金绿宝石晶体提拉法生长及光学性能

用提拉法生长出了金绿宝石（BeAl2O2Cr^3＋）晶体并由C向晶体棒获得了720～780nm波段的连续可调谐激光输出。本文着重描述金绿宝石晶体生长习性及光学性     

称重法自控生长氧化物晶体时的外形畸变

本文分析了某些氧化物晶体用称重法自控生长的外形畸变及其产生的原因.腰带的形成与晶体下方熔体内的液流转换有关.螺旋形扭曲和拐腿现象的产生与液面径向温度梯度小且又同时存在着非对称自然对流相联系.     

提拉生长氧化物晶体时界面的不稳定性(节译)

从静止坩埚的熔体中提拉生长旋转的氧化物品体时,已观察到界面不稳定性的一种有趣类型.晶体直径恒定而增大晶转速度时,观察到界面形状相对于熔体突然从凸形变成稍凹的形状.如果拉晶是自动控制的,即单位时间的结晶重量恒定,那末晶体直径就会出现突然的变化.     

提拉法生长钆镓石榴石(GGG)晶体

用提拉法生长出了优质的钆镓石榴石(Gd3Ga5O12)晶体,晶体尺寸达φ35 × 70mm。详细描述 了晶体生长工艺过程,讨论了生长气氛对及坩埚形状对晶体生长的影响。     

提拉法生长大尺寸Nd:YLF晶体的研究

采用熔体提拉法生长大尺寸Nd:YLF晶体.通过大量实验,建立了合理的温场和生长工艺.在晶体生长的全过程中.有效地防止了水和氧的污染.生长出直径φ25 mm～φ30 mm,等径长度为100mm～120 mm的Nd:YLF晶体毛坯,选切出φ10mm×100mm的Nd:YLF激光棒.晶体光学均匀性较好,无裂纹、气泡和夹杂物.     

提拉法生长非掺杂YAG晶体应力双折射的减小

通过对提拉法生长非掺杂YAG晶体应力双折射的产生原因以及小面生长的成因分析,采用调整温场的温度梯度,同时在生长过程中调整工艺参数,并采用适当的退火程序,有效减小了提拉法生长非掺杂YAG晶体的应力双折射。     

用提拉法生长锗酸铋单晶

确定了用提拉法生长高质量Bi_(12)GcO_(20)单晶所必需的条件.如果生长条件不是最佳的,则晶体中出现出状包裹物.用X射线显微探针分析,断定云状区域不是铂,但比率Bi_2O_3:GeO_2是3:2,而在高质量区域相当于6:1.测定了光学透过率及线膨胀系数对温度的依赖关系.     

直径φ80 mm Nd:YAG晶体提拉法生长研究

采用中频感应加热提拉法(Cz)生长晶体,研究了直径φ80 mm Nd:YAG晶体生长的设备条件、温场装置和生长参量,对长晶过程中出现的放肩和转肩阶段晶体开裂原因进行了分析,并采取了相应的改进措施,获得了直径φ80 mm等径长度200mm质量良好的Nd:YAG晶体.     

提拉法生长红宝石单晶

红宝石晶体早在七十多年以前,就开始用维尔涅尔法(又称焰熔法或火焰法)进行人工培育。开始主要用于制造仪表轴承,在激光器研制成功以后,激光红宝石的研制工作,在国内外均取得了迅速的发展。随着激光技术的发展,对红宝石晶体的质量也有着越来越高的要求。火焰法生长的     

感应加热提拉法生长较大Nd:YAG晶体提高质量基本途径的探讨

对生长大尺寸优质YAG晶体的技术途径,国内存在着不同看法。本文对此提出了自己的意见。我们欢迎大家继续进行探讨。     

用直拉法生长PbMoO_4晶体时的液流转换及对晶体完整性的影响

在不同的生长条件下进行了钼酸铅(PbMoO_4)晶体生长实验,研究了生长条件与固液界面附近液流状态的关系,以及液流状态对界面形状和晶体完整性的影响.实验表明PbMoO_4晶体生长过程中,界面形状经历了从凸到凹再凸的变化.这些变化是受固液界面附近液流状态的转换支配的.在等径生长过程中,固液界面附近的液流发生了从强迫对流占优势向自然对流占优势转换的现象.我们认为,这一现象是当格拉索夫数Gr随着液面下降熔体径向温差增加而增加到超过某一临界Gr数时产生的.液流的这一转换使得界面中心部位的生长速度迅速增加,产生了组分过冷或气泡、固体包裹物的集聚.我们利用增大熔体的径向温差并降低晶体的转数来降低强迫对流的强度,有效地抑制了固液界面附近液流转换,从而避免了上述缺陷的产生,提高了晶体完整性.研究表明维持生长过程中固液界面附近液流状态的稳定性是生长完整晶体的重要条件.     

由熔体中生长氧化物晶体的固液界面形状

1.提拉法生长1.引言用射频加热提拉法生长高熔点氧化物晶体一直是最广泛应用的方法。提拉法生长刚玉最初是用钨坩埚实现的。这种坩埚材料引起不希望有的杂质进入熔体,并使晶体中含有许多金属包杂。提拉法使用W和Mo坩埚仅限于在真空中生长蓝宝石,但有的文章报导用别的生长方法使用这些材料获得了较好的结果。更广泛应用的坩埚材料则是铱,它能使     

提拉法生长的红宝石单晶的激光损伤

本文报导了高频感应加热提拉法（Chockralski）生长的红宝石单晶激光损伤的研究结果。分别研究了红宝石的主动损伤（晶体在激光腔内做为激光工作物质）和被动损伤的基本特征，并与焰熔法生长的红宝石进行了比较。分析了晶体损伤与晶体质量、晶体内气相包裹物、固相包裹物的关系。     

提拉法生长的金绿宝石晶体中Cr^3＋有效分凝系数的初步测定

用原子吸收光谱法测定了提拉法生长的金绿宝石晶体中Cr^3＋的有效分凝系数，初步结果为Keff≈2．1。     

提拉法生长Cr4+Tel:YAG激光晶体获得毫瓦级连续波激光

Cr4+Tel:YAG晶体是能够实用化的可调谐超快激光晶体,其激光输出约位于1250～1580 nm近红外波段,是石英类光纤通讯和激光雷达的理想光源.为生长实用化的Cr4+Tel:YAG激光晶体,不仅在于Cr离子的掺入,更为困难的是必须使其转化为四价态并且进入四面体格位.     

用新的生长工艺生产大晶体

根据马萨诸塞州塞勒姆市晶体系统公司的F·Schmid和C·P·Khattak报导,首次尝试用“热交换法”生长用于高功率激光器的Co:MgF2晶体,获得的晶体尺寸大并且光学质量优异.最近发展起来的热交换法(以前已用来生长兰宝石和硅单晶),据说比通常的“梯度法”工艺有若干的优点.为了获得用于高功率激光器的大晶体,这种新方法被用来生长Co:MgF2晶体.     

用MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体

1.引言1958年Rcuhrwein提出了用金属烷基化合物制成薄膜的技术称为MOCVD法(金属有机化学汽相沉积),或称MOVPE(有机金属汽相外延)。1968年英国Hansevit开始对化合物半导体单晶的生长进行了多次试验,证实这种方法是一种高精度的薄膜生长技术。1971年Manasevit和Simpson最先报导了采用MOCVD法生长Ⅱ-Ⅵ化合物晶体     

用垂直布里奇曼法生长CdTe晶体

用垂直布里奇曼法生长了CdTe晶体,并检验了晶体的质量。发现,在最佳条件下,能获得缺陷密度较低和晶体完整性较高的晶体。