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TiO_2基功能复合材料的研究 总被引:10,自引:4,他引:6
从材料设计的角度出发,比较了一般压敏陶瓷、电容器陶瓷与电容-压敏功能复合材料的异同。通过Nb_2O_5的施主掺杂控制材料的晶粒电阻率,研究了其他掺杂物如MnO_2、Bi_2O_3、Pb_3O_4、BaCO_3及烧成制度对材料性能的影响,制得了性能优良的功能复合材料。 相似文献
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本文提出了一种新型的低压高能氧化锌压敏电阻器的制造方法。研究了它的微观结构和导电机理,根据理论分析提出了改进元件性能的材料组分和工艺措施。 相似文献
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一种新型电阻元件—氧化锌陶瓷电阻器 总被引:3,自引:0,他引:3
氧化锌陶瓷电阻器是由ZnO晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体,无高阻晶界层,具有线性的电压-电流特性,电阻率可调,电阻温度系数小且为正,耐浪涌能量大。本讨论了氧化锌陶瓷电阻器的性能,以及性能与配方、工艺的关系,探讨了氧化锌陶瓷电阻器的微观结构和导电模型。 相似文献
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结合现有ZnO压敏电阻器生产工艺条件,就传统的瓷片烧成工艺进行重大改进,寻找到一种较为优越的、新颖的瓷片烧成方法─-“立烧”。此工艺有效地提高了匣钵的空间利用率,产品电性能一致性明显提高,降低了产品破损率,简化了工艺。 相似文献
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基于典型的陶瓷工艺制备试样。压敏陶瓷可视为双向导通的二极管,将适用于齐纳二极管的半导体理论应用于TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷。测量了低压下的电流-电压(I-V)特性,根据lnJs与E1/2关系曲线的拟合直线的的截距得出了TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷的势垒高度。 相似文献
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以TiO2为原材料,制备了具有压敏–电容复合功能的TiO2系压敏陶瓷材料。通过测试典型样品的V-I特性、D-f特性、电容特性及复阻抗频率谱,研究了不同掺Sr量的TiO2系压敏陶瓷材料的相关电学性质。实验结果表明,掺Sr量在强烈影响材料压敏性能的同时,对材料的电容特性也会产生较大影响。在掺Sr量为x (Sr)=0.6%时,样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为55 V/mm,a可达到5,1 kHz下损耗为0.1,相对介电常数可达2.8?05。 相似文献
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CeO_2掺杂对Nb-TiO_2系压敏陶瓷电性能的影响 总被引:2,自引:3,他引:2
在x(CeO2)为0~1.5%的范围内改变其掺杂浓度,研究了CeO2添加剂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响。电性能测量和扫描电镜观察的结果表明:在Nb-TiO2系压敏陶瓷中,CeO2的主要作用是促使微观结构的均匀化,与Ti、Si固溶形成第二相,提高非线性,同时第二相的浓度对压敏电压的高低起着决定性作用。当x(CeO2)为0.4%时,可以得到晶粒大小均匀,瓷体结构致密,压敏电压约为15 V/mm及其它综合指标优良的低压压敏电阻。 相似文献
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采取通用的陶瓷工艺,按配方(摩尔分数)TiO2+0.3%(BaCO3+Bi2O3)+0.075%Ta2O5+x%SiO2,其中x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,制备试样。经过R-f,C-f和I-V测量,研究了SiO2对(Ba,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响。结果表明:当x=0.3时,压敏电压最低(E10mA为8V.mm–1),电容量最大(C为30pF,1kHz)及晶粒电阻最小(1.4?)。 相似文献
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研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷显微结构、晶界势垒结构和电学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)测试了不同烧结温度对TiO2陶瓷的显微结构;根据热电子发射理论,采用电学性能数据计算了不同烧结温度的晶界势垒结构;讨论了显微结构和势垒结构对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响。实验结果表明:烧结温度必须高于致密化的初始温度,但烧结温度过高会形成大量氧空位而在晶粒中形成气孔,影响显微结构的均匀性和致密性,较适合的烧结温度为1 350℃。随烧结温度的增加,TiO2压敏陶瓷的晶粒尺寸长大,Nb5 的固溶度增加,势垒高度与势垒宽度增加,压敏电压降低,而非线性系数和介电常数增加。 相似文献
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