NiTi形状记忆合金的HREM观察

本工作观察了NiTi形状记忆合金相变温度上下的结构变化。实验用400KV电镜、单倾样品加热台,用TV录相并拍摄了电镜照片。图1中的左图是室温M(001)面的投影。从图中可以看出平行的重复孪晶带,其孪晶面为(100),在每个孪晶带内都能看到平行于(110)面的周期性黑白衬度(B-W)。中图是区域放大像,在B-W带能看到非常小的晶格条纹位移。相似的B-W带在接近(100)面的投影上也能观察到(右图)。由此可知,堆垛层错或孪晶薄层是沿[001]和[100]两个方向上形成的。     

时效处理NiTi合金的相变研究

Ni-Ti形状记忆合金由于其独特的形状记忆效应和超弹性,它的马氏体相变在过去几十年来一直受到巨大的关注。Ti-Ni形状记忆合金有三个不同的相：立方CsCl结构的B2母相,单斜B19’马氏体相和预马氏体R相。在这些相中,可能发生三个相变：B2-B19’、B2-R和R-B19’。R相变可以通过多种方式诱发,例如添加第三组元（Fe、Al）、冷加工、冷加工后不完全退火、热循环和时效处理。     

多晶NiTi形状记忆合金中原位应力诱发马氏体相变的研究

称为神奇金属的NiTi形状记忆合金由于具有超弹性和形状记忆效应两个优异的性质而广泛地应用于航空航天、工业、生物医学及日常生活当中。这两个优异性质的物理本质是NiTi形状记忆合金中发生的无扩散型可逆马氏体相变。现在被广泛应用的NiTi合金几乎全部具有多晶结构。其力学性能与NiTi的微观结构有着十分密切的联系。因此从微观角度来研究NiTi合金的马氏体相变行为，对于理解NiTi合金的宏观力学性能。提高其性能有着十分重要的意义。本文用扫描电子显微镜（SEM）上配备的背散射电子衍射（EBSD）仪，原位观测到了多晶NiTi形状记忆合金中的应力诱发马氏体相变，研究了在不同应力状态下NiTi记忆合金中应力诱发马氏体相变的行为，揭示了NiTi记忆合金中应力诱发马氏体相变的微观机制。     

蒸发淀积薄膜的柱状显微结构

本文用显微断面术技术,在透射电镜中观察了蒸发淀积Cu膜的显微结构。实验结果表明、薄膜是由直径大致相同的相互平行的倾斜小柱体所组成。对柱状结构形成的机理也进行了初步探讨。     

Si基TiN薄膜界面的显微结构

Ｓｉ基ＴｉＮ薄膜界面的显微结构程志英，朱静（冶金部钢铁研究总院，北京１０００８１）离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）是指在电子束蒸发或离子束溅射沉积的同时，用一定能量的离子束进行轰击混合，从而合成单质或化合物薄膜。此方法制备的薄膜的性能优于单一的化学汽相沉积...     

Ni-Mn-Ga铁磁性形状记忆薄膜研究进展

Ni-Mn-Ga合金兼有铁磁性和形状记忆效应,有望成为继压电陶瓷和磁致伸缩材料之后的新一代驱动与传感材料。但是由于合金脆性较大,难以切割,限制了其在微机电系统中的应用。系统阐述了薄膜的化学成分、组织结构、相转变、形状记忆效应及其影响因素,指出目前Ni-Mn-Ga合金薄膜研究中,各个元素对性能影响的探索存在不足,制备出的薄膜主要存在磁性能、磁致应变量偏低以及磁致形状记忆效应不可逆等缺点。可以通过调整薄膜化学成分、热处理工艺、膜厚或者元素替换来提高薄膜的性能。     

镍钛合金形状记忆薄膜的化学刻蚀

镍钛合金形状记忆薄膜的图形化技术曾是其实用化的主要障碍之一,现在,一种工作性能优越的化学刻蚀液可以实现薄膜的高精度图形化,该刻蚀液常温工作,性能稳定,刻蚀速率在１～５ 微米／分之间均可得到满意的刻蚀线条。常规制作的光刻胶掩模在该刻蚀液中非常稳定。该刻蚀液用于溅射态的形状记忆合金薄膜可得到与掩模图形完全一致的刻蚀结果,刻蚀线条光滑平直,刻蚀系数大于 １５。当用于热处理以后的薄膜时,刻蚀面有一定程度的粗糙化,只能用于刻蚀相对较粗的线条,这是热处理后薄膜中晶粒与晶界刻蚀速率不同所致。用该刻蚀液图形化的形状记忆合金薄膜驱动机构已成功用于微泵制造,所制作的微泵流量达到 ２００ 微升／分钟以上。     

NiTi心血管支架的显微组织的TEM和EBSD研究

NiTi超弹性形状记忆合金由于具有超弹性，形状记忆效应和良好的生物相容性而被广泛的应用于生物医学领域。至今已有心血管支架、导丝、接骨板等生物材料，其中NiTi心血管支架得到了最广泛的应用。     

新型的形状记忆合金／硅薄膜微驱动器

介绍了一种用硅微加工技术制作的ＮｉＴｉ／Ｓｉ 薄膜结构的双向微驱动器。它利用ＮｉＴｉ 形状记忆合金薄膜（ＳＭＡ） 大的相变回复应力和Ｓｉ 衬底膜的反偏置力产生有一定位移量的双向运动。对ＮｉＴｉ 薄膜进行合理的图形化后使得驱动器位移量增大,双向效应显著,响应速度提高。同时图形化后的ＮｉＴｉ 膜也是加热电阻,使驱动结构简单,所需功率减少。驱动器实际驱动面积为３ ×３ｍ ｍ２ 厚度为２０μｍ 。可产生的最大位移为５０μｍ ,最高驱动频率可达１００Ｈｚ。驱动功率可减小到２００ｍ Ｗ。经过１０００ 万次振动后,驱动膜无开裂,性能正常。它已被成功的应用于压缩型微泵,该泵最大流量达３４０μＬ／ｍｉｎ 。     

TiNi合金薄膜的脉冲激光沉积制备与应用

概述了三种TiNi合金薄膜的制备方法,其中重点阐述了脉冲激光沉积法,并详细介绍了TiNi合金薄膜作为微驱动元件在微流体控制系统和微操作系统中的应用.随着薄膜制备工艺和性能研究的发展,TiNi合金薄膜将在复合智能材料与结构、MEMS驱动和传感元件的设计与制造等方面具有更广阔的应用前景.     

Preparation and characteristics of the wide gap semiconductor Mg0.18Zn0.82O thin film by L-MBE

The high purity ZnO ceramic target and the (MgO)_0.1(ZnO)_0.9 target were fabricated. The wurtzite-phase ZnO thin film and ternary Mg_xZn_1−xO thin film were grown on sapphire (0001) substrates by laser molecular beam epitaxy (L-MBE) from the sintered ceramic targets separately. The films' transmittance spectra at room temperature for the ZnO film and the Mg_xZn_1−xO film were measured and compared while their room temperature photoluminescence spectra were done. The band-gap modulation is realized from 3.31 eV for the ZnO film to 3.64 eV for the Mg_xZn_1−xO alloy film. The Mg content x in the Mg_xZn_1−xO alloy film was determined to be 0.18.     

薄膜红外探测器的研究

介绍了薄膜热电偶探测器的研究,讨论了薄膜热电偶探测器的结构对探测器响应特性的影响.     

Evolution of grain structure in thin film reactions

In this paper, we examine, both experimentally and theoretically, the kinetics of formation and microstructure of product phases in thin film reactions, using the Nb/Al and Ti/Al systems as our prototypes. The results of calorimetry and microscopy studies are interpreted using simple kinetic and morphology models. In particular, the kinetic models employed here focus on the nucleation and growth components of the phase formation process and the morphology models provide a starting point for the classification of product grain structures. An erratum to this article is available at .     

氮化硅薄膜MIM电容器的制备与性能研究

在被釉氧化铝陶瓷基片上,采用真空电阻蒸发法和等离子体增强化学气相沉积法制备了Au/NiCr电极薄膜及氮化硅(SiNx)介质薄膜,并对薄膜进行光刻图形化,制成了Au/NiCr/SiNx/Au/NiCr结构的MIM电容器。研究了所制电容器的介电性能、介温性能和I-V特性等电学性能。结果表明:所得MIM电容器具有很低的介电损耗(1MHz时tanδ为0.00192)及很高的电压稳定性;在–55～+150℃的范围内其1MHz时的电容温度系数为258×10–6/℃;另外,其I-V特性曲线显示出较好的对称性,漏电流密度较低,可承受较高的电压。     

PI衬底柔性透明硅薄膜太阳能电池的制备及性能

利用硬质玻璃为载板,采用传统硅薄膜太阳能电池生产设备,在聚酰亚胺(PI)塑料薄膜衬底上沉积了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,并以此作为前电极制备了单节电池结构及多节串联一体结构的非晶硅(a-Si)太阳能电池;研究了PI衬底上BZO薄膜的光学及电学性能。结果表明,PI衬底上沉积BZO薄膜后在300~1 200 nm波长范围的透光率为76.63%,方块电阻19.7?/□。所制备的单节和多节串联一体结构的a-Si薄膜太阳能电池的转化效率分别达到6.45%和5.1%,封装后电池组件具有一定的透光性,透光率约达到30.2%。     

NULCB钢激光焊接接头组织、性能的研究

为了研究新一代超低碳贝氏体(NULCB)钢的焊接性,利用kW CO2激光对NULCB钢进行了焊接,并分析了焊接接头组织、性能的变化规律.试验结果表明,激光焊接接头显微硬度均高于母材,未出现明显的软化区;焊缝区和热影响区粗晶区组织均为贝氏体板条和M-A组元组成的粒状贝氏体;热输入由120J/mm～600J/mm范围内变化时,随着热输入的增大,M-A组元的平均宽度、总量、形状因子增大,M-A组元线密度减少;随热输入的增大,激光焊接焊缝区冲击吸收功先增大然后减小.合适的激光焊接条件下,激光焊接焊缝区具有良好的韧性,其低温冲击吸收功高于母材.     

Title:Spray pyrolysis of tin selenide thin film semiconductor: effect of the selenium concentration on the thin film properties

Thin films of tin selenide (Sn_xSe_y) with an atomic ratio of r=≤[y/x]=0.5, 1 and 1.5 were prepared on a glass substrate at T= 470 ℃ using a spray pyrolysis technique. The initial materials for the preparation of the thin films were an alcoholic solution consisting of tin chloride (SnCl₄·5H₂O) and selenide acide (H₂SeO₃). The prepared thin films were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy, scanning tunneling microscopy, scanning helium ion microscopy, and UV-vis spectroscopy. The photoconductivity and thermoelectric effects of the Sn_xSe_y thin films were then studied. The Sn_xSe_y thin films had a polycrystalline structure with an almost uniform surface and cluster type growth. The increasing atomic ratio of r in the films, the optical gap, photosensitivity and Seebeck coefficient were changed from 1.6 to 1.37 eV, 0.01 to 0.31 and-26.2 to-42.7 mV/K (at T= 350 K), respectively. In addition, the XRD patterns indicated intensity peaks in r=1 that corresponded to the increase in the SnSe and SnSe₂ phases.     

TiO_2(Ag)纳米半导体薄膜的制备及其光催化性能

对热解Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４＋ＡｇＮＯ３溶胶制备的ＴｉＯ２（Ａｇ）纳米半导体薄膜光催化特性与其结构的关系进行了研究。薄膜对二卡基砜的光催化降解结果表明,热解温度显著影响薄膜的光催化作用,这与ＴｉＯ２微粒的长大和晶相转变有关;适量的Ａｇ作活性剂可以显著改善薄膜的光催化性能。