半导体物理

Y98-61442-393 9907332采用有图微通路插人物的高密度多层衬底=Highdensity multilayer substrates using patterned microvia in-terposers[会,英]/Matijasevic,G.& Gallagher,C.//1998 IEEE Aerospace Conference Proceedings.Vol.1 of5.—393～398(PV)     

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Y2002-63079-488 0212668数字库注入衬底噪声模拟=Modeling of substrate noiseinjected by digital libraries[会,英]/Zanella,S.& Ne-viani,A.//Proceedings of the 2001 IEEE 2nd Interna-tional Symposium on Quility Electronic Design(IEEEISQED 2001).—488～492(PE)     

半导体物理

010195像散透镜对高斯光束的变换特性[刊]/季小玲//强激光与粒子束.—2000,12(4).—397～400(D)基于广义惠更斯-菲涅尔衍射积分.并考虑了像散的影响,对高斯光束通过像散透镜后的传输特性作了解析研究.以光束传输因子和桶中功率为参数分析了像散高斯光束的光束质量.并以数值计算例子加以说明。参5SPIE-Vok.3631-3 0101955光电子学应用与基础结构(含3篇文章)=Session 1:optoeleetrortics applications and infrastructure[会,英].—3～26(PC)     

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Y98-61420-16 9913104适于多兆比特网络业务的半导体技术=Challenges insemiconductor technology for multi-megabit network ser-vices[会,英]/Nakamura,M.//1998 IEEE InternationalSolid-State Circuits Conference(Technical Digest).—16～21(HG)     

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IELDVD060:9322:29630-157 0600392 采用TiN门电路的HfSiON PMOSFET的热载流子置信度=Hot carrier reliability of HfSiON PMOSFETs with TiN gate[会,英]／Sim,J．H．／／Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits,2004．IPFA 2004．Proceedings of the 11th International Symposium on the．- 157-160(A) Study of the hot carrier(HC)stress of short channel PMOSFETs with the HfSiON gate dielectric and TiN gate electrodes demonstrated greater degradation of high-     

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0622894量子信息中量子态的矩阵表示[刊,中]/张登玉//衡阳师范学院学报．—2006,27(3)．—26-31(G)用矩阵表示量子信息中的量子态便于进行量子并行计算。本文以矩阵及变换理论为基础,对纯态、混合态、缠绕态及量子相干叠加态的矩阵表示进行分析,所得结果有助于加深理解量子理论。参10 0622895抛物量子点中弱耦合束缚磁极化子的性质[刊,中]/陈英杰//固体电子学研究与进展．—2006,26(2)．—152- 156(D)采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物量子点中弱耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量,并对其进行了数值计算。结果表明：束缚极化子的振动频率随有效受限长度的增加而减小,随库仑束缚势和回旋共振频率的增加而增加；束缚磁极化子的基态     

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Y2002-63306-314 0307140N 型与 P 型磷化铟表面受 Franz-Keldysh 效应的影响=Influence of a surface on the Franz-Keldysh effect inN-and P-type Indium phosphide[会,英]/Sakai,M.&Kurayama,T.//2001 IEEE International Conference onIndium Phosphide and Related Materials.—314～317(E)     

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Y2000-62067-106 0009248用传输电子显微术确定量子点轮廓=Transmissionelectron microscopy determination of quantum dot profile[会,英]/Liao,X.Z.& Zou,J.//1998 IEEE Interna-tional Conference on Optoelectronic and MicroelectronicMaterials and Devices.—106～108(EC)     

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0309472一维有限超品格的电子态与透射问题的转移矩阵方法研究[刊]/廖清华//发光学报.—2003,24(1).—39～43(E)采用转移矩阵方法,研究了一维有限超晶格的电子态与透射问题。计算了一维有限超晶格含单个缺陷层或少量缺陷层的透射谱和波函数,以及当电子被束缚在一维有限超晶格中电子的本征值和相应的定态本征函数。给出的方法对于研究电子通过任意排列的一维有限超晶格的输运具有普适性。参10     

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Y2002-63302-132 0305076无定形硅氧氮化物的电介质陷阱=Dielectric traps inamorphous silicon oxynitride[会,英]/Wong,H.//2001IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting.—132～139(E)     

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Y2000-62027-233 0005638热载流子(收录论文6篇)=Hot carriers[会,英]/1999 IEEE International Reliability Physics Symposium.—233～262(UC)收入本部分的论文题目有:在模拟工作条件下大倾角离子注入漏 n 型 MOS 场效应晶体管的热载流子退化与沟道长度的关系,在模拟工作条件下 MOS 晶体管的低频噪声的热载流子退化,热载流子可靠性模     

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N2002-07534 0210592电子情报通信学会技术研究报告:电子器件ED2000-162～168(信学技报,Vol.100,No.369)〔汇,日〕/日本电子情报通信学会.-2000.10.-42P.(L) 本文集为化合物混晶半导体器与材料专辑,收录的7篇论文主要涉及:半导体微型结构分析与物理性     

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Y2002-63209-118 0311937信息时代的模拟设计=Analog design in the informationage[会,英]/Gilbert,B.//2001 IEEE Proceedings of the2001 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meet-ing.—118～123(TE)0311938调制掺杂型异质结动力学及其控制(刊)/李国辉//上海大学学报(英文版).—2003,7(1).—68～72(E)     

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Y2001-62791-204 0118420具有敏感性分析的量子栅极泄漏电流核建模=Nucle-ar modeling of quantum gate leakage currents with sensi-tivity analysis[会,英]/Schoenmaker,W.& Magnus,W.//2000 IEEE International Conference on Simulationof Semiconductor Processes and Devices.—204～209(EC)     

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0603288 BLAST MIMO系统载流子频偏估计=Carrier frquency offset estimation in BLAST MIMO systems[刊,英]／M． A．McKeown,D．G．M．Cruickshank／／Electronics Letters.-2003,39(24)．-1752(E)     

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0617058Ta2O5/ZnO绝缘体-半导体界面研讨=Investigationson Ta2O5/ZnO insulator-semiconductor interfaces〔刊,英〕/S.K.Nandi,W.-K.Choi//Electronics Letters.—2002,38(22).—1390(E)0617059ZnO同质p-n结的研究〔刊,中〕/杨晓杰//真空科学与技术学报.—2006,25(增刊).—101-104(L)调节反应气体中O2的比例和RF电源的功率可以增加本征施主V0的形成焓,降低本征受主Vzn和Oi的形成焓,制备出p型ZnO薄膜;采用掺杂金属Al制备出低电阻n型ZnO薄膜,在此基础上得到性能可观的ZnO同质p-n结。参250617060DMCPS电子回旋共振等离子体沉…     

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Y2001-62925-185 0208110浅掺杂对多级深掺杂稳态概率函数的影响=Iuflueuceof shallow impurity on steady-state probability function ofmultilevel deep impurity[会,英]/Divkovic Puksec,J.//2000 IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference,Vol 1 of 3:Regional Communication and InformationTechnoloy.—185～188(E)     

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Y98-61303-3 9904478多媒体:半导体技术的前景及影响=Multimedia:futureand impact for semiconductor technology[会,英]/Sasak-i,H.//1997 IEEE International Electron Devices Meet-ing.—3～8(AG)     

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Y99-61712 99150621998年 SPIE 会议录,卷3277:半导体中的超速现象=1998 proceedings of SPIE.Vol.3277:Ultrafast phenom-ena in semiconductors[会,英]/SPIE-the InternationalSociety for Optical Engineering.—Bellingham,WA,1998.—316P.(EG)本会议录报道了在1998年1月28日至29日在美国圣何塞市召开的半导体中超速现象专题研讨会上发表的34篇论文。主要涉及半导体和超晶格中的相干效应;体与低维量子结构中超速光处理,超块激光与器件,半导体、超晶格和微空腔中非线性动态响应等内容。     

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Y2000-62422-48 0103656高剂量 SIMOX 硅片 SOI-BOX 界面局域能量陷阱态分析=Evidence of energetically-Localized trap-states at SOI-BOX interface in high-dose SIMOX wafers[会,英]/Ushiki,T.& Kotani,K.//1999 IEEE InternationalSOI Conference Proceedings.—48～49(EC)Y2000-62422-52 0103657绝缘体上硅 MOS 场效应晶体管中的栅极二极管:用