共查询到20条相似文献,搜索用时 64 毫秒
1.
2.
在简要回顾了我国红外探测器材料的发展历史后,着重叙述了近十多年来作为两种主要探测器材料的锑化铟和碲镉汞的研制概况,尤其后者,介绍了它的主要研制技术和国外的研制水平,以资比较。 相似文献
3.
采用叠盖电极的高性能光导HgCdTe红外探测器 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍叠盖电极探测器的物理机理和结构,与标准结构探测器比较,其响应率和黑体探测率均有大的增长,实验结果表明响应率增长约1倍,赤体探测率增主30%。无需改变现有工艺,成功制备实用工程探测器,性能明显提高。 相似文献
4.
简要介绍利用不同波段的微型滤光片和不同响应波段的多元HgCdTe红外探测器,叙述了通过精密镶嵌技术组合而成的四波段215~225μm、84~89μm、103~113μm和115~125μm88元多元多色探测器的设计原理和特性,以及多元多色探测器的组合工艺,并给出了各个通道的响应光谱特性和探测器的工作性能。研制成功的88元多色红外探测器每个通道的平均探测率和响应率分别为:D2.15~2.25=1.2×1012cmHz1/2/W和R2.15~2.25=5.0×106V/W,D8.4~8.9=7.0×1010cmHz1/2/W和R8.4~8.9=1.6×104V/W,D10.3~11.3=4.0×1010cmHz1/2/W和R10.3~11.3=4.3×103V/W,D11.5~12.5=3.0×1010cmHz1/2/W和R11.5~12.5=3.3×103V/W,文中对这些结果进行了分析和讨论。 相似文献
5.
6.
7.
少数载流子寿命是长波红外HgCdTe材料的重要性能参数。从大量实际数据统计中发现长波红外n型HgCdTe材料的液氮温度电阻和室温电阻的比值与材料载流子寿命有定关系,电阻比值在2 ̄6之间有较大的载流子寿命值,而电阻比值大于10的寿命值较小。 相似文献
8.
9.
PC型HgCdTe探测器的记忆效应 总被引:11,自引:0,他引:11
通过测量PC型HgCdTe探测器的动态响应,发现在工作温度(77K)下,激光辐照后,探测器的电导率产生改变(记忆),电阻变化率提高,这种现象在工作温度下能长期保持。当升温(至室温)后,记忆功能消失。本文对这种现象进行了多方面的实验研究和机理的分析。 相似文献
10.
11.
报道了HgCdTe光导探测器光电参数随温度变化的关系,重点描述了光谱响应变温测试,给出了HgCdTe器件从液氮到室温 之若干个不同温度点测试的光谱响应曲线及器件变温测试的性能参数对照表,并与经验公式计算结果进行对比,给出了相应的测试误差分析。 相似文献
12.
试图从分析工外探测器组件的组成及其可靠性因素入手,以60元PC-MCT探测器组件为例,介绍了 几种可靠性指标分配方法和相应的结果,并分别做出评估。 相似文献
13.
14.
提出了一种内调制红外探测器组件.它可将恒定入射的红外辐射信号转变为交变的电信号输出,而没有通常红外探测系统的调制盘等机械装置,可以简化探测系统,提高可靠性,有利于后级进行交流放大.初步测试表明,在约5μW红外辐射功率下,用MCT做探测单元的内调制红外探测器组件可输出峰值电压约65mV的交流电信号,其比探测率略高于为5×109cm·W(-1)s(-1/2)。 相似文献
15.
16.
本文就InSb单晶红外探测器中剩余少子分布进行二维数值分析。文中采用拓扑有限元法,得出非平衡载流子扩散方程的拓扑有限元模型。重点分析在均匀光照情况下,表面复合速度和扩散系数对光伏式二极管短路工作时光电流的横向效应的影响。 相似文献
17.
HgCdTe红外探测器性能分析 总被引:2,自引:2,他引:2
根据碲镉汞材料的性能、碲镉汞红外探测器物理机理和基本器件模型,对截止波长为3 m、5 m、10.5 m的碲镉汞探测器,在不同工作温度下的探测率性能进行了理论计算。计算结果表明:碲镉汞探测器在短波、中波和长波三个主要红外波段均能满足第三代红外焦平面器件对灵敏度和工作温度的要求。 相似文献
18.
光刻是制备碲镉汞红外探测器芯片过程中非常关键的工艺。目前绝大部分碲镉汞芯片制备都是使用接触式光刻技术,但是在曝光面型起伏较大的芯片时工艺均匀性较差,并且掩膜在与芯片接触时容易损伤芯片。针对接触式光刻的这些缺点,利用尼康公司生产的缩小步进投影光刻机开发了用于碲镉汞芯片的步进式投影曝光工艺。对设备的硬件和软件均进行了小幅修改和设置,使其适用于碲镉汞芯片。经过调试后,缩小步进投影光刻机在某些面型起伏较大的芯片上取得了更好的曝光效果,光刻图形的一致性得到了提升。实验结果表明,缩小步进投影光刻技术能够提高碲镉汞芯片的光刻质量,并在一定程度上改善了芯片制备工艺。 相似文献
19.