光学曝光系统

<正> 和一年前一样,一九八六年半导体工业继续陷于不景气之中,八七年的前景如何,现在还不十分明朗,但总的发展趋势不会有大的改观。 作为半导体尖端技术开发和生产技术实用化的前哨战,技术上首先碰到的是微细加工问题,其典型器件就是DRAM。这种格局还将长期地延续下去。目前仍使用硅材料的DRAM,其高集成化的速度一如既往,还将以每三年四倍的增长率发展下去,与之同步前进的微细加工技术目前已达到用1微米设计线宽制做     

光学曝光系统

在集成电路中所采用的元件尺寸,随着器件的逐渐大容量化和高密度化,正在探索微细化这一唯一途径。以MOS存储器为例,现在各公司正批量生产的64KRAM,其图形尺寸由16KRAM时的4—5微米急剧缩小到2—3微米。今后,当进一步发展到256KRAM大量生产时,其图形尺寸将是1.5微米。到兆位时代估计是1微米尺     

光学曝光设备

半导体集成电路的大容量化,高密度化的发展是惊人的。若以存贮器为例,其容量每3～4年增长4倍,采用的图形尺寸每4～5年缩小一倍。随着这一发展,光刻技术也在从光学曝光向x射线、电子束曝光等新的光刻技术的研制方面发展。但是除光学光刻技术之外,其它光刻技术还没有达到大生产的水平。这可能是由设备价格和生产率决定的经济性所致,并且,也由于光学光刻技术本身不断地在改良、发展。在此主要将光学曝光设备的目前情况作一介绍,并展望未来。     

光学投影曝光技术

光学投影曝光是目前 LSI 和 VLSI 中图形复印的主要方法。本文叙述1:1全反射投影曝光技术和缩小投影曝光技术的工作原理、性能、极限和装置,并对这两种方法作一比较。     

光学曝光与X射线曝光的竞赛前景

<正> 微光刻技术已进入亚微米尺寸加工时代,八十年代末即可使高密度集成电路—4兆位动态RAM和1兆位静态RAM存储器付诸生产。对集成密度的需要将要求曝光装置在九十年代就能大批量生产0.5μm及更小线宽的图形。光学曝光具有0.5μm尺寸的生产能力。作为一种适合于大生产用的竞争技术,X射线曝光也进入了实验考核阶段。是否会在九十年代出现一个从光学曝光转向X射线曝光的大突破,就取决于竞争双方各自的技术性能和经济效益了。     

光刻机曝光光学中的概念辨析

归纳解释了光刻机曝光光学中的若干重要概念，例如分辨率、焦深等，详细地阐述了光刻机曝光的原理。考虑到类似概念在不同系统中的含义差别，进行了针对性的辨析。从物理光学层次了解和掌握光刻机曝光的机理。     

国外光学分步曝光技术的新进展

本文从光源波长、照明系统和工艺控制方面介绍了国外光学分步曝光技术的最新进展。着重叙述了世界几大著名光刻设备公司在其研究领域的设计更新和实施效果，展望了光学分步曝光技术在甚大规模集成电路（ＵＬＳＩ）制造中的潜力。     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1）光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术；(2）投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术；(3）接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术；(4）大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5）电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm CMOS器件；进行了50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

远紫外曝光系统

<正> 我所研制的曝光面积φ75毫米的 GK—6型远紫外曝光机,经过在航天工业部第23研究所一段时间工艺考核后,已于1984年底顺利通过鉴定。该机采用了均匀性较高的远紫外曝光系统,在接触曝光面积φ75毫米范围内,可以分辨的最细线条为0.6μ,实用光刻线条可以达到1μ。     

高斯电子束曝光系统

电子束光刻技术是纳米级加工技术的主要手段,在纳米器件加工、掩模制造、新器件新结构加工中扮演举足轻重的角色。虽然现在最先进的电子束聚焦技术可以得到几个纳米的电子束斑,但是由于邻近效应问题,依然很难使用电子束光刻技术得到接近其理论极限的纳米尺度图形,对电子束曝光系统的基本原理及其邻近效应校正技术进行了研究,并得到一些比较理想的曝光结果。     

国外集成电路光学曝光设备的发展与未来

本文以DSW系统为重点,介绍了国外几种集成电路光学曝光设备的近期发展情况;预测了它们的未来。并根据较新资料对过去几年和未来几年的光刻市场情况作了归纳和预测。     

光学曝光用光刻胶的种类及其特性

近年来,人们正议论超大规模集成电路的研制问题。随着集成电路、大规模集成电路加工精度的提高及精细化和高集成化,光刻胶已接近于加工精度极限。目前,4～5微米条宽的加工工艺已经成熟,而且正用于批量生产中,预计今后图形加工技术将稳定地达到2～3微米或更窄的条宽。因此,曝光方式、清洗设备和腐蚀技术等一系列工艺都必须进行改进,以建立起能使分辨率和粘附性都稳定而且     

准分子激光曝光系统研究

本文基于准分子激光曝光系统的特点，对准分子激光束的整形，光束能量分布“均化”，曝光剂量控制，光学材料选取等关键问题，提出了解决的方法。并介绍了一种高均匀性ＫｒＦ准分子激先曝光系统的研制结果。     

电子束曝光多束系统

对电子束曝光直接作图系统最重要的要求就是要增加其生产能力。单束系统中,由于有空间电荷效应,生产能力受到严重影响。本文介绍一种“多束”系统,该系统没有严重的空间电荷效应。研究了这种计划的可行性。     

极端非线性光学：物质的几个光周期曝光

过去１０年,超短脉冲激光技术已取得巨大进展。新型宽带激光介质掺钛蓝宝石［１］、克尔透镜锁模的新型超快锁模技术［２］和用于超宽带色散控制的有效器件啁啾多层镜［３］的发明首次开辟了１０ｆｓ以内激光技术可靠的道路［４］。利用啁啾脉冲放大概念［５］,掺钛蓝宝...     

一种新型的曝光系统

我们应用的各种制版、光刻设备,其目的不外乎将各种掩模图形复制到基片上去。其常用的复制方法,我国目前仍采用光学曝光。无视这一技术对微细图形复印的影响,羌论在国外、国内已经多年了。随着硅片尺寸的不断增大,单元图形尺寸的减小,人们不能不对常规曝光系统进行改革。我们从1976年着手研制新型的曝光系统,并在兄弟厂、所的协助下先后开展了一些工艺实验。这种新型的曝光系统,目前已用于GK—4型光刻机和复印机。     

混合电子束与离子束曝光系统

在扫描束微细加工工艺中,包括抗蚀剂曝光,直接无掩模离子注入和微蚀刻加工,离子和电子起着互补的作用。一台单一的扫描束机,其离子束和电子束如能准确聚焦、相互精确对准是较为有益的。离子束和电子束应有共轴和短距离高分辨率透镜聚焦,这种要求可通过单静电透镜、组合磁和静电透镜得到满足。本文考虑了这些透镜以及组成这些透镜的整个探针形成系统。     

光学无线通信系统

光学无线通信系统或称自由空间激光器技术 ,是用一束激光穿透空气 ,而不是沿着玻璃纤维把信号发送给若干距离外的接收器的无线通信技术。把一台激光收发两用机连接到网络上 ,把该装置瞄向另一幢建筑物中的收发两用机 ,即可完成两个局部网络之间的连接。每一端的收发两用机都是直接插接在局部网络的硬件设备中。与无线电通信线路相比 ,光学无线通信系统无需许可证以获取必要的频段 ,而且不易受到窃听者和电磁干扰的影响。这种技术的特性是 ,它可以在建筑物内部工作 ,把用户和一个局部网络连接起来 ;还可以在校园内的建筑物之间运作 ,目的是把…