用于摄象器件的a-Si∶H膜

1.引言人们在进行高性能摄象器件的研究中,将氢化无定形硅(α—Si:H)膜用作摄象管的靶正在引人注目。其原因是α—Si:H靶具有灵敏度高、分光灵敏度复盖了整个可见光区域、分辨率高、烧伤现象非常小等特点。而且,和固体摄象器件相比较,虽然在薄形、     

使用200万个象素CCD三板式彩色图象摄象机

日本电气公司已开发采用有效象素数约200万(水平1920×垂直1035)CCD型固体摄象器件的三板式彩色摄象机。标准摄象条件(2000lx,F2.8,色温3200K)的信噪比为54dB。采用相关双重取样电路,以降低噪声。饱和被摄体亮度为8000lx。最小被摄体亮度为250lx,其信噪比为36dB。斑点范围为0.1％～1％(1/10v测量),现在正在研究控制斑点的方法,预计1990年实用化。另外,200万个象素数的CCD东芝也在制作。     

用离子注入方法制作的大功率GaAsFET

采用离子注入形成沟道层和n~+欧姆接触区的技术,研制了大功率GaAsFET。由于引入了表面载流子浓度高的n~+区,器件的烧毁特性得到了改善。业已表明烧毁电压可以高于40V,器件的源漏饱和电流(I_(dss))和射频输出功率比用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)方法制作的功率GaAsFET更为均匀,已用实验证明由于芯片均匀性好,这种FET的多芯片运用具有优良的功率合成效率。一个总栅宽W_G为14.4mm的双芯片器件已在10GHz下以4dB的增益和23％的功率附加效率推出5W的输出功率;总栅宽为28.8mm的四芯片器件在8GHz下给出10W(G=4.5dB,η_(add)=23％),另一个总栅宽为48mm的四芯片器件在5GHz下推出15W(G=8dB,η_(add)=30％)。     

单片彩色摄象机中的CCD摄象传感器

<正> 报导了384(水平)×490(垂直)单元行间转移CCD摄象传感器(ED-500)。该器件采用灵敏的p-n~+结光电二极管、有大的电荷处理能力的CCD寄存器、低噪声电荷检测器和精细的隔行扫描。仅用一个这样器件的彩色摄象机照样得到高灵敏度和宽的动态范围。摄象传感器图形和单元横截面图示于图1和图2。每个单元是由一个没有任何复盖电极的p-n~+结光电二极管、一个转移栅φ_(TG)以及半位CCD垂直寄存器组成的。垂直寄存器由互补的时钟脉冲φ_(V1)和φ_(V2)驱动。表面沟转移栅和紧接着转移栅的垂直寄存器中小的表面沟部分起     

CCD元件测量激光光斑能量分布

用CCD摄象器件可测量常规方法不能测量的瞬态和低光功率(10~(-9)w)激光束能最分布。已对0.3371μ到1.06μ之间各种的激光进行了成功的测量。应用光衰减器和可控电子曝光,所测的光能量动态范围较大。     

一种网状刻蚀铝掩膜层的制备

热释电摄象管(PEV)之所以受到注意,是由于它是比较便宜、具有中等性能的红外(8～14μm)成象器件。象任何一种成象器件那样,在热释电摄象管中,决定性能的参数是灵敏度、噪声和分辨率。非网状靶面热释电摄象管的分辨率受到两个方面的限制:电子束放电滞后和靶面的横向热扩散。电子束放电滞后的结果使信号不能完全读出。若以平移模式工作,在高空间频率下,这就会引起信息的损失。另一方面,在高空间频率下,由于热象区到冷象区的热扩     

摄象管靶压动态范围

本文以碲化锌镉摄象管为例,叙述与摄象管靶压动态范围有关的因素,其中主要与透明电极上疵点大小,光导层所含颗粒的大小,蒸发速率,基片温度及热处理工艺有关。并从这几方面来调整靶压动态范围。对蒸发型摄象靶,由于其负象与靶压下限有关,因此对负象产生原因和消失过程进行必要的解释并提出简单的理论模型。     

硅增强靶摄象管的动态范围与增强段MTF的关系

本文讨论硅增强靶摄象管的外动态范围。摄象机的自动光量控制系统可使光动态范围高达10~8∶1,从而实现全天候工作。为使该控制系统有效地发挥作用,要求SIT管在高压3～9kV范围内随控制系统变化时都能提供较好的分辨率,即较高的调制传递函数MTF、特别是在3kV时分辨率不致降得很低。为此,我们利用了“象管电子光学FOR TRAN通用程序”,在SIEMENS 7760计算机上对两种摄象管增强段的电子光学系统及其MTF进行了计算与分析,其结果与实际较为符合。计算与分析的具体内容有:两种管型在不同加速电压下的MTF曲线;400TVL的调制度随加速电压的变化;MTF随象面位置偏离的变化;在不同加速电压下的400TVL调制度随象面位置的变化;最佳工作点与最佳靶面位置的选择等,最后对动态范围的有关参量进行了初步探讨。     

用氢掺杂无定形硅作材料的高灵敏度、高分辨率摄象管的研制

我们研制了一种用氢掺杂无定形硅作光导电材料的摄象管.供彩色摄象机用,具有必要的分光灵敏度特性,绝对灵敏度高.靶压取30V时,信号电流为0.9μA/10Lx(3200°K).靶压在30～50V范围内,暗电流低于1nA.分辨率也很高.不过用于广播上惰性较大.存储型摄象器件,一定要取高阻抗光导电材料.无定形半导体材料的阻抗高,因此从本质上讲是属于存储摄象范畴的.     

静电感应晶体管摄象传感器

日本Olympus光学公司研制了一种新型的摄象器件—静电感应晶体管(SIT)图象传感器,每一个象元即为一个静电感应晶体管,栅极上制作一MOS电容,电容上产生的光生载流子读出时得到了放大,该器件有灵敏度高、噪声低、动态范围宽、非破坏性读出、工作速率等优点,最大缺点是输出信号非均匀性     

索尼研制用于HDTV摄象机的1英寸FIT CCD

日本索尼公司已研制成一种用于高清晰度电视摄象机的1英寸、200万象素的帧隔行传输(FIT)CCD 摄象器件。采用新型元件结构、拖尾可降低到100dB,水平有效象素为1920个,垂直有效象素为1036个,水平分辨率1000电视行,最大动态范围72d B,最大灵敏度为75nA。     

功率器件注入效率的限制因素

本文用精确的双极晶体管一维模型叙述了禁带变窄、SRH(肖克莱-里德-霍尔)复合、俄歇复合、载流子-载流子散射和载流子-晶格散射等机构。利用这种晶体管作为一种工具,来研究决定发射极结深为1～8微米的器件的发射极效率的上述这些现象中的每一个现象的相对重要性。结果表明,禁带变窄对2微米或更浅的浅发射极器件是主要的影响因素,SRH 复合对发射极结深大于4微米的器件是主要的影响因素。所给出的计算也表明,对具有1～8微米发射极结深的器件来说,发射极表面浓度和高注入对电流增益有影响。结果表明,对1微米的发射极结深的器件,最佳表面浓度为5×10~(19)厘米~(-3),而对发射极结深大于4微米的器件,直到10~(21)厘米~(-3)还没有达到最佳值。     

采用非晶硅的高速电子束扫描型摄象管

1.绪言现在,遍及广播和家庭范围内所用的光电导型摄象管,都做成在帧期间存储光电导膜内产生正的光生载流子、并用低速电子束读出载流子的结构。因此,不能无视扫描电子束着靶电阻和电子束弯曲,电容性残象、图形畸变和分辨率不均匀等常成为难题。对于解决这些问题的尝试,1961年     

日本NHK和奥林巴斯开发放大型固体摄象器件

日本NHK广播技术研究所和奥林巴斯光学工业公司已共同开发放大型固体摄象器件(AMI)。固体摄象器件是电视摄象机的“电子眼睛”。若采用新型器件,与以前的CCD相比,高灵敏工作时清晰度也高。作为新一代的摄象器件,将可应用于高灵敏度摄象机、高速摄象机、高视度等方面。新型固体摄象器件放大电子信号约100倍,因此与CCD 相比,信噪比约提高二倍。另外,根据信号读出的办法1/20秒钟以后完全消除残像,并可进行清楚高速运动。     

医用摄象管的特性分析

本文分析了可变增益SIT(硅倍增靶)的x射线摄象倍增管。X射线SIT管具有1～300的增益控制范围、低噪声及1500电视线/直径限制的分辨率,而且其图象质量可与采用光耦合x射线倍增—光导摄豪管相结合而获得的图象质量相比美。还给出了x射线SIT靶的工艺考虑,并给出了靶噪声的详细分析。概述了现用的x射线SIT管的测量特性。     

高性能硅光电探测器设计及温度特性研究

采用适当的器件工艺和特制2 mm厚无附加镀层光学玻璃滤光片,使所研制的绿光Si光电探测器的最大量子效率η达到91%,光响应信噪比(SNR)大于1×104.对该Si光电探测器在零偏下的光电流温度特性进行了测量,并对结果做了较深入的理论分析.     

硒砷碲摄象管靶面中碲含量及分布对其光电特性的影响

引言硒砷碲摄象管(Saticon)是一种具有分辨率高,暗电流小,惰性小等优良特性的光导摄象管,它的各项技术指标都已达到氧化铝管的水平,已广泛用于彩色广播电视摄象系统。硒砷碲摄象管靶面是由无定型硒(Se)做主体材料而掺以一定比例的砷(As)、碲(Te)、而组成的。掺 As 的目的是增加无定型 Se 材料的热稳定性。由实验研究已证明,在无定型 Se 中均匀掺以7—15%原子比的 As 可得到即热稳定性好,又保持无定型 Se 良好光电特性的靶面、掺 Te 的目的是改善靶面的光谱响应。实验已表明纯 Se 或掺 As10—15%的 Se     

固体摄象器件的新进展

固体摄象器件最近进展,主要表现在二个方面:一是8.1mm(1/3英寸)CCD摄象器件的性能全面超过以前的12.7mm(1/2英寸)CCD器件;二是已作出试验性HDTV CCD摄象器件。固体摄象器件获得如此巨大进展,主要是由于在工艺技术上作了许多改进。     

适用于X射线摄象和其它用途的新型沟槽限定MISIM CCD结构

本文提出并分析了一种新颖的电荷耦合器件(CCD),这种器件是一种采用沟槽限定的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属(MISIM)夹层结构。这种CCD具有很高的电荷容量和很深的光致载流子收集深度。沟槽CCD结构在X射线摄象以及高密度可见光和红外光摄象方面都具有潜在应用前景。     

三相三层多晶硅交叠栅结构CCD固体摄象器件

选用三相三层多晶硅交叠栅结构制作了108×100位,300×230位、512×320位面阵和1024位线阵 CCD 摄象器件。介绍了这种结构的特点、设计考虑和工艺过程,叙述了几种器件的结构原理和实验结果。制成的器件获得了每次为99.99%以上的转移效率,灵敏度大于3000μA/lm,暗电流密度小于20nA/cm~2,动态范围大于75:1。用这些器件已摄出了清晰的图象。