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铜的表面微蚀刻 ,是印制线路 (PWB)板加工过程中的一个重要部分。在镀覆孔 (PTH)、内层 /多层粘合和光致抗蚀层、阻焊层涂覆加工的前处理中 ,有效的微蚀刻是特别重要的。适当的微蚀刻不但可以使加工效果良好 ,而且能够延长板的使用寿命。目前常见的微蚀体系有过硫酸铵 /硫酸、过硫酸钠 /硫酸、过硫酸钾 /硫酸和双氧水 /硫酸体系。这几种微蚀体系在国内是常见的 ,但是它们都存在稳定性差、蚀刻速率不稳定以及蚀刻效果并不理想的缺点。随着多层线路板的层数增多、线路变得复杂以及线路的维数变多 ,微蚀刻变得非常关键 ,开发和使用新的微… 相似文献
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熔石英元件抛光加工亚表面缺陷的检测 总被引:1,自引:0,他引:1
亚表面缺陷的准确检测是进行亚表面损伤研究的前提和基础,对保证光学元件加工质量至关重要.基于HF酸化学蚀刻法对熔石英元件抛光加工产生的亚表面水解层、缺陷层深度和亚表面损伤形貌进行了定量检测,并利用X射线荧光光谱法研究了熔石英抛光试件杂质元素的种类和元素含量沿深度分布规律,提出了熔石英元件抛光加工亚表面损伤深度的判定方法.研究表明:由于水解层和亚表面缺陷层的存在,熔石英抛光试件的蚀刻速率随着时间的增加呈现递减的趋势,且在蚀刻的初始阶段蚀刻速率下降尤为明显;当蚀刻深度超过某一特定值后,全部或部分覆盖在水解层以下的缺陷层将会被完全蚀刻去除,蚀刻速率基本保持不变;另外,熔石英抛光试件存在多种形式的表面及亚表面缺陷,在不同蚀刻深度,亚表面损伤形貌、划痕的宽度和深度也存在一定的差异. 相似文献
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电路扳制作业定期排放以硫酸/双氧水一种微蚀液,主要是蚀刻电路板上不需要的金属铜,该微蚀液会造成废水处理水质不稳定,并产生大量的金属污泥,造成贵金属铜的大大浪费。本文从微蚀液的来源及其特点出发,对国内外主要处理方法进行了简要的介绍,对各种方法的特点及适用性进行了分析,并指出了以硫酸/双氧水一种微蚀液资源回收利用的主要发展方向。 相似文献
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热网二级换热站一般采用板式换热器,在其使役过程中不锈钢换热板一旦出现腐蚀穿孔,不但影响一次水水质,而且干扰换热器稳定运行,甚至影响居民供热,因此阐明换热板发生点蚀的临界条件对于科学设定水质控制标准和防止点蚀发生具有重要意义。为此,通过材料化学分析、XRD、SEM及电化学测试等方法对这一问题进行研究。结果表明:在65℃条件下,304不锈钢点蚀的临界Cl;浓度为125 mg/L,316L不锈钢点蚀的临界Cl;浓度为230 mg/L;不锈钢表面一旦形成垢层,表面会发生局部酸化,此时不锈钢更容易发生点蚀;运行过程中为了防止不锈钢换热板点蚀,不仅要严格控制循环水中Cl;浓度,还应防止换热板表面结垢或附着腐蚀产物。 相似文献
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机械化学抛光(CMP)工艺普遍应用于纳/微机械制造中,特别是复杂的层状结构MEMS.鉴于镍及镍基合金具有高的沉积速率、可控的薄层应力、低的电阻和制备温度以及机械特性,本文研究了镍及镍基合金用于具有运动结构的纳/微EMS器件的可行性,重点研究了基于镍的CMP工艺,其电化学势的变化用电动势极化曲线进行了分析,镍膜层表面用XPS和SEM进行了分析,结果表明:镍的刻蚀速率随着双氧水和缓蚀剂EDTA浓度中加而增加,在双氧水浓度在1%左右时达到最大.其刻蚀过程的动态和静态的电动势极化曲线具有明显不同,XPS分析表明:无双氧水的刻蚀液薄膜表面主要是形成NiO,存在H2O2的刻蚀液薄膜表面主要是形成Ni(OH)2,表面的镍所处的电化学状态是影响刻蚀行为的主要原因. 相似文献
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评述了目前流行的PCB镀前处理技术的缺陷,介绍了H_2O_2/H_2SO_4化学粗化蚀刻工艺、革新的高锰酸盐内蚀/去污工艺,其特点是可靠性高,控制简单,易于取代硫酸、氯化铜、三氯化铁、过硫酸盐、铬酸和等离子体的普通内蚀工艺、显示出质量和操作上的优越性。 相似文献
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铝型材在阳极氧化着色前必须进行预处理,其过程主要包括:脱脂、碱蚀、光化及中问的水洗处理等工序. 碱蚀处理是在脱脂的基础上进一步除去表面脏物,并将表面的轻微划纹和天然氧化膜溶解掉,使基体金属表商暴露出来,以利于阳极氧化顺利进行. 在碱蚀过程中,不断有铝离子溶入碱蚀液中,形成铝酸钠溶液,通常碱蚀液中含氢氧化钠约80~120克/升,当碱蚀液中铝离子浓度大于35克/升时,铝酸钠溶液就变得不稳定,并有氢氧化铝析出,当 相似文献
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AZ91D镁合金热处理与微弧氧化的交互作用 总被引:2,自引:0,他引:2
随着AZ91D镁合金微弧氧化反应的进行,膜层逐渐增厚,膜层表面的喷射孔洞和喷射沉积物粗大化,膜层表面粗糙度增大.微弧氧化反应时膜层内部的应力集中会使膜层萌生微裂纹.对基体进行固溶处理后可以改善其微弧氧化膜层中微裂纹的数量和形态以及膜层表面的粗糙度,并能提高微弧氧化膜层的生长速率,同时降低微弧氧化过程的能耗.时效处理会使微弧氧化膜层中的残余应力得以释放,微弧氧化膜的形貌没有发生明显改变,即膜层表面的微裂纹在数量和形态上仍好于未经热处理基体膜层.微弧氧化处理不会引起基体组织的显著变化.在硅酸盐溶液体系中,AZ91D镁合金表面参与微弧氧化反应的Al比Mg少得多,同时还伴随着一个溶液中的Si向镁合金基体内部渗透的过程. 相似文献
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在镀上金属电极前,对CdTe表面进行化学蚀刻是制备高效率碲化镉薄膜太阳电池的关键技术之一.本实验用Br2-甲醇对热处理后的CdTe薄膜进行蚀刻,并利用XRD、AFM研究其结构、成分和形貌.结果表明:蚀刻后的CdTe薄膜获得一银灰色的光洁表面,并发现CdTe薄膜表面产生一富Te层,蚀刻厚度达到1μm获得性能最好的太阳电池.用Br2-甲醇蚀刻后的CdTe薄膜,采用ZnTe/ZdTe:Cu复合层作为背接触层的过度层,已获得了转换效率为13.38%的太阳电池. 相似文献
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多层等离子体蚀刻技术的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
干法刻蚀现已成为微小高深宽比结构加工与微细图形制作的重要手段.提出了一种新的干法刻蚀技术一多层等离子体蚀刻,充分利用腔体的空间布局,布置多层电极,并采用分层送气装置输送放电气体,实现多层同时进行刻蚀,可成倍提高产能.采用该技术刻蚀光阻为例,从空间与时间两个角度分析了工艺参数对刻蚀速率与均匀性的影响规律与作用机理.实验结果表明,极板间距为50/55/60mm(由下向上),工作压力为40Pa,R[O2:Ar]为1/2,RF功率为600W时,整炉次刻蚀速率均值为14.395nm/min,均匀性为9.8%,此时工艺最为合理. 相似文献
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采用电化学蚀刻方法在碳化硅颗粒增强复合材料(SiC/Al)表面构筑了微纳结构, 重点分析了蚀刻电流密度和蚀刻时间等关键操作参数对所得表面微观形貌及润湿特性的影响。研究发现, 较高电流密度(6 A/dm2)下刻蚀的SiC/Al复合材料表面可形成由微米级“粒状”结构和纳米级结构(颗粒状和波鳞状)复合而成的微-纳双层结构, 且这种特殊结构不因后续刻蚀时间延长而改变; 优化条件形成的SiC/Al复合材料刻蚀表面呈现出静态接触角高达160.7°、滚动角低至4°的超疏水特性。本研究结果说明SiC/Al复合材料可用于制备自清洁表面。 相似文献
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通过选择性离子注入,在硅片表面形成P区、N区紧密接触的PN结结构.实验发现,在黑暗条件下,PN结N型区域可被HF酸或BOE溶液选择性腐蚀;该腐蚀速率与HF酸溶液浓度有关,随环境温度升高而加快,腐蚀速率范围为0.25~3.5nm/min;腐蚀后硅片表面平整.对腐蚀机理进行了初步讨论.结合氧化硅蚀刻缓冲液(BOE溶液)氧化硅牺牲层腐蚀技术,发展出一套硅纳米线加工工艺;利用该工艺,加工出特征尺寸小于100nm的硅纳米线. 相似文献
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石墨具有固态超滑和耐酸、耐碱和耐有机溶剂腐蚀等特性, 使其有望成为微机电系统 (MEMS) 基础材料的一种选择。如能通过微纳米加工工艺对石墨进行微加工并在石墨上大批量、稳定、可控地制备各种掩模图案和石墨微结构, 一定程度上可以推动石墨成为MEMS基础材料。故本文通过工艺设计和参数摸索, 利用薄膜沉积、光刻、刻蚀等常用的微纳米加工工艺对石墨进行微加工研究, 并对加工后的石墨进行表征。结果表明, 利用薄膜沉积技术在石墨表面沉积的薄膜可以满足后续光刻和刻蚀等工艺的要求。同时, 采用光刻技术能在石墨表面大批量、稳定、可控地加工出不同形状, 不同尺寸的光刻胶掩模图案。此外, 利用刻蚀技术可以在石墨上大批量、稳定、可控地加工出形状较规则, 排列整齐且垂直度较高的石墨微结构。 相似文献
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将高强韧2024铝合金分别在质量浓度为100,200,300 g/L的硫酸溶液中进行60 min的表面陶瓷化处理后,在2024铝合金表面原位生成一层陶瓷膜层。对陶瓷膜层的显微组织、膜层厚度、显微硬度以及电化学性能等进行研究。研究结果表明:随着硫酸质量浓度的增加,陶瓷膜层显微硬度先增加后减少,当硫酸质量浓度为200 g/L时,陶瓷膜层显微硬度最大,为273.7 HV;而陶瓷膜层厚度受硫酸浓度影响不大,均为60 μm左右。随硫酸质量浓度的增加,陶瓷膜层表面粗糙度Ra先减小后增大,当硫酸质量浓度为200 g/L时,表面粗糙度为0.252 μm,磨损体积为0.103 mm3,只有硫酸质量浓度为100 g/L时所制备陶瓷膜层磨损体积的1/5左右。物相分析得到2024铝合金表面陶瓷膜层主要是γ-Al2O3相。用200 g/L硫酸制备的Al2O3陶瓷膜的自腐蚀电位和极化电阻均达到最大,分别为-0.604 V和48 152.9 Ω。综合分析陶瓷膜的耐磨性能和耐腐蚀性能,在... 相似文献