热门光电子技术——OEIC和PIC

光电子集成和光子集成(OEIC和PIC)技术是当今的热门技术,它们借鉴并发展了电集成的许多概念和方法。先从分离的光学、电子器件和简单功能的OEIC开始,再发展到多功能的超大规模OEIC。OEIC与IC的重要区别是:OEIC除了控制不同元件之间电子流动外,还必须控制光子流动。OEIC是以高频率的光波作为载波,因此不仅具有功能强、体积小、重量轻、功耗小、工作稳定可靠、成本低、便于大规模生产等IC的一般特点外,还具有响应速度快、频带宽、光并     

前言北大核心

随着光子技术在光纤通信、微波光子学、激光雷达、量子信息处理等领域的广泛应用,光子和光电子集成的重要性日益突显,成为解决相关应用面临的体积、功耗和成本瓶颈的关键。实际上,早在20世纪60年代就提出了集成光学的概念。受到集成电路(IC)技术的启发,提出了光子集成回路(PIC)和光电集成电路(OEIC)的概念,期望通过集成技术来增强光电子器件的性能,减小体积和功耗,并提高可靠性。然而,相比于集成电路芯片的迅猛发展,光子和光电子集成由于面临材料和工艺等一系列挑战,直到近十余年才实现突破。目前,大规模光子集成技术正在逐渐走向实用化。     

Si基高速0EIC光接收机芯片的研究

Si基光电子集成(OEIC)光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究现状，分析了其发展趋势，探讨了进一步提高性能的途径。     

强劲增长的OEIC市场

由于光纤通信技术的飞速发展和庞大的通信市场需求,把光学和电学功能集成在同一个衬底上的器件极受欢迎。随着Si和InP、GaAsⅢ-V族材料技术和器件制作工艺技术的发展,使制作各种复杂功能的高性能半导光电子集成器件和组件成为可能,相继出现了发射模块、接收模块和收发模块等光电子集成电路(OEIC)。把光学部件、     

SOI集成光电子器件

Silicon-on-insula tor(SOI)集成光电子器件的工艺与标准CMOS工艺完全兼容,采用SOI技术可以实现低成本的整片集成光电子回路。文章回顾了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展。     

半导体光集成电路

半导体光集成电路(PIC)是光电子集成电路(OEIC)的一个分支,它侧重于光学互连的导波光电子器件的单片集成。由于Ⅲ-Ⅴ族材料外延晶体生长和相关工艺技术方面的进步,这一研究领域最近取得明显进展。本文讨论了集成有源和无源光波导的某些必要技术,并介绍了几种典型器件。     

InGaAs(P)/InP光电子集成(OEIC)器件的研究与进展

单片集成光电子器件是采用光电子集成(OEIC)技术,将集成光路与集成电路融合为一体的一种器件,以完成发射、接收等特定的电路功能.本文着重于1.0～1.6μm波长范围的单片集成先电子器件,简要介绍目前正在广泛研究的OEIC的结构类型及其性能水平,讨论有关的材料生长技术和某些关键的工艺技术问题.     

光集成的研究热点及光集成器件研究进展

近几年来,全球及国内光通信行业得到了长足的发展,光通信正向高速、大容量、宽带、长距离及低成本方向迅速发展。光器件和光电器件的集成化是光通信最重要的核心技术,而它的发展方向就是光集成(PIC)和光电集成(OEIC)。     

韩国的OEIC研究

本文按年代介绍韩国光电子和光电集成电路（OEIC）的进展以及用于通信的OEIC发射机和接收机，用于光开关和光计算的半导体激光逻辑器件。     

GaN材料键合技术研究进展

GaN材料及其有关光电子器件的研制是近年来光电子研究领域内的研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术也可以研制出一些新型的光电子器件,这些器件用其他生长技术是不可能实现的。概括地介绍了近年来键合技术在GaN光电子器件及其集成领域内的研究进展和应用情况。     

“光子和光电子集成”专题征文通知北大核心

光子和光电子集成技术是古老的光学学科的新兴前沿领域,它一方面通过光纤联系常规应用,另一方面正逐步走向集成芯片的未来。光子和光电子集成技术重点研究建立在各种材料平台上的光波导和微纳器件及其集成,包括波导和器件的设计、加工工艺、材料、集成方法等等,核心目标是实现更小、更快、更强的微纳光学功能器件、模块或芯片。光子和光电子集成技术是未来高速计算机和量子计算机等的关键技术。     

外延迁移技术制作光电子单片集成Si的GaAs/GaAlAs DH LED

描述了采用外延迁移技术制作光电子集成电路的Si衬底砷化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果.发光器件是在外延迁移后流片制作的,克服了光子器件与电子器件的对准问题,可与电子器件大规模集成.     

前言

<正>随着光子技术在光纤通信、微波光子学、激光雷达、量子信息处理等领域的广泛应用,光子和光电子集成的重要性日益突显,成为解决相关应用面临的体积、功耗和成本瓶颈的关键。实际上,早在20世纪60年代就提出了集成光学的概念。受到集成电路(IC)技术的启发,提出了光子集成回路(PIC)和光电集成电路(OEIC)的概念,期望通过集成技术来增强光电子器件的性能,减小体积和功耗,并提高可靠性。然而,相比于集成电路芯片的迅猛发展,光子和光电子集成由于面临材料和工艺等一系列挑战,直到近十余年才实现突破。目前,大规模光子集成技术正在逐渐走向实用化。     

ICT核心器件发展展望

通过分析ICT发展对中国经济和社会可持续发展的重要意义,指出在中国发展ICT,重点在于发展高性能核心电子及光子器件,并提出了目前两项最具影响力的新型技术——三维集成技术和光电子技术。认为三维集成技术以其独特优势,成为未来微纳光电子的发展方向;而光电子技术在ICT发展中也正扮演着越来越重要的角色,是未来超高速通信的桥梁。     

外延迁移技术制作用于光电子单片集成的Si上GaAs／GaAlAsDHLED

描述了在国内首次采用外延迁移技术研制适合于制作光电子集成电路的硅上硬化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果。发光器件是在外延迁移以后流片制作的，克服了光子器件的对准问题，可与电子器件大规模集成。     

硅基光电子光子集成芯片的现有水平及研发动向

1　前言硅基微电子技术是 2 0世纪最具有伟大成就的高技术之一 ,他的发展与成熟改变了人类的生活方式 ,极大地加快了社会发展的进程。光子技术的兴起又将信息的传输与处理过程提高到了一个新的高度。当前 ,全球信息化趋势的强烈市场要求 ,在推动微电子技术继续向前的同时 ,正促使光电子 ,光子集成技术迅猛发展 ,其中硅基光集成技术以其独特的优势 ,在信息化进展中所占据的地位无论怎样设想也不为过。光电子主要可以分为四大类(1)平面光波导光子集成芯片 (ＰＬＣ)(2 )光电子集成芯片 (ＯＥＩＣ)(3)光源及光探测器件 (ＬＤ ,ＬＥＤ及ＰＤ ,Ａ…     

等离子诱导QWI对InP/InGaAsP结构的影响

为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的PIC(光子集成电路)和OEIC(光电子集成电路),采用等离子诱导QWI(量子阱混杂)与RTA(快速热退火)技术获得了InP/InGaAsP结构材料的带隙蓝移,其中通过在材料表面沉积不同占空比的SiO2灰度掩膜来灵活控制带隙偏移量。实验中这种方法在基片上获得了5种带隙波长,其中最大波长偏移为75nm,实验结果说明这种技术是实现PIC和OEIC的有效手段,特别是在多带隙结构中具有广阔的应用前景。     

OEIC的最新研究水平

<正> 从最近在日本神户举行的IOOC′89国际会议上报导的光电子集成(OEIC)方面的最新研究成果看来,目前OEIC发展的突出特点是:集成度大幅度提高,工艺结构不断创新,电路功能日趋多样化。OEIC不仅在光通信系统中,而且在光交换、光计算系统及芯片的光互连中得到广泛应用。大量信息的互连和并行处理最能发挥光的特长,这是OEIC很有前途的应用领域。在本届会议上报导的有代表性的研究结果有以下几方面: 1.日本NEC公司报导了一种垂直面发射电-光(VSTEP)三维器件。这种器件是在GaAs衬底上,用MBE方法生长多层GaAs/GaAlAs结构,将1024个VSTEP元件单片集成在同一芯片上。同一个单元兼有发射、开关和探测的复合功能,可用作动态光存储器。这种芯片还     

Si基光子学专栏序言

正在计算技术和光网络等信息技术高速发展的信息化、智能化时代,为应对数据中心和超级计算机对数据带宽的需求和能耗的限制,发展低能耗的新型微纳光电子集成器件,特别是与微电子工艺兼容的Si基微纳光电子集成器件,由此带动光互连技术应用于短距离的数据高速率、低能耗传     

基于岛状多晶氧化锌薄膜的电泵浦紫外随机激光

光电子集成是当前光电技术和信息工程领域的新趋势和研究热点，其中光源集成化和工艺相容性已成为制约其进一步发展和应用的关键问题。报道了一种设计简单的、可直接集成在硅衬底上面的激子型激光二极管器件和工艺。基于岛状多晶氧化锌薄膜构建了一个金属/绝缘体/半导体（Au/MgO/ZnO MIS）异质结器件。利用Si衬底与ZnO外延层之间天然的大晶格失配，诱导ZnO薄膜表面形成了高度无序的多晶岛状纳米结构，从而在异质结激活层（ZnO/MgO界面区域）形成了高度无序的折射率随空间变化的散射介质。这极大增强了光学散射，有利于获得低阈值的随机激射。文中这种简单的光源器件结构设计和制备工艺提供了一种自下而上的实现氧化锌基集成光电子器件的新思路。