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接口电路是手机用单片集成TFT-LCD驱动芯片的重要组成部分,用于MPU与驱动芯片之间的数据通信。文章详细分析了目前占市场主导的176RGB×220分辨率、26万色的手机液晶显示驱动芯片中接口电路的功能,包括系统接口和外部高速接口的工作原理和动作时序,同时介绍了接口模式之间的转换。在此基础上提出了一种接口电路的设计方案,并且在0.18μm工艺下实现了该电路。仿真结果表明,此电路完全实现了芯片规格中要求的接口功能,可以完成18/16/9/8-bit并行接口、串行接口以及18/16/6-bit外部高速接口的可选择使用。DC综合结果显示,接口电路的面积约为4600多门,可以工作的频率达到12.5MHz。 相似文献
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平板显示器正逐步取代阴极射线管CRT成为显示器产业的主流,尤以液晶显示器所占比重最大,其中薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD占绝对优势,生产技术进入第八代世代线的8G。另一方面,TFT制备工艺也在不断改进之中,在非晶硅a-Si TFT基础上,研发低温多晶硅LTPS(Low Tem-perature Poly Silicon)、高温多晶硅HTPS、连续晶界硅CGS技术, 相似文献
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针对单芯片集成的TFT-LCD驱动芯片的特性,提出了在γ校正电路中加入两级驱动Buffef的驱动电路结构,以及提高其驱动能力的有效措施.对于具有13个驱动buffer的二级驱动电路,当由一个灰度电压驱动全部396个像素单元时,驱动电压的最大安定时间约为19.2μs;静态消耗电流为518μA,与传统的64个驱动buffer电路相比,其功耗减小了77%.本文的设计结果已成功应用于132RGB×176分辨率、26万色彩色显示手机用TFT-LCD驱动芯片中,其也可用于PDA、数码相机等其他便携电子设备的显示驱动. 相似文献
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手机用TFT-LCD驱动控制芯片的测试电路结构设计 总被引:2,自引:0,他引:2
文章从分析手机用TFT-LCD驱动控制芯片的测试需求和芯片结构出发,提出了一种针对该芯片的测试电路结构设计方案。该方案采用多条扫描链对芯片内的多个异构的模块进行隔离,保证了各个模块有较高的测试独立性。考虑到内置SRAM的特殊性,采用边界扫描方式进行测试,提高了测试的灵活性,减少了测试电路的面积。电平敏化扫描链的引入.大大提高了Source Driver测试的可控制性。该方案支持手机用TFT-LCD驱动控制芯片的常规以及特殊项目的测试。 相似文献
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本文结合光学设备实际测试场景,考虑测试人员、测试手法、测试样本等影响,从测试人员、测试手法、测试样本等3个方向对液晶显示器产品光学测量设备的MSA分析,验证光学测试设备重复性、再现性,保证光学数据测量准确性。 相似文献
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TFT-LCD驱动芯片的二级驱动电路 总被引:3,自引:1,他引:2
针对单芯片集成的TFT-LCD驱动芯片的特性,提出了在γ校正电路中加入两级驱动Buffef的驱动电路结构,以及提高其驱动能力的有效措施.对于具有13个驱动buffer的二级驱动电路,当由一个灰度电压驱动全部396个像素单元时,驱动电压的最大安定时间约为19.2μs;静态消耗电流为518μA,与传统的64个驱动buffer电路相比,其功耗减小了77%.本文的设计结果已成功应用于132RGB×176分辨率、26万色彩色显示手机用TFT-LCD驱动芯片中,其也可用于PDA、数码相机等其他便携电子设备的显示驱动. 相似文献
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内置SRAM是单片集成TFT-LCD驱动控制芯片中的图像数据存储模块.针对内置SRAM的低功耗设计要求,采用HWD结构和动态逻辑的字线译码电路,实现了1.8Mb SRAM的低功耗设计.电路采用0.18μm CMOS工艺实现,Hspice和Ultrasim仿真结果表明,与静态字线译码电路相比,功耗减小了20%;与DWL结构相比,功耗减小了16%;当访存时钟频率为31MHz时,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,电源峰值功耗小于123mW,静态功耗为0.81mW. 相似文献
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在新产品导入过程中会突发各种Mura类不良。本文为解决TV机种导入中出现的一种原因未知的角落白Mura,首先进行了大量的排查和推理,初步判定异常来源于成盒工艺(Cell)段,利用气相色谱(GC)、高效液相色谱(HPLC)设备测试并对比了角落白Mura区域与正常区域的液晶纯度、液晶组份和框胶溶出的差异,最后探讨了其形成的机理。结果表明角落白Mura区域液晶组份发生较大变动,液晶组份挥发是角落白Mura产生的主因。通过优化贴合时的真空抽气时间、真空保持时间、液晶滴下点数、液晶与边框胶距离等一系列的改善措施,使产品的角落白Mura发生率从16.59%降到了0.001%以下管控范围。实验有效解决了角落白Mura异常并为今后类似Mura类不良的对策提供了思路,同时提升了公司的效益和竞争力。 相似文献
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第五代TFT-LCD的制屏工艺 总被引:4,自引:4,他引:0
第五代TFT生产线的全称为第五代a-si TFT-LCD(非晶硅薄膜晶体管液晶显示器)生产线。玻璃基板尺寸有1100х1250(m m)或1100х1300(m m)等几种。可切割出12张17英寸的显示屏。与第四代生产线相比,在基本相同的工艺流程下,工效提高了一倍,已进入了稳定量产的阶段,工艺技术已经成熟。液晶制屏工艺包括从玻璃基板到显示器件的整个制作过程,分二个阶段运作。第一阶段,首先将CF基板和TFT基板在进入制屏阶段后分成两条线同时运行,第二阶段,在对位压合工序中将两条线合成一条生产线。具体工艺如下:(1)CF基板→清洗和干燥→PI涂膜与固化→定向… 相似文献
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ARM芯片S3C2410驱动TFT-LCD的研究 总被引:19,自引:13,他引:6
介绍了S3C2410的LCD控制器的数据和控制管脚,并给出了LCD的控制流程和TFT-LCD的控制器设置规则。参照TFT-LCD CJMIOC0101的逻辑要求和时序要求设计了其驱动电路,设置了各主要LCD寄存器。开发了CJM10C0101在嵌入式LINUX下的显示驱动程序,并在CJM10C0101上显示了清晰稳定的画面。实验表明这套装置通用性好,能驱动大部分的TFT-LCD;可移植性强,经过少许修改即可应用在其他嵌入式系统中。它是S3C2410驱动TFT-LCD的一套较佳的解决方案。 相似文献
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系统使用TMS320DM642数字信号处理器完成图像的识别处理,同时采用集显示和触摸功能于一体的3.5寸全视角现代SM-35HDY37BV02点阵屏作为显示控制芯片,实现系统的数据显示以及人工交互功能,并重点介绍了DM642和SM-35HDY37BV02之间的硬件和软件设计。 相似文献
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在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压的波动.与传统的两级运算放大器电路相比,该电路结构简单,稳定性能好,降低了静态功耗并节省了芯片面积.采用0.25μm CMOS工艺设计并实现了两种不同输出电压的缓冲电路.HSPICE仿真结果表明,输出电压缓冲电路的静态电流为3μA,Offset电压小于±2mV.同时,当TFT-LCD的驱动电压在-8~+16V之间切换时,输出电压的波动范围小于±0.4V,输出电压的恢复时间小于7μs.经对工程样片的测试知,其性能完全满足中小屏幕TFT-LCD驱动控制芯片的要求. 相似文献