共查询到20条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
李淑芳 《固体电子学研究与进展》1992,(2)
<正>《Electronics Letters》1991年8月报道了用MOVPE方法生长的高性能InAlAs/InGaAs/InP异质结MODFET。由于这种结构的材料具有较高的室温电子迁移率和高的有效电子速度,所以,它在超高频响应和增益方面,优于以GaAs为衬底的异质结MODFET。 相似文献
3.
本文描述以液相外延和汽相外延相结合的混合外延生长法研制1.5μm波长InGaAsP/InP双异质结材料的实验,并分析其测试结果。 相似文献
4.
本文报导在(100)晶向InP衬底上,液相外延生长(λ=1.0~1.31μm)GaInAsP/InP双异质结的研究结果。测定了600—670℃温度范围内InP在In中的饱和溶解度,研究了Te、Sn和Zn、Mg等掺杂剂的行为。用X光双晶衍射法研究了GaInAsP/InP异质结的晶格失配,用扫描电镜电子束感生电流法和电化学C-V法研究了外延片中p-n结偏位现象。用光吸收法测试外延片吸收边,估算了外延片中四元层的禁带宽度,并与制管后的发光波长作了比较。外延片可制得发光波长1.0~1.3μm、功率达1mw(100mA工作电流)的光通讯用小面积发光二极管。 相似文献
5.
6.
7.
8.
<正> 一、引 言 GaInAsP/InP双异质结材料和器件是当前光通讯研究中人们很感兴趣的一个领域.它具有以下几个特点:(1)有源层禁带可以在相应波长0.96-1.67μm范围内任意选择,适合于低损耗、低色散的光纤传输.(2)能够用异质结阻挡位错的延伸,而本身又可以晶格匹配地生长,不引进失配位错.(3)在有源层达到高效率的发射复合,然后通过透明的InP层,保证有效地取出发射光.(4)InP的热导性较好.(5)该异质结材料不易氧化,生长工艺容易稳定. 相似文献
9.
阐述了InP/InGaAs异质结双极晶体管的最新发展动态,重点讨论了HBT的结构与性能以及HBTIC的高速性能与可靠性问题 相似文献
10.
在77K°的低温下NPnN型N-InGaAsP(E)/P-InGaAs(B)/n-InGaAs(C_1)-N-InP(C_2)双极型晶体管的伏安曲线族显示出一个较大的开启电压V_(on)≌0.8伏。这个开启电压起源于收集区耗尽层中n-InGaAs(C_1)/N-Inp(C_2)同型异质结导带尖峰在低温下对电子的阻挡效应。对n-InGaAs/N-InP同型异质结的测量表明在室温下nN结呈现欧姆特性,当温度降至77K时则表现为非欧姆特性,整流比为5:1。 相似文献
11.
本文报道了用反应离子刻蚀(RIE)与晶向湿法化学腐蚀(XWCE)相结合沿InP衬底(110)方向获得工作波长1.3μm的InGaAsP/InP双异质结激光器的腔面的方法.用CH4:H2:Ar2的混合物作干法刻蚀的反应气体,用H2SO4:HCl:H2O2作湿法腐蚀的腐蚀剂,我们获得了质量较好的激光器的光学腔面.用一个刻蚀腔面与一个解理面组成激光器的F-P腔,我们获得了它的宽接触阈值电流和微分量子效率与用传统的解理腔面的激光器的宽接触阈值电流与微分量子效率相当的激光器. 相似文献
12.
采用“双生长室”氯化物汽相输运外延技术已研制出异质结InGaAsP/InP。两个独立的生长室,其中一个用来生长InGaAsP,另一个用来生长InP,而它们都连接于一个出口端。衬底是在几秒钟内机械地从一个室传输到另一个室,因而在异质界面不会出现互相沾污的生长,获得了陡峭度小于50 的晶格匹配良好的异质结构界面。用这种技术制备的InGaAsP/InP DH激光器,在室温下CW溅射,发现其阈值相当于液相外延制备的激光器。 相似文献
13.
14.
15.
16.
17.
采用InGaAsP/InP材料系,将吸收层加到宽带隙异质结光电晶体管上,研制出了具有窄光谱响应的高增益光电晶体管(波长可选光电晶体管)。得到了光谱响应峰值约1.2μm,光谱半宽度为53μm。在峰值波长和入射光功率P_(in)为3.6μw时,这种器件呈现出高达400的光学增益。在P_(in)=10μw时,测得上升时间是18μs。还测量了器件的噪声特性,在光学偏置功率为0.1μw、频率为2 KHz时,估计器件总探测度为3.7×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。从理论上详细讨论了这些特性。 相似文献
18.
用液相外延方法研制了InGaAsP/InP异质结双极晶体管(HBT),并研究了其直流特性。该HBT的发射区和集电区材料为InP(禁带宽度为1.35eV),基区材料为InGaAsP(禁带宽度0.95eV)。器件采用台面结构,发射结、集电结面积分别为5.0×10~(-5)cm~2、3.46×10~(-5)cm~2。基区宽度约为0.2μm,基区掺杂浓度为(2~3)×10~(17)/cm~3。在I_c=3~5mA,V_(ce)=5~10V时。共射极电流放大倍数达到30~760。符号表 q 电子电荷ε介电常数 k 玻耳兹曼常数 T 绝对温度β共射极电流放大倍数γ发射极注入效率 A_e 发射结面积 I_(ne) 发射极电子电流 I_(pe) 发射极空穴电流 I_(rb) 基区体内复合电流 I_(gre) 发射结空间电荷区产生-复合电流 I_(sb) 基区表面复合电流 I_(nc) 被集电极收集的电子电流 m_(pb)~* 基区中空穴有效质量 m_(?)~* 发射区电子有效质量 N_(Ab) 基区中受主掺杂浓度 N_(D(?)) 发射区施主掺杂浓度 N_(D(?)) 集电区施主掺杂浓度 W_b 基区宽度 L_(ab) 基区中电子扩散长度μ_(ab) 基区中电子迁移率τ_(ab) 基区中电子寿命 V_(no) 从发射区注入到基区电子的平均速度 V_(p(?)) 从基区注入到发射区空穴的平均速度△E_g 发射区与基区的禁带宽度差△E_c 异质结交界面导带不连续量△E_v 异质结交界面价带不连续量。且有:△E_c+△E_v=△E_g A_(?) 基区表面有效复合面积 相似文献
19.
使用金属有机物气相沉积方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过比较不同缓冲层生长条件下的外延层晶体质量,发现在生长温度为450℃,厚度约15nm的缓冲层上外延所得到的晶体质量最理想;此外,外延层厚度的增加对其晶体质量有明显改善作用.实验在优化生长条件的同时,也考虑了热退火等辅助工艺,最后所获得的外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)的ω/2θ扫描外延峰半高全宽(FWHM)值为238.5". 相似文献
20.
使用金属有机物气相沉积方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过比较不同缓冲层生长条件下的外延层晶体质量,发现在生长温度为450℃,厚度约15nm的缓冲层上外延所得到的晶体质量最理想;此外,外延层厚度的增加对其晶体质量有明显改善作用.实验在优化生长条件的同时,也考虑了热退火等辅助工艺,最后所获得的外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)的ω/2θ扫描外延峰半高全宽(FWHM)值为238.5". 相似文献