NAND闪存PK微硬盘

自2005年9月美国苹果电脑公司推出2Gb／4Gb NAND闪存替代微硬盘的ipod nano以来，在便携式消费类电子产品中NAND闪存替代微硬盘的呼声日益高涨，NAND闪存VS微硬盘的竞争日趋激烈，NAND闪存能PK掉微硬盘吗？这是NAND闪存和微硬盘业界共同关心的话题。业界普遍认为，NAND闪存与微硬盘将共存很长一段时间，正如希捷CEO Bill Watkins所说：“微硬盘与NAND闪存是一对好朋友”。当前微硬盘大规模向NAND闪存转变不太可能，或许也没有必要。从长远看，哪一种存储技术将占主导尚不明确。但是，2006年初三星电子半导体CEO黄昌圭放言：“硬盘时代”正逐渐结束，“闪存时代”即将来临。从短期看，2Gb／4Gb存储容量将成为双方争夺的对象，正如isuppli公司评论：”2006年微硬盘和NAND闪存两手都要硬”。在便携式消费类电子产品中到底采用哪一种存储器，由其存储容量、成本、尺寸、功耗和可靠性来决定。     

三星电子全球率先批量生产20纳米制程NAND闪存

据外电报道,三星电子表示,该公司从上周末开始批量生产20纳米制程32GB多层单元(MLC)NAND闪存。20纳米制程32GB多层单元NAND闪存的生产性,比30纳米制程高50%左     

英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存

正英特尔和美光科技(MicronTechnology)日前宣布,已开发出128Gb的NAND闪存,新元件采用了针对闪存改良的20 nm工艺制程,将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。两家公司声称,他们开发出了全球首款独立型128 Gb存储器,并表示将立即使用相同的制程量产20 nm的64 Gb NAND闪存元件,而新的128 Gb元件预     

赛普拉斯West Bridge控制器适用于PMP、PND、无线网卡及其它嵌入式应用

赛普拉斯半导体公司推出了一款具备多层单元(MLC)NAND闪存支持能力的新型West Bridge外设控制器,可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持.这款West BridgeAstoria?控制器最高支持16个MLC NAND闪存设备,而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC)NAND闪存相比,其成本降低了3倍.     

赛普拉斯新型West Bridge控制器提供层多单元闪存支持能力

赛普拉斯半导体公司日前推出了一款具备多层单元（MLC）NAND闪存支持能力的新型West Bridge外设控制器，可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持。这款West Bridge Astoria控制器最高支持16个MLCNAND闪存设备，而MLCNAND闪存与相同存储密度的单层单元（SLC）NAND闪存相比。其成本降低了三倍。     

20nm制程技术：新纳米制程技术

英特尔公司和美光科技公司针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘（SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其他数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

价格突破垄断应用更加广泛

据韩国的主要存储器厂商介绍:“在日本,许多电子词典制造厂家都开始在其产品中采用NAND型闪存替代掩膜ROM。而在韩国,几乎所有手机制造厂家的产品都已经将代码存储从N O R型转换为NAND型。”用于数据存储的闪存,通常适用于存储静态画面和音乐、动态画面以及PC数据等,其存储器的典型结构是NAND型与AG-AND型。同以NOR型为主的用于代码存储的闪存相比,易于增大容量,每位的成本低,而且写入速度快。NAND型闪存的用途正在发生巨大变化。目前主要是面向数码相机,用作存储卡的存储,最近,在嵌入式设备中正逐渐将其用于代码存储。今后几…     

2010年100GB闪存价格将降至100美元以下

100GB闪存将改写电子产品市场格局目前,NAND闪存的批量价格为6.3美元/GB～8.5美元/GB。在此基础上,如果今后存储器生产厂商能够按照每年50%的速度降低闪存价格,到2010年,100GB NAND闪存的价格将会达到1万日元(约     

100GB闪存将改写电子产品市场格局

目前,NAND闪存的批量价格为6.3美元/GB～8.5美元/GB.在此基础上,如果今后存储器生产厂商能够按照每年50%的速度降低闪存价格,到2010年,100GB NAND闪存的价格将会达到1万日元(约合630元人民币).     

NAND快闪存储器"三明治"可支持高性能应用

位于美国加州纽华克（Newark）的闪存磁盘制造商——M-Systems公司与日本东芝公司设在该州伊尔文（Irvine）的半导体制造商——东芝美国电子元件公司经过合作，开发出了一项创新性的技术，该技术使得标准的多级单元（MLC）NAND快闪存储器能够在通常被NOR型存储器所主宰的高速、高可靠性系统中得到应用，例如代码数据和局部数据存储器。这项被称为x2的创新技术改进了NAND操作规范，并可使同等的NOR存储器容量增加三倍，或使同等的二进制NAND存储器容量增加一倍。标准NOR允许直接根据存储器的指令执行软件，但操作速度低于NAND，…     

应用决定闪存

目前从多芯片到复合组件的供应，快闪存储器分为不同的类型，关键是如何根据自己的需要选用适合的产品。一般地讲，存在NAND和NOR两种类型的闪存。前者用于数据存储应用，而NOR型快闪存储器用于代码存储。NAND器件的连续读取方式适合以数据块为基础的数据存储应用。便携设备是快闪存储器的最佳用武之地，尤其与旋转媒体相比更是如此(不考虑成本因素)。实际上，闪存比旋转媒体具有更小更轻的优势，从而构成便携式电子产品应用的两个关键要素。目前市场上呈现的一种发展趋势是设计师在寻求用NAND闪存代替NOR型器件，即使在代码存储应…     

2010年100GB闪存价格将降至100美元以下——100GB闪存将改写电子产品市场格局

目前，NAND闪存的批量价格为6.3美元／GB-8.5美元／GB。在此基础上，如果今后存储器生产厂商能够按照每年50％的速度降低闪存价格，到2010年，100GBNAND闪存的价格将会达到1万日元（约合630元人民币）。而且，如果存储器生产厂商之间的竞争进一步激化，那么闪存价格的下降速度也会更快。     

SLC NAND闪存针对嵌入式市场升级工艺标准

日前,Spansion公司宣布其首个单层单元(SLC)系列Spansion NAND闪存产品开始出样,它采用4xnm浮栅技术,专门用于汽车、消费及网络应用的数据存储需求。Spansion SLC NAND将分为3.0V和1.8V两个系列,存储容量在1Gb～8Gb之间,该产     

20nm之后将采取三维层叠技术

在今后的2年-3年内,NAND闪存的集成度仍将保持目前的发展速度（见图B．1）。具体来说,到2011年-2012年,通过采用2Xnrn的制造工艺与3位／单元4位／单元的多值技术,NAND闪存很有可能实现128Gb的容量。     

MLC闪存的最小和译码算法研究

随着多级单元(Multi-Level Cell,MLC)闪存存储密度的增加,单元间干扰(Cell-toCell Interference,CCI)成为影响NAND闪存可靠性的主要噪声。针对这种情况,在深入分析MLC闪存信道模型和CCI噪声模型的基础上,利用MLC阈值电压的均匀感知策略获取闪存页中每比特的对数似然比(Log-Likelihood Ratio,LLR)信息,提出了一种MLC型NAND闪存的最小和译码算法。仿真结果表明,在MLC闪存信道下,该方法既可保证闪存单元可靠性,又具有较短闪存单元的读取时间,从而实现了译码复杂度和性能间的良好折衷。     

英特尔美光联合推出34纳米闪存芯片

英特尔和美光科技近日发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称,他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片,存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术,从而将实现高容量的优盘。     

NAND的增长重塑NOR市场 NOR供应商需寻求新的非易失性存储器技术

2005年第一季度NAND闪存收入首次超过NOR, iSuppli公司预测,尽管表面上消费类电子对于低成本固态存储器的巨大需求将推动NAND需求的增长,但NOR超越NAND的情况在未来几年将继续。如图所示,2005年NAND总收入将超越NOR,略高于整个闪存市场收入的一半。到2007年,NAND的收入将占据整个闪存市场收入的61%。     

英特尔美光公布存储密度更高的新型闪存芯片

英特尔和美光近日公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间,还能增加消费电子产品的存储容量。新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息,存储容量高达64G位（相当于8GB）。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的NAND闪存芯片。     

短新闻

东芝推出目前存储容量最大的嵌入式NAND闪存模块近日,东芝宣布推出128GB嵌入式NAND闪存模块,该容量是目前业内同类产品的最大容量。     

基于Socket套接字实现的Flash固化工具

套接字是一种网络编程接口,应用程序通过这种接口可以和不同网络中的应用程序进行通信,而不必担心网络协议不同所引发的问题。而Flash闪存是非易失存储器,可以对存储器单元块进行擦写和再编程,NOR和NAND是两种主要的非易失闪存技术,NOR主要应用在代码存储,NAND适合于数据存储。文章介绍了基于UDP协议的Socket网络编程机制和原理,完成了基于Socket协议的Flash固化工具的实现。