FIatPower封装的MEGA Schottky整流器

Flat Power封装的MEGA Schottky整流器,包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果,新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品具有卓越的前向压降,可以允许50A的峰值电流和高至1W的Ptot功率耗散。SOD123W的尺寸为2．6mm×1．7mm×1mm,SODl28的尺寸则为3．8mm×2．5mm×1mm。     

SOD123W／128-MEGA Schottky整流器

恩智浦半导体宣布推出全新FlatPower封装的MEGA Schottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果，新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降，可以允许50A的峰值电流最峰和高至1W的Ptot功率耗散。     

恩智浦推出新型FIatPower封装的整流器

恩智浦半导体近日宣布推出全新FlatPower封装的MEGASchottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果，新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降，可以允许50A的峰值电流最峰和高至1W的Ptot功率耗散。     

恩智浦推出FlatPower封装的MEGA Schottky整流器

恩智浦半导体（NXP）近日宣布推出全新FlatPower封装的MEGASchottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果，新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降，可以允许50A的峰值电流最峰和高至1W的Ptot功率耗散。     

NXP推出FlatPower TVS二极管产品线

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出35个采用2引脚FlatPowerSOD128封装(3.8 mm×2.5 mm×1 mm)的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制(TVS,Transient Voltage Suppressor)二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600 W额定峰值脉冲功率(10/1000μs)TVS二极管的厂商。市场上的600 W TVS产品仅有采用例如SMA或SMB这样较大尺寸的封装。新型SOD128 FlatPower封装兼容SMB引脚,可与后者1:1替换,从而在为工程师提供最佳功率性能的同时还节省了PCB空间。     

安森美低厚度SOD-123FL封装

安森美半导体为TVS元件和肖特基二极管系列推出低厚度SOD-123FL封装。SOD—123FL封装器件可直接替代电路板中的SOD-123(JEDEC DO219)封装器件。SOD-123FL封装的W／mm^2热性能比SOD—123提高达149％，比SMA提高达90.5％，比PowerMite提高达26.5%。SOD-123FL厚度（最大为1mm）比标准SOD-123封装低25%，     

超小封装600W TVS二极管

该系列产品采用2引脚FlatPower SOD128封装（3.8mm×2.5mm×1mm）,是业界首个采用小型塑料SMD封装并提供600W额定峰值脉冲功率（10/1000μs）的TVS（Transient Voltage Suppressor,瞬变电压抑制）二极管。这种SOD128 FlatPower封装兼容SMB引脚,可与市场上已有的TVS二极管1：1替换。SOD128不含卤化物和锑氧化物,符合非易燃性分类规范UL 94V—0和RoHS标准。     

恩智浦扩展FlatPowerTVS二极管产品线

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出35个采用2引脚FlatPower SOD128封装（3．8mm×2．5mm×1mm）的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制（TVS,Transient VoltageSuppressor）二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600W额定峰值脉冲功率（10／1000μs）TVS二极管的厂商。     

0．37mm超平封装肖特基整流器

DFN1608D-2（SOD1608）是一款面向移动设备市场的新一代低VF肖特基整流器，塑料封装的典型厚度仅为0．37mm，尺寸为1．6mm×0．8mm，是市场上支持最高1．5A电流的最小器件。     

高浪涌能力FlatPower封装的TVS二极管

SOD123W TVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率(10/1000μs),单位PCB面积的浪涌能力约为67W/mm2。该二极管旨在保护电压     

封装与互连

低厚度SOD-123FL封装SOD-123FL封装器件可直接替代电路板中的SOD-123封装器件,热性能比SOD-123高149%,比SMA提高达90.5%,比PowerMite提高达26.5%。SOD123FL厚度(最大为1mm)比标准SOD123封装低25%或以上。SOD-123FL封装允许低正向电压。附带线夹的内部设计提供了优秀的浪涌电流能力,采用100%锡(Sn)涂覆所有外表电镀面,回焊温度为260℃,达到1级潮湿敏感度等级(MSL),与现有回焊工艺逆向相容。ON Semiconductorhttp://www.onsemi.com集成电容的D型头D型头集成了1.3～100nF的滤波电容,采用707VDC的标准电压,高压型号的电压为1…     

TRIANGLE ANTAL 30th Anniversary限量版落地式音箱

●扬声器结构：三路／低音反射●灵敏度《dB／Wm）：91dBO频率范围（±3dB）：40Hz～20kHz●正常功率：120W●最小阻抗：40●尺寸（H×W×D）：1080mmX200mmX355mm●重量：225kg     

光电器件

3W紧凑型高亮度LED尺寸为5mm×4mm×1.85mm的紧凑型3WLEDASMT-Jx3x采用小尺寸SOP封装,有165°宽广的视角、符合MSL-1湿度敏感度等级和可靠度,适合     

高浪涌能力FlatPower封装的TVS二极管

SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000μs），单位PCB面积的浪涌能力约为67W／mm2。该二极管旨在保护电压敏感元件免受瞬时电压影响，适合电源、数据或信号线路、医疗设备及电信电路等各种电子应用。它符合苛刻的AEC-Q101标准，可以用于所有汽车电子和工业应用。     

PMEG2005BELD：肖特基整流器

恩智浦半导体推出采用1．0mm×0．6mm×0．37mm超小扁平SMD塑料封装DFN1006D-2（SOD882D）、能效比较高的肖特基整流器。     

SiA447DJ／Si5429DU：功率MOSFET

VishayIntertechnology推出采用热增强型2mmX2mmPowerPAKSC．70封装的单路12V器件SiA447DJ,以及采用3mmX1．8mmPowerPAKChipFET封装、高度0．8mm的单片30V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFETGenIII系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4．5V下具有相应外形尺寸产品中较低的导通电阻。     

DFN1006B．3产品组合：晶体管

恩智浦半导体扩大了其超小型分立式薄型无引脚封装DFNl006B-3（SOT883B）的晶体管产品阵容。目前,恩智浦提供60款双极性晶体管（BJT）和12款小信号单NIP沟道MOSFET产品,均采用1mm×0．6mmX0．37mmDFN塑料SMD封装。     

变压器：LAN用小型SMD脉冲变压器的开发与量产

行业最小尺寸3．2mm×3．2mm×2．8mm。与以往产品相比体积和封装面积分别减小30％凭借自动卷线工法，实现质量稳定。     

非真空制冷型红外探测器小型化封装技术

基于红外探测系统对小体积制冷型红外探测器的应用需求,提出了一种新型非真空制冷型红外探测器小型化封装技术.阐述了其结构和工艺设计要点,实现了组件封装并通过耦合J-T制冷器进行了相关性能测试.结果 表明,本文所述的设计方案可实现128×128元(15 m) InSb芯片封装,组件尺寸小于等于Φ20 mm×15 mm,重量约...     

MTC75／MTC150：COTS DC／DC转换器

XP电源推出用于军事的板级封装DC／DC转换器MTC75和MTC150系列。75W和150W两种模块,采用单或双输出紧凑封装,尺寸大小为61mm×57.9mm×17.3mm。作为COTS产品,它们通常现货供应,价格比传统的军事指定规格电源更具竞争力。