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本文总结了用扫描电子显微镜对激光玻璃、激光晶体、激光薄膜、半导体激光器等激光材料和元件进行观察与分析的初步结果,讨论了扫描电子显微镜在激光领域中的其他一些可能的应用。 相似文献
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本文总结了我们在激光晶体、激光玻璃、激光窗口材料和非晶态金属等新材料研究中应用国产DX-3型扫描电镜所取得的初步结果。 相似文献
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一、前言近年来,利用扫描电子显微镜(SEM)和扫描透射电子显微镜(STEM)研究结型半导体器件和发光器件(包括表面势垒型器件)方面有了很大的发展,特别是研究器件中的单个结构缺陷,微区光电性质和能级结构方面,展现了广阔的前景,证实了它是极有效的工具之一。SEM是利用一极细的高能电子束轰击样品,激发产生多种信息,将这些信息分别收集并加以恰当地利用,便可以反应器件的各种物理性质。对于半导体器件,高能电子束 相似文献
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扫描电子显微镜(SEM)作为一种行之有效的科研分析工具,可对多种植物材料的表面形貌进行观察研究,具有较广的应用范围.本文论述了扫描电子显微镜样品的制备以及在植物花器官、种子表皮、种子形态、叶片表皮、内含物、病原体以及在植物细胞水平的研究进展,并对今后扫描电子显微镜的应用前景进行了展望,以期为利用SEM从事植物研究的科研... 相似文献
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用普通扫描电子显微镜 (SEM)只能观测样品的表面形貌 ,不能观测到隐藏在表面绝缘层下面的半导体材料和集成电路的微结构。在普通的SEM中安装了我们研制成功的透表面检测仪后就可以突破普通的SEM只能观测样品表面形貌的限制 ,透过表面绝缘层透视到下面的半导体材料的缺陷和集成电路的微结构。我们在本文中首次公布用改装的SEM观测到该绝缘层下面的半导体材料缺陷的微结构 (图 1 )。在研制和生产多层结构的集成电路时 ,在两层电路之间要制作一层SiO2 来作绝缘层 ,在制作好的集成电路表面需要制作一层SiO2 和Si3N4 组成的… 相似文献
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确定水中尸体是溺死 (生前入水 )或非溺死 (死后入水 )是刑事侦察的一个特别环节 ,通常用检验尸体内脏器官有无硅藻 (水中的浮游生物 )来判断 ,因其误差大、准确性差 ,常常给工作带来困难 ,准确解决水中尸体是否生前入水是一个世界级的难题。本文用环境扫描电子显微镜成功解决这一难题 ,准确度达到 1 0 0 %。在实际案件中使用效果很好。材料与方法参照硅藻检验方法解剖尸体 ,取尸体的肺脏 ,肾脏 ,心脏 ,肝脏。取肺时先用缝线结扎气管 ,防止异物进入肺组织 ;肾脏连包膜一起取下 ,用干净容器装标本 ,将标本用 1 0 %中性福尔马林(分析纯 )固定 … 相似文献
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本文报告了使用国产TSM—1型扫描电镜观察到了柞蚕茧丝离子刻蚀前、刻蚀后的表面形态结构。电镜下显示,柞蚕茧丝是由两根扁平的单纤维组合而成,表面有不少纵线互相交织,并附有不少粒状的结晶物。两根单纤维有平行排列的,也有非平行排列的。单纤维的横截面形状不很规则,但多数近似为三角形。由于两根单纤维在茧丝中的排列位置经常改变,使茧丝的横截面形状也常有变化,大多为扁平的椭圆形,有时也近似于三角形。离子刻蚀后,在柞蚕茧丝纵向可以看到它的巨原纤的排列基本平行丝轴,且有层状排列结构。巨原纤的直径约为0.1—2μm左右,如照片所示。 相似文献
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扫描电子显微镜在煤岩学上的应用 总被引:4,自引:0,他引:4
煤作为一种固体可燃有机岩,是我国长期依靠的重要能源。作者总结多年扫描电子显微测试分析工作,将扫描电镜在煤岩学上的应用大致归为以下几个方面。 相似文献
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扫描电子显微镜测试技术在岩土工程中的应用与进展 总被引:9,自引:0,他引:9
综述了扫描电子显微镜(SEM)测试技术在岩土工程中的若干进展,包括样品的制备及测试方法,微观结构变化的动态监测方法,扫描电子显微镜的定量分析技术,微观力学本构模型的研究等方面。就SEM应用现状及发展趋势作了评述。 相似文献
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环境扫描电子显微镜中的电子传输 总被引:1,自引:1,他引:0
早期Ardenne等人用对电子透明的薄膜将TEM的样品封装起来 ,使其与真空隔离 ,达到了检测生命物质、活体孢子和化学反应的目的。现在环境扫描电镜ESEM成为在气体环境中 (压力可以达到一个大气压 )检测样品表面的另一种强有力手段。由于ESEM的加速电压相对较低 ,而电子要从高真空区域 ,经过压差光阑和低真空区域 ,才有可能最终到达样品表面。所以在设计和应用中 ,尽量创造良好的电子传输条件是非常必要的。分析 :钨灯丝ESEM的真空系统由图 1表示 ,图中的两只压差光阑PLA1和PLA2 ,使样品室、一级和二级抽真空系统的… 相似文献
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本文着重用SEM对不同的碳酸盐类的岩石结构及其模拟溶蚀后的特征作了对比研究,并探讨了它们的地质意义。石灰岩类是指方解石含量占50%以上者。其溶蚀后的结构特征随方解石和其所含杂质的含量、杂质类型以及原始结构而定。杂质<10%的石灰岩溶蚀后呈不均一的网络状溶孔和溶隙(照片1)。洞、隙连通性较好,易于地 相似文献
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中子嬗变掺杂(NTD)硅单晶具有轴向和径向电阻率均匀、掺杂目标电阻率精确及无微电阻率结构等重要特点,用这种材料制得的高压整流元件具有雪崩特性好、电压分散小、等级合格率高和过载能力强等电学特性。本文用扫描电子显微镜的束感应电流(EBIC)象和吸收电流象(AEI)分别观察了NTD硅单晶和区熔硅单晶高压整流元件PN结的平整度、结深、耗尽区内的缺陷特征及其分布和少子扩散长度的变化,从而直观地显示出它们的电学特点。 相似文献