国外专利介绍

用于评价金属腐蚀程度的红外成像方法美国专利US7057177 (2006年6月6日授权)金属会发生腐蚀现象,金属受腐蚀的程度一般都是靠检测人员通过肉眼检测的,这种检测多少有些主观性．因此,如果有一种能够测定金属衬底上局部或总的腐蚀程度和量的无损定量检测装置,那是非常理想的．本发明提供一种能够有效、客观地测定金属衬底或样品上形成的腐蚀成分的量和分布的无损检测方法．该方法是通过测定被腐蚀成分吸收的红外能量的值来完成腐蚀测定的,因为被腐蚀成分吸收的红外能量的值是与腐蚀成分的量相关的．     

用吸收率测量溶胶-凝胶膜层的厚度

膜层厚度均匀性的测定或膜层厚度的定量化可能是比较困难的。现有的膜层厚度测试方法一般都是破坏性的,因此不能用于最终的产品。本发明提供一种可以有效测定涂在金属衬底上的溶胶-凝胶膜层的厚度的非破坏性方法,它能测定从没有溶胶-凝胶膜层的金属衬底上反射的红外能量的值、从有溶胶-凝胶膜层的金属衬底上反射的红外能量的值以及被溶胶-凝胶膜层吸收的红外能量的值,并能使溶胶-凝胶膜层吸收的红外能量的值与溶胶-凝胶膜层的厚度发生联系。     

用红外反射比度量涂层的方法

本发明提供一种用以测量金色衬底非镜面或镜面上的非散射涂层的无损方法．被测表面可以是粗糙的表面,如用化学方法处理过的表面．测量时,先将红外能量发射到一个与金属衬底表面涂层样品物理接触的积分球内。发射的红外能量一部分被涂层吸收,一部分被金属衬底表面反射,还有一部分则被金属衬底散射了．积分球对红外能量总反射比进行积分．红外探测器探测两个波段的总反射比．两个波段之一的总反射比的下降便表明涂层存在或者可以被转换成涂层的量．     

近红外光纤光谱仪

金属会发生腐蚀现象。金属受腐蚀的程度一般都是靠检测人员通过肉眼检测的,这种检测多少有些主观性。因此,如果有一种能够测定金属衬底上局部或总的腐蚀程度和量的无损定量检测装置,那是非常理想的。     

基于钽酸锂晶体材料镍铬薄膜在14~16 µm波段红外增强吸收特性

纳米级金属薄膜能够作为热释电探测器红外吸收薄膜在14-16um波段范围内有效应用已经得到证明。通过调节沉积在LT（钽酸锂）晶体材料上的纳米级镍铬（NiCr）薄膜的厚度和表面特征来改善纳米金属薄膜红外吸收特性。通过调节晶体材料的厚度,改变抗反射腔的深度,从而调节吸收波长。为进一步加强红外吸收,应用化学腐蚀,生成粗糙的纳米级薄膜表面结构,从而极大程度上增加吸收表面积。通过将这两种方法结合,可以明显增强指定波段的红外吸收,且其制造过程完全兼容,易于实现。可控的吸收性能的实验结果与仿真和设计情况相符合。     

基于钽酸锂晶体材料镍铬薄膜在14～16μm波段红外增强吸收特性（英文）

纳米级金属薄膜能够作为热释电探测器红外吸收薄膜在14~16μm波段范围内有效应用已经得到证明.通过调节沉积在LT(钽酸锂)晶体材料上的纳米级镍铬(NiCr)薄膜的厚度和表面特征来改善纳米金属薄膜红外吸收特性.通过调节晶体材料的厚度,改变抗反射腔的深度,从而调节吸收波长.为进一步加强红外吸收,应用化学腐蚀,生成粗糙的纳米级薄膜表面结构,从而极大程度上增加吸收表面积.通过将这两种方法结合,可以明显增强指定波段的红外吸收,且其制造过程完全兼容,易于实现.可控的吸收性能的实验结果与仿真和设计情况相符合.     

SiO_2薄膜致密性的表征

论述了表征SiO2薄膜致密性的三种方法:红外光谱法、折射率法和腐蚀速率法,分析了它们各自的特点。制备了不同衬底和不同工艺的三个热氧化SiO2薄膜样品,利用红外光谱法和折射率法对样品进行了对比测试。结果表明,采用红外光谱法表征SiO2薄膜的致密性时,主特征吸收峰频率不仅与薄膜致密性相关,还与样品的厚度和衬底等因素有关;而折射率法受这些因素的影响较小,是表征SiO2薄膜致密性较为适用的方法。     

照明节能红外光学薄膜

红外反射光学薄膜主要包括金属一介质复合膜和全介质多层膜，在白炽灯、卤素灯等照明光源上使用红外反射薄膜可达到节能和改变光源光谱能量分布的目的。     

II类超晶格探测器背面减薄技术研究

为了验证外延材料制备工艺试验的正确性,减少GaSb衬底对红外光的吸收,同时提升探测器的可靠性和长期稳定性,需要对II类超晶格红外探测器的GaSb衬底进行减薄处理。采用机械抛光法和机械化学抛光法实现II类超晶格探测器的GaSb衬底背面减薄,最后利用专用腐蚀液腐蚀的方法将GaSb衬底全部去除,使II类超晶格材料完全露出。扫描电镜测试表明,超晶格材料腐蚀阻挡层能起到较好的阻挡作用,材料表面光滑,衬底无残留。探测器性能测试结果表明,减薄后的探测器芯片性能未发生变化。     

红外探测器件的制造方法

本专利是关于红外探测器件的制造方法。该方法的特点是:靠外延法在高电阻率的半导体衬底上外延一层作为红外探测器材料的多元半导体晶体。然后,有选择性地腐蚀该外延晶体层,腐蚀到上述衬底为止。以未被腐蚀的外延晶体层作为探测器件。采用本发明提供的这种新的制造方法,容易形成厚度薄、均匀性好的多元半导体薄片,因此也就容易制造出性能稳定的、合格率高的列阵红外探测器。参照工艺流程图详细说明本发明的工艺流程。图1～图4是用本发明的制造方法制造列阵红外探测器件的工艺流程截面图和平面图。如图1所示,先用众所周知的滑动液相     

无掩模Si圆柱纳米图形衬底上GaAs的异变外延生长

采用金属有机化学气相沉积方法在无掩模的直径为400nm的圆柱Si(100)图形衬底上外延生长了GaAs薄膜。图形衬底采用纳米压印技术及反应离子刻蚀技术制作而成。运用两步法生长工艺在此图形衬底上制备了厚度为1.8μm的GaAs外延层。GaAs的晶体质量通过腐蚀坑密度和透射电镜表征。图形衬底上的GaAs外延层表面腐蚀坑密度约1×107 cm-2,比平面衬底上降低了两个数量级。透射电镜观测显示大部分产生于GaAs/Si异质界面的穿透位错被阻挡在圆柱顶部附近。     

红外截止滤光片及其制作方法

红外截止滤光片分吸收型和反射型两类。在吸收型红外截止滤光片中,红外吸收金属离子是包含在玻璃内的,而反射型红外截止滤光片则是通过在玻璃上镀多层能反射红外光的光学薄膜的方法制成的。由于反射型红外截止滤光片所用的多层膜比较薄,它可以比吸收型红外截止滤光片做得小巧。     

非制冷氧化钒红外焦平面像元光学设计与试验验证

非制冷氧化钒红外焦平面像元光学设计旨在提高像元对红外辐射的吸收性能。由于非制冷红外探测器的工作波段通常在8~14?m范围内,要求像元在这个波段内具有较高的红外吸收率。采用光学导纳理论,进行像元微桥结构多层光学膜系优化设计。在器件工艺过程中,调节了桥面膜厚和高度,使桥面与Si衬底上金属反射层之间形成一个谐振腔结构。通过红外傅里叶反射光谱和相对光谱响应测试分析验证表明:像元微桥结构光学设计后,增强了非制冷探测器微桥结构像元在8~14?m波段的红外吸收率和相对光谱响应。     

强吸收衬底上薄膜厚度和折射率的测量新方法

提出了一种同时测量强吸收衬底上薄膜厚度和折射率的方法。对生长于强吸收衬底上的透明薄膜,提出在该薄膜上镀一层薄金属,形成金属-薄膜-强吸收衬底的类波导结构。由于小角度入射光在强吸收衬底上具有较强的反射率,使该结构可容纳一系列共振模。利用自由空间耦合技术和导出的共振模模式本征方程,同时确定透明薄膜的厚度和折射率。实验中测量了硅衬底上制备的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜的折射率和厚度,测量的相对误差均小于10-3。该方法具有简便、可靠、可测量任意折射率薄膜的优点。     

傅里叶变换红外拉曼光谱检测半导体薄膜下衬底特性

高质量半导体薄膜是制备高性能光电器件的基础,其光电子性质很大程度受衬底所制约,实验检测薄膜下衬底性质,有助于薄膜生长优化.然而,表面薄膜覆盖后的衬底特性检测通常受到严重制约.报道一种傅里叶变换拉曼光谱方法,利用低光子能量红外激发光的深穿透特性,降低薄膜影响,有效获取薄膜下半导体衬底的拉曼散射信息.GaAs上外延CdTe...     

SiC薄膜红外及紫外-可见光谱的研究

报道了在单晶Si衬底上采用RF磁控溅射技术异质外延生长SiC薄膜的研究。由傅立叶红外谱用双声子组合法计算出SiC的基本声子能量是TO=0．049eV，LO=O．048eV，TA=0．0045eV，LA=0．0078eV；SiC的所有傅立叶红外吸收峰均可用这些声子能量按不同组合方式得到，并在紫外-可见光谱中，光跃迁引起的吸收或放射的声子的能量也可以用这些基本声子能量按不同方式组合得到。     

基于金属/介质/金属光栅的窄带红外发射/吸收结构设计

设计了一种用于窄带红外发射光源和窄带探测器的金属/介质/金属光栅的红外发射/吸收结构.采用有限差分时域(FDTD)方法,模拟了一维Ag/Si3N4/Ag光栅的反射谱.模拟结果表明,此结构对于TE模和TM模都支持很窄的中红外发射/吸收锋,在很宽的角度范围内发射/吸收中心波长处的发射率可以达到98%以上.此结构的独特发射/...     

用MOCVD方法制备的GaN1-xPx三元合金的喇曼与红外光谱

采用光辐射加热低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长了高P组分的GaN1-x-Px三元合金薄膜,通过喇曼光谱和红外反射谱技术研究了GaN1-xPx合金中P掺杂所引入的振动模.与非掺P的GaN相比,在GaN1-xPx合金的喇曼谱和红外反射谱中分别观测到了多个由P所引入的振动模,文中将它们分别归因于Ga-P键振动引起的准局域模、间隙模以及P掺入造成的局部晶格无序激活的振动模.     

均匀非磁化等离子体与雷达波的相互作用

采用平板几何金属衬底模型对雷达波在均匀等离子体中传播所发生的吸收、反射和衰减进行了数值分析研究,结果表明:等离子体对电磁波的吸收衰减取决于等离子体密度和碰撞频率的共同作用;通过适当选择等离子体密度和等离子体碰撞频率,可以使均匀等离子体对某一雷达波段的吸收达到90%以上,隐身效果显著。     

蓝宝石上横向外延GaN薄膜

在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD)方法对横向外延(ELO)GaN薄膜的生长条件进行了研究.在蓝宝石衬底上利用化学腐蚀的方法刻饰出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,以降低外延层与衬底的晶格失配与热失配,制备出低位错密度的GaN外延层.分别利用X射线衍射、原子力显微镜及湿法腐蚀对外延层进行检测.