１０月２日公司１４周年纪念会上宣布重新独立。Ｓｙｎｏｐｓｙｓ看到了新Ｖｉｅ…     

新闻举要

Ｐｈｉｌｉｐｓ半导体日前与ＴＣＰＣｏｎｎｅｃｔ　ＡＧ公司共同宣布：在世界上首次于一台机顶盒骨实现Ｓｕｎ公司的ＪａｖａＭｅｄｉａ　Ｆａｍｅｗｏｒｋ和Ｊａｖａ智能卡功能。此种先进数字机顶盒命名为ＴＣＰＣｏｎｎｅｃｔＭ@ｇｉｃ　Ｂｏｘ,其核心器件Ｐｈｉｌｉｐｓ半导体的ＴｅｉＭｅｄｉａ“超长指令字（ＶＬＩＷ）”处理器。Ｍｏｔｏｒｏｌａ半导体不久前宣布与ｎＣＵＢＥ合作,以最低价位推出强劲的可伸缩的流动交互式视频解决方案。作为视频服务器技术和解决方案领域的先进开发商,ｎＣＵＢＥ将以其ＭｅｄｉａＣＵＢＥ　４与…     

InP基增强型HEMT

据《ＣｏｍｐｏｕｎｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ》１９９９年第１期报道,Ｉｌｌｉｎｏｉｓ大学、ＮｏｔｒｅＤａｍｅ大学、Ｂｅｌｌ通信研究公司分别报道ＩｎＰ基高性能的Ｅ－ＨＥＭＴ。器件在半绝缘ＩｎＰ衬底上用ＭＯＶＰＥ生长Ｅ－ＨＥＭＴ材料,其结构是：缓冲层为Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ,沟道为２０ｎｍ未掺杂的Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ,５ｎｍ未掺杂的Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８ＡｓＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ隔离层,Ｓｉδ平面掺杂和１２ｎｍ未掺杂Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ肖特基层。器件用隐埋Ｐｔ栅制作,…     

超低电压驱动高速低功耗触发电路

超低电压驱动高速低功耗触发电路据日本《ＮＥＣ技报》１９９４年第４期报道，ＮＥＣ公司开发了一种新的触发电路。该电路中使用了栅长为０．２５Ｐｍ的ＧａＡｓ异质结ＦＥＴ（ＨＪＦＥＴ），用０．８Ｖ的低电源电压首次实现了１０ＧｂＰＳ的高速运作。基本电路为高集成化...     

MBE生长的PM－HEMT结构中深电子陷阱及其钝化／消除

应用ＤＬＴＳ、ＳＩＭＳ和ＰＬ技术详细研究ＭＢＥ生长的ＰＭ－ＨＥＭＴ结构中深能级．样品的ＤＬＴＳ谱表明在ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱，其能级位置分别位于导带下的０．６４ｅＶ和０．７９ｅＶ处．ＳＩＭＳ和ＰＬ谱表明深电子陷阱与ＡｌＧａＡｓ层里的氧含量和光致发光（ＰＬ）响应有直接的联系．它们影响ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的电性能．应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理，结果表明，在一定条件下，ＰＭ－ＨＥＭＴ结构样品里的深电子陷阱能有效地被钝化／消除．     

MBE生长的PM—HEMT结构中深电子陷阱及其钝化／消除

应用ＤＬＴＳ、ＳＩＭＳ和ＰＬ技术详细研究ＭＢＥ生长的ＰＭ－ＨＥＭＴ结构中深能级。样品的ＤＬＴＳ谱表明在ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱，其能级位置分别位于导带下的０．６４ｅＶ和０．７９ｅＶ处。ＳＩＭＳ和ＰＬ谱表明深电子陷阱与ＡＬＧａＡｓ层时原氧含量和光致发光（ＰＬ）响应有直接的联系，它们影响ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的电性能，应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理，     

HEMT器件在非线性模型分析

本文提出了一种新的ＨＥＭＴ器件非线性ＣＡＤ模拟方法，即可以利用ＰＳＰＩＣＥ程序中ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的非线性ＣＡＤ模型对ＨＥＭＴ器件进行非线性模拟，并用实验验证了这种方法的正确性。     

NAB97展出的数字HDTV发射管

本文主要论述了英国ＥＥＶ，美国ＶａｒｉａｎｓＥｉｍａｃＤｉｖｉｓｉｏｎ和ＷｅｓｔｉｎｇｈｏｕｓｅＥｌｅｃ－ｔｒｉｃＣｏｒｐ．以及法国Ｔｈｏｍｓｏｎ四家公司在ＮＡＢ９７展示的数字ＨＤＴＶ发射管最新产品：四极管，ＭＳＲ：速调管，ＳｉＣ固态器件，ＩＤＴ和双端四极管Ｄｉａｃｒｏｄｅ的主要技术性能，同时也介绍了上述五种ＨＤＴＶ发射管在数字ＨＤＴＶ发射机中的应用实例。     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡—倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针将信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为－１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。     

HEMT器件的非线性模型分析

本文提出了一种新的ＨＥＭＴ器件非线性ＣＡＤ模拟方法，即可以利用ＰＳＰＩＣＥ程序中ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的非线性ＣＡＤ模型（Ｓｔａｔｚ模型）对ＨＥＭＴ器件进行非线性模拟，并用实验验证了这种方法的正确性。     

解析SiGe基极HBT模型及其对BiCMOS倒相器电路的影响

解析ＳｉＧｅ基极ＨＢＴ模型及其对ＢｉＣＭＯＳ倒相器电路的影响＝ＡｎＡｎａｌｙｔｌｃａｌＳｉＧｅ－ｂａｓｅＨＢＴｍｏｄｅｌａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｓｏｎａＢｉＣＭＱＳｉｎｖｅｒｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ［刊．英］／Ｌｕ，Ｔ．Ｃ．…／ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅ...     

HDSL在使用中应注意的几个问题

１ＨＤＳＬ技术ＨＤＳＬ（高速率数字用户环路）是一种在一对或一对以上铜线上提供欧洲标准的Ｅ１（２．０４８Ｍｂ／ｓ）或北美标准的Ｔ１（１．５４４Ｍｂ／ｓ）传输的一种技术。ＨＤＳＬ通过先进的调制技术——多电平编码方式（常用的编码方式是２Ｂ１Ｑ或ＣＡＰ等）将...     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡－倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针书信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为—１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。