软x射线及俄歇电子出现电势谱复合分析管的研制和应用

本文叙述了软X射线出现电势谱以俄歇电子出现电势谱的各自特点和两者相互复合的必要性和实用性。介绍了本复合分析技术的基本组成,其中着重介绍了复合分析管的结构和特点:并以不锈钢材料和钡钨阴极作为典范,以检测的分析结果表示了本复合技术相辅相成、互为补充的重要优点。     

高空间分辨率的出现电势谱

在PHI-590型扫描俄歇微探针上扩展了出现电势谱的测量功能,此出现电势谱具有上靶电子束流小(几个微安)、空间分辨率高(小于一个微米)的特点,并可用在线计算机控制测量过程。     

常用表面分析技术名词英文缩写汉译

AES (Auger Electron Spectroscopy) 俄歇电子谱APS (Appearance Potential Spectroscopy) 出现电势谱ASF (Atomic Sensitivity Factor) 原子灵敏度因子     

米字形的图形演绎与消隐

目的研究消隐理念在米字形中的应用和表达。方法将消隐这一理念引入到图形传统语义的解读和当代图形语义的再解读之中,分析图形的几何化消隐、语义化消隐、维度化消隐等诸多方面。结论图形的消隐有利于开拓设计发展的新方向、延伸新形式、促进新观念的生成。     

球对称压电壳的随机最优控制

分析研究球对称压电壳在边界随机激励下的最优控制问题。给出压电壳的机电动力学方程、应力和电位移表达式,建立其随机最优控制问题方程;通过电势积分转化为机械振动控制方程。通过位移变换和Galerkin法,导出关于模态位移的多自由度振动最优控制方程。根据随机动态规划原理,建立HJB方程,得到压电壳的最优控制电势;并给出受控壳系统的频响函数、响应谱密度和相关函数等表达式,以计算其随机响应。最后给出数值结果,显示压电壳的随机最优控制效果。     

316L不锈钢在电解液中的耐蚀性能研究

为分析检测316L不锈钢在电解液中钝化膜的耐腐蚀性能,采用Tafel腐蚀极化曲线、电化学阻抗谱、Mott-Schottky进行了表征。极化曲线结果表明：腐蚀电位为-0.955 V,腐蚀电流密度为10^-4.02 A/cm²;电化学阻抗测试结果表明：当成膜电势为0.3 V时,该膜的耐蚀性能均优异于其他电势下形成的膜;由Mott-Schottky分析表明：钝化膜的施体密度基本随成膜电势的增加而降低,钝化膜的厚度基本随成膜电势增加而增加。同时,根据PDM分析可知该膜在该电解液下100 a内将被腐蚀至4.5 mm的深度。     

可伐合金表面杂质分析

用共振光电子出现电势谱(RPAPS)对真空封接用可伐合金的表面进行了分析,并与俄歇电子谱(AES)和X射线光电子谱(XPS)进行比较。发现RPAPS可容易地分辨出杂质锰和铬,而AES和XPS则不能。由此可见RPAPS可能是一种重要的分析合金表面杂质的工具。     

AEAPS用于电子(束)管闭管无损表面分析

俄歇电子出现电势谱(AEAPS)具有设备简单,谱峰分辩率高,谱线易辩认,能不使用任何能量分析器即能作材料表面成份分析等优点,本文报导了一种利用电子管内电极构成AEAPS谱技术,以检测管内电极表面成份。试验表明这种无损闭管表面分析能监视和跟踪电子管寿命过程中的物理过程,提供有益的信息。本文报导的是利用四极式电子管组成的AEAPS分析仪及其测试结果,对阳极表面成份分析结果表明,铜基底的阳极表面存在有钡、碳和氧等元素。其中钡的M、N系列及O系列的谱峰均清晰可见。     

电势叠加时注意电势零点的转换

电势零点的选取有一定的任意性,电势叠加时要求各电势的电势零点相同,因此,不同电势零点的电势在叠加前需要将各电势零点转换成同一电势零点。在此基础上,进一步分析无穷远电势零点和大地电势零点细微差别。     

出现电势谱元素灵敏度的比较测定

对一些元素的出现电势谱（APS）进行了比较测定，给出了8种元素的APS相对灵敏度因子，那些具有较高空态密度的元素，如镧系元素、锕系元素和3d过渡金属中的大部分，其APS灵敏度较大。     

铜表面电化学制备黑陶质感转化膜的研究

对铜在无硒电化学发黑液中的行为进行了研究.首先通过试验选择NaOH-H3BO3作为缓冲溶液体系,研究了铜在含0.1 mol/L Na2S的缓冲溶液中的循环伏安行为.根据循环伏安曲线上氧化峰的位置,确定铜电化学发黑的适宜电势.然后在不同电势下通过恒电势氧化或循环氧化-还原等方法制备了发黑膜.采用目视和电化学阻抗谱测量等方法,对发黑膜的色度、均一性、致密性和腐蚀防护性能进行了比较.结果表明,循环氧化-还原不能形成性能优良的发黑膜.在-0.8 V和-0.6 V (vs SCE)下形成的发黑膜颜色不均匀,色泽不佳,而在-0.05 V(vs SCE)条件下进行恒电势氧化则可在铜金属表面形成均匀致密、具有黑陶质感的发黑膜.     

静电电压表校准装置中平板电极对电势分布的影响

静电电压表校准装置中的平板电极是该装置的重要组成部分,它的几何参数影响了其周围的电势分布。通过理论分析和仿真计算,分析计算了平板电极直径、形状、厚度、边缘平滑度和离地高度等因素对电势分布的影响。计算结果表明:在测试距离100mm时,以直径为600mm,厚度为1mm的圆形平板电极做参考,直径增加至1000mm,其纵向的电势分布只增强了1.3%;增加平板电极厚度100mm,其纵向电势分布的增强大于5.4%,更加趋近无限大平板电极所产生的电势分布;尺寸相当时,形状对电势分布的影响可以忽略;边缘平滑度对电势的影响可以忽略;距离地面0.5m会形成明显的畸变电势分布。这一结果对校准装置中平板电极的设计具有一定的参考意义。     

出现电势谱元素灵敏度的比较测定

对一些元素的出现电势谱（ＡＰＳ）进行了比较测定，给出了８种元素的ＡＰＳ相对灵敏度因子，那些具有罗高空态密度的元素，如镧系元素、铜系元素和３ｄ过渡金属中的大部分，其ＡＰＳ灵敏度较大。     

微小电势的精密测量方法

用电位计直接测量0.5μV以下的微小电势,由于检流计零位飘移(简称零位电势)及寄生电势的影响,有时测量误差可达1μV左右。零位电势和寄生电势是随着仪器工作条件的改变而变化的,所以采用电流换向及零电势补偿的方法,都难以消除两者的影响,故不能取得满意的测量结果。下面介绍一种偏差法可以较好地解决这一问题。使用这一方法时,电位计的最小步值应小于或等于0.1μV。测量时,将电位计工作电流标准化以后,调整检流计光电放大倍数,使检流计电压分度值为(0.01～0.001)μV/每格左右,按被测电势大约范围,在测量盘上预置一定数值,并记下检流计偏转格数(称为预置数     

一种基于三消隐点的摄像机自标定算法

提出了一种对摄像机进行自标定的方法.该方法是利用自然场景中三组两两正交的平行线所获得的消隐点之间具备的约束条件来实现标定的,并能够对获取的消隐点进行优化校正.利用该方法开展了实验研究,并与采用传统标定方法得到的结果进行了比较,结果表明本文所提出的算法具有较好的应用前景.     

基于改进型两次平衡对检法的感应分压器自校准方法

介绍了参考电势变压器和指零仪变压器设计原理,分析了屏蔽间泄漏对测量结果的影响;对常规两次平衡参考电势对检法进行了改进,使零平衡和段平衡测量过程中,参考电势和测差电路均可实现等电位保护;对自校准方法进行了推导,校准结果仅与段平衡和零平衡时锁相放大器测量的电压差值相关,与参考电势变压器、指零仪变压器、辅助变压器等的误差无关,屏蔽间泄漏的影响也得到消除。对1kV感应分压器进行了校准实验,并对校准结果进行了测量不确定度分析,其相对扩展不确定度的评估结果为5.4×10^-8(k=2)。     

五氧化二铌电脱氧制备金属Nb的反应动力学

采用交流阻抗谱技术研究了Nb2O5的电脱氧机理．Nb2O5的电脱氧过程的交流阻抗谱的响应规律和中间产物表明,Nb2O5的电脱氧反应是分三步逐级进行的：第一步是Nb2O5得到电子还原为低价氧化物NbO2,交流阻抗谱表现为高频半圆;第二步是NbO2得到电子还原为NbO,交流阻抗谱出现第二个响应半圆;第三步是NbO还原为金属Nb,交流阻抗谱在低频端出现第三个响应半圆．用等效电路拟和交流阻抗谱,得到了脱氧反应的电荷传递电阻及其活化能．电荷传递电阻和活化能均随着阴极电势的增加而降低．     

冲模CAD系统中装配图消隐算法

介绍了几种实现模具装配图消隐的方法,分析了各种方法的缺陷.根据模具装配图中各零件之间的相互关系,对模具零件进行了分类,并提出了一种新的实现模具装配图消隐的方法--图形实体重构法.     

“两步法”求取双目视觉传感器中摄象机位置关系

根据平行线“消隐点”理论，提出了用于双目视觉传感器自标定的“两步法”。该方法仅需４对消隐点象面坐标便可线性求解出旋转矩阵，再用２个空间点坐标便可线性求解出平移矢量。     

空心阴极放电中的电势垒和电场反转

利用流体-亚稳态原子模型对柱型空心阴极放电中电场反转和电势垒进行了研究。模拟得到了稳态放电时电势、电子密度、离子密度、电场和粒子流密度等的分布特性。220 V阳极电压和133 Pa氩气下,电子和离子密度峰值位于放电单元中心处,为2.4×1010cm-3;在阴极位降区,离子密度远高于电子密度。负辉区电势高于阳极电势,放电的轴向存在电场反转现象,放电单元的中心处形成一电势垒。电子扩散流密度和电子流密度之比对电场反转的形成有重要影响。文章同时研究了阳极电压对电场反转特性的影响。结果表明,电压升高时,电子扩散流密度升高,电场反转和电势垒现象增强。模拟结果同时表明空心阴极放电模式下有利于电场反转的形成。该研究对于分析空心阴极放电中电场反转的成因有重要的参考价值。