He离子注入非晶Fe40Ni38Mo4B18合金的CEMS研究

对非晶态合金Fe_(40)Ni_(38)Mo_4B_(18)在室温下注入了120keV 2.0×10~(18)、2.5×10~(18)、3.0×10~(18)/cm~2三种剂量的~4He~+离子,借助内转换电子穆斯堡尔谱(CEMS)分析方法研究了注入非晶态合金的微观结构变化。结果表明:在注入近表面层,样品密度随剂量而增加;表面受到横向张应力的作用。分析认为,这是由于在注入层产生了He与类空位的复合体气泡结构所致。     

非晶态磁性合金及其应用

本文阐述了非晶态磁性合金的特性及提高磁性能的基本途径,介绍了非晶合金的应用,分析了应用中存在的问题及解决方法。     

离子注入抛光效应的研究

本文对离子注入重要效应之一的抛光效应产生机理、一些试验结果及其在微细加工中的应用做了较深入的探讨。     

多元素离子注入形成表层耐蚀合金的研究

利用透射电镜和能谱仪分析了纯铁注入层的组织结构，并对注入层进行了耐腐蚀性能测试。结果表明；，注入Ｃｒ￣＋、Ｎｉ￣＋、Ｔｉ￣＋有最佳的表面改性效果。     

适用于作磁放大器铁芯的非晶态合金

前言开关稳压器被广泛地用作电子计算机、小型计算机、微型计算机的外部设备和传真、复印机、磁盘等办公室自动化设备以及计量仪器、交通管制设备等的直流稳压电源,现正朝着小型、轻量,高效率,低噪声,高可靠性的方向发展。过去,开关稳压器的开关频率多半在     

C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征

利用离子注入和高温退火的方法在 Si中生长了 C含量为 0 .6 %— 1.0 %的 Si1 - x Cx 合金 ,研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入 C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响 ,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因 .如果注入的 C离子剂量小于引起 Si非晶化的剂量 ,退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与 C原子结合形成缺陷团簇 ,难于形成 Si1 - x Cx 合金 ,而预先利用 Si离子注入引进损伤有利于 Si1 - x Cx 合金的形成 ;但如果注入的C离子可以引起 Si的非晶化 ,预先注入产生的损伤缺陷不利于 Si1 - x Cx 合金的形成 .与慢速退火工艺相比 ,快速     

C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征

利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%—1.0%的Si1-xCx合金,研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因．如果注入的C离子剂量小于引起Si非晶化的剂量,退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xCx合金,而预先利用Si离子注入引进损伤有利于Si1-xCx合金的形成;但如果注入的C离子可以引起Si的非晶化,预先注入产生的损伤缺陷不利于Si1-xCx合金的形成．与慢速退火工艺相比,快速热退火工艺有利于Si1-xCx合金的形成．离子注入的C原子在空间分布不均匀,退火过程中将形成应变不同的Si1-x-Cx合金区域．     

高剂量离子注入的物理效应与计算机模拟

本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＾＋或Ｎ＾＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＭＩ的物理效应及计算机模拟结果；分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制，在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成ＳＩＭＮＩ结构动态模拟程序。实验与模拟结果符合很好，验证了现有的理论模型和程序所作的假设。多次注入与退火会减小ＳＩＭＯＸ上层硅厚度，而增大ＳＩＭＮＩ的上层硅厚度。低能注入可以获得良好的ＳＯＩ材料，而     

砷离子注入的GeSi合金中沉淀相的研究

砷离子注入的ＧｅＳｉ合金中沉淀相的研究范缇文（中国科学院半导体材料科学实验室，北京１０００８３）杂质在ＧｅＳｉ合金中的扩散和沉淀过程仍是目前尚待进一步研究的课题。比如，作为ＧｅＳｉ合金的主要掺杂剂的元素砷以离子形态注入ＧｅＳｉ合金再经热退火，发现其中...     

脉冲化学镀非晶态合金镀层组织结构的研究

本文采用ＴＥＭ和Ｘ射线衍射仪分析研究脉冲化学镀高磷镍合金镀层及经不同温度加热时镀层组织结构的转变。结果表明：脉冲化学镀非晶态镀层组织结构细致，非晶态结构更具无序密堆性，即短程有序的尺度更小；此外，脉冲化学镀非晶态镀层的热稳定性高于化学镀镀层的热稳定性，即晶化温度向高温推移。两种镀覆工艺的镀层经热处理后的时效析出相是一致的。     

氩离子注入硅表面引起氧化增强效应

实验证实了氩离子注入硅表面后在氧化时引起氧化增强效应;在硅表面注入氩离子后,将注入与非注入样品在温度1000℃的炉体中进行干氧、湿氧生长SiO_2,用膜厚测试仪测二氧化硅层的厚度;结果表明,在相同氧化条件下,氩离子注入样品的氧化层膜厚大于非注入样品的氧化层膜厚度。     

使用METGLAS非晶态合金2174A设计高频磁性放大输出调节器

使用ＭＥＴＧＬＡＳ非晶态合金２１７４Ａ设计高频磁性放大输出调节器最近几年，磁性放大输出调节器被普遍地用于转换供电的多输出调节。这些调节器能够极其精确地调节每一个独立的输出，效率高，简单，而且非常可靠。磁放大器尤其适用于输出为一至几十安培的电流，但也用...     

MeV离子注入及其应用

回顾MeV离子注入的发展,可分为三个时期: 1.60年代 (1)首先是核物理学家将~3He离子注入Al[1],而固体物理学家将He离子注入不同半导体研制二极管[2];(2)接着Roosild(1968)[3]和Davies(1969)[4]研究了MeV注入Si的射程分布和电特性,以及Schwuttke及其合作者[5]对MeV注入Si的损伤和退火作了仔细的     

熔体旋淬非晶态Fe—Sm—B合金的磁性研究

研究采用了熔体旋淬技术制备的非晶态Ｆｅ８０－ｘＳｍｘＢ２０合金在温度范围４－３００Ｋ，磁场Ｈ〈１６ＫＯｅ情况下的磁化现象和磁性能，这里Ｏ≤Ｘ≤１６。随着Ｓｍ含量增大，４Ｋ时的磁矩和居里温度降低。Ｓｎ的有效磁矩约为０．３μＢ。我们根据不规则磁各向异性模型分析了４Ｋ时的结果，并由矫顶力的分析得到局部不规则各向异性常数ＫＬ。     

强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算

本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10~(15)/cm~2·s时,对于一般的散热系统来说(传热系数H≈2×10~(-2)W/cm~2K),温升效应将是严重的。恒流、脉冲、扫描三种注入方式比较起来,以扫描注入的温升和温度波动为最严重,恒流注入为最低。目前,在低束流情况下,大多采用热靶(400—700℃)来制造 SIMOX或SIMNI材料,本文的计算结果指出,当剂量率超过8×10~(14)/cm~2·s时,晶片温度将超过1000K(H取2×10~(-2)W/cm~2K),这时将没有必要再用热靶,用室温靶就能满足温度要求。本文给出的理论计算方法对其它材料(如金属、陶瓷等)仍可应用。     

浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应

利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱（ＭＱＷ）激光器外延结构实施浅注入,经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火,结构的光致发光（ＰＬ）峰值波长蓝移了７６ｎｍ,所作宽接触激光器的激射波长蓝移了７７．９ｎｍ．发现具有应变结构的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ,在较低的诱导因素作用下即可产生较大的量子阱混合（ｉｎｔｅｒｍｉｘｉｎｇ）效应     

高能离子注入硅中自由载流子的等离子效应的光学响应研究

将能量分别为３ＭｅＶ或５ＭｅＶ，剂量为１×１０１６ｃｍ－２的砷离于注入＜１００＞硅单晶，经１０５０℃，２０ｓ退火形成导电埋层．本文分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学５向应．在５００─４０００ｃｍ－１波数范围的红外反射谱中观测到由自由载流子等离子体效应所致的干涉现象．应用计算机模拟红外反射谱获得了导电埋层中的载流子分布，迁移率和高能注入离子的电激活率．