快速热处理对PECVD碳化硅薄膜性能的影响

使用PECVD在p型单晶硅衬底上沉积非晶碳化硅薄膜,研究快速热处理对薄膜的钝化性能和光学性能的影响.结果显示:随着热处理温度从450℃升高到850℃,薄膜厚度迅速减小;在650℃及以下温度进行热处理后折射率基本不变,但温度继续上升折射率迅速上升;同时热处理对薄膜的厚度和折射率的影响能在很短时间内完成,使薄膜迅速致密化.在低于750℃热处理时,衬底少子寿命增加,在热处理温度高于750℃后少子寿命急剧下降.碳化硅薄膜的反射率在快速热处理之后基本不变.     

水蒸汽对ZTM15(Y2O3)材料低温时效现象的影响

通过对ZrO2增韧莫来石陶瓷(ZTM)低温时效现象的研究,发现试样表面及内部存在的微裂纹是导致材料在100～200℃时效处理后强度下降的重要原因.当莫来石基体中四方氧化锆(t-ZrO2)晶粒为1.8μm时,ZTM15(2.0mol%Y2O3)材料在水蒸汽环境下经较短时间热处理,强度严重下降.水蒸汽可加速ZTM材料中四方氧化锆的相变．     

热处理制度对Li2O-Al2O3-SiO2 系统 微晶玻璃结构及性能的影响

结合XRD、SEM和热膨胀系数的测定,确定了较合适的热处理方法,并研究了热处理制度对Li     

CeO2 的加入对(ZrO2)0.86(MgO)0.14陶瓷电导率的影响

对(ZrO     

原子层沉积MgO薄膜改性LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2(英文)

LiNi_0.6Co_0.2Mn_0.2O₂锂离子电池正极材料由于其较高的能量密度和容量密度获得了广泛的关注。但是这一材料在较高的截止电压下,循环寿命难以令人满意。针对这一问题,该文提出了利用原子层沉积的方法在其表面包覆氧化镁薄膜以改善其高电压下的循环稳定性。研究表明,在4.5 V和4.7 V的截止电压下,该材料的循环性能和倍率性能均获得了较大的提高。相比于原始材料,经过100个循环,在4.7 V的截止电压下,改性后的材料的容量仍可达到158 mAh·g^-1。     

含Ni2O3的微晶玻璃装饰板材热处理制度的确定

探讨了用一步法对含Ni     

Cex(Tb0.27Dy0.73)1-xFe2合金的结构与磁致伸缩

采用X射线、金相和应变测试技术研究了Cex(Tb0.27Dy 0.73)1-xFe2合金的显微结构、晶格常数及磁致伸缩,结果表明未退火合金的主相为MgCu2型立方结构的1∶2相,第二相为1∶3相,且随着Ce含量的增加,第二相的含量也逐渐增加.经过700 ℃,72 h退火后,第二相的含量明显减少.合金的晶格常数和磁致伸缩随Ce含量的增加而减小.     

热处理条件对纳米钡铁氧体磁性能的影响

为探讨热处理条件与纳米钡铁氧体磁性能的关系,文中采用X射线衍射(X-raydiffraction,XRD)、红外光谱(infrared spectrum,IR)、振动样品磁强计(vibrating samplemagnetometer,VSM)、场发射扫描电子显微镜(field emission scanning electron microscopy,FESEM)分析纳米钡铁氧体组成、磁性能及粒度。研究发现:在800℃/4 h或900℃/3 h生成单相钡铁氧体纳米晶后,适当增加焙烧温度与时间可使纳米钡铁氧体的饱和磁化强度(Ms)和剩余磁化强度(Mr)增加,但对矫顽力Hc影响不大;在适宜的焙烧温度与时间条件下纳米钡铁氧体有最大磁能积。在焙烧条件为800℃/4 h时,纳米钡铁氧体的饱和磁化强度Ms=58.03 A.m2.kg-1,剩余磁化强度Mr=35.91 A.m2.kg-1,矫顽力Hc=474.90 kA.m-1,纳米粉末平均粒径在40~70 nm。     

AlN/Al2O3(0001)薄膜生长与吸附的表面界面结构研究

针对氮化铝异质薄膜的制备,构建了两种AlN/Al2O3(0001)材料生长模型,采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对α-Al2O3(0001)表面吸附AlN进行了模拟计算。分析了AlN在表面的吸附位置及其表面界面结构,发现AlN相对具有氧六角对称结构的最近邻的表面Al—O键发生了30°的偏转,稳定的化学吸附消除了吸附前表面Al—O层的驰豫,从而有利于AlN薄膜的铅锌矿结构的形成。     

超导外延薄膜YBa2Cu3O7-δ的氧化过程研究

通过比较磁控溅射c取向优质外延膜YBa2Cu3O7-δ四周封铟和不封铟样品的低温进氧过程,发现氧不能扩散进入封铟样品,表明薄膜的自由表面阻碍氧扩散进入.薄膜的氧化过程中存在两条氧原子流主要的氧原子流通过刃位错增强的点阵扩散;少量原子流是沿螺位错的螺旋面点阵扩散进入晶粒内.封铟实验可以区分这两条氧原子流.     

快速退火Sol—Gel PZT铁电薄膜的性能研究

报道了以乙酸铅、乙酸氧锆和钛酸正丁酯为原料，用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法，经多次旋转涂膜，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了PZT凝胶薄膜。用快速退火（RTA）作薄膜的热解和结晶热处理，制备了以（100）取向为主的PZT薄膜。用X射线衍射（XRD）和RT66A测试了膜的结晶取向、漏电流、电滞回线和抗疲劳性能等。结果表明，经RTA处理的溶胶凝胶法PZT膜具有良好的性能。     

热退火对氧化镓薄膜性质的影响

采用真空蒸发技术在蓝宝石衬底上制备了氧化镓透明半导体薄膜;研究了热退火对氧化镓薄膜结构、电学和光学等特性的影响.在退火前,氧化镓薄膜是一种无定型的、高阻薄膜.经过退火后转变成多晶薄膜,但薄膜的电学特性变化较小.随着退火温度的升高,氧化镓薄膜逐渐形成了(401)择优取向,薄膜的光学带隙也随之变大,在750℃退火时得到了最大的光学带隙为4.79eV.     

二元共聚物混合体系薄膜蒸汽退火自组装

借助原子力显微镜(AFM)研究了不同链段长度的聚苯乙烯-b-聚2-乙烯基吡啶(PS-b-P2VP)在氯仿或者四氢呋喃中溶解后,其薄膜在乙醇蒸汽中退火的自组装行为。主要研究了混合比例、溶剂、以及蒸汽退火时间对薄膜自组装的影响。研究发现改变混合比例、蒸汽退火时间可以有效调控薄膜自组装的结构和尺寸,得到了一系列不同形貌和尺寸的自组装结构;相比氯仿,四氢呋喃更有利于混合体系薄膜自组装的相分离。     

高温薄膜应力测定技术

本文在收集和研究了国内外大量的有关氧化薄膜的生长及其应用的基础上,建立了一种高温薄膜应力测定技术．该技术不仅能测高温薄膜生长的应力,而且能探索氧化膜产生和生长机制．目前,本技术存在的最大问题是衍射仪功率太小（＜2千瓦）,因此常常不能利用氧化膜的高角度衍射线进行测定,致使测定结果误差很大,这方面还有待于进一步改进．     

回火过程中真空度对烧结NdFeB磁体磁性能的影响

为研究回火过程中真空度对烧结NdFeB磁体显微结构及磁性能的影响，对烧结态磁体采用不同的真空度进行回火。研究发现，高真空回火后，磁体的密度、磁能积和剩磁下降；而采用低真空回火后，磁体的密度、磁能积和剩磁上升，且低真空回火后磁体矫顽力的提高程度要大于高真空回火的磁体。扫描电镜观察发现，与烧结态磁体相比，两种方式的回火后，磁体中的富Nd相均变得更细小，分布更均匀。但高真空回火后磁体中存在着较多且较大的孔洞，薄片状富Nd相挥发后留下的线状晶界缺陷较多；而低真空回火后磁体中的孔洞既少也小，线状晶界缺陷明显较少，且磁体中的富Nd相比高真空回火后的磁体还要细小，分布也更均匀。结果表明，对烧结：NdFeB磁体采用低真空回火可获得较好的磁性能，低真空回火是烧结NdFeB磁体一种较好的回火方式。     

退火温度对MoS2 薄膜光学性能的影响

在大气条件下采用激光剥离技术制备了MoS₂ 薄膜, 研究了MoS₂ 薄膜在不同退火温度条件下的形貌结构及其光学性能。实验研究发现, 退火温度对MoS₂ 薄膜表面的作用显著, 并且退火温度的不同会使得MoS₂ 薄膜XRD 图谱中衍射峰的位置产生明显的偏移。随着退火温度的升高, 薄膜生长质量及其吸光度都得到明显的提升。进一步对比分析了不同退火温度下MoS₂ 薄膜光学性能的差异, 结果显示退火温度为850 ℃ 时MoS₂ 薄膜的光学性能最佳。     

氧化铝缓冲层对ZnO薄膜性质的影响

采用反应磁控溅射的方法在石英衬底上制备了一层AI2O3薄膜,并将其作为后续ZnO薄膜生长的缓冲层.然后,采用反应磁控溅射的方法在AI2O3缓冲层上制备了ZnO薄膜.对比研究了引入Al2O3缓冲层前后,ZnO薄膜的结构和光学特性.通过引入Al2O3缓冲层,发现ZnO薄膜样品的(002)方向X射线衍射峰的半峰宽(FWHM)明显减小,光致发光谱中与缺陷相关的可见发光峰强度明显减弱,吸收光谱中的吸收边变得更加陡峭.这些结果表明引入Al2Q3缓冲层后,ZnO薄膜的结构和光学特性得到了很大改善,为制备高质量ZnO薄膜提供了参考.     

双层亚铁磁磁性薄膜的磁矩研究

采用Heisenberg模型,利用线性自旋波近似和格林函数技术研究双层亚铁磁薄膜的磁矩,分析自旋量子数、层间交换耦合、各向异性参数及温度对双层亚铁磁薄膜磁矩的影响.零温时,层内交换耦合和各向异性不影响薄膜的磁矩.低温时（温度小于等于居里温度的三分之一）,当两格点的自旋量子数相等时,薄膜的磁矩不受层间交换耦合的影响,但随各向异性的增加而增加;当两格点的自旋量子数不等时,薄膜的磁矩随层间交换耦合和各向异性的增加而增加.零温时,两格点的自旋偏差（或量子波动）相等.     

PLCT薄膜的结晶性能研究

采用Sol-Gel法制备了（Po0.9-xLa0.1Cax)Ti0.975O3( 简写为PLCT100x)铁电薄膜。利用Siemens D5005型号X射线衍射仪分析了PLCT（x)薄膜的结晶特性，总结出全钙钛矿相的PLCT铁电薄膜的退火工艺。用AFM测试了PLCT（100x)薄膜的表面，发现用Sol-Gel方法制备的薄膜相当平整。     

退火温度对锆酸铅薄膜光学性能的影响

用溶胶-凝胶法在石英玻璃基片上成功地制备了PbZrO3(PZ)薄膜．X射线衍射分析结果表明晶化好的PZ薄膜,是多晶钙钛矿结构．750℃晶化的薄膜,晶粒尺寸为30～50nm．用紫外-可见光分光光度计在波长200～900nm范围内,测量了不同温度退火的PZ薄膜的透射率,结果表明450、600、750℃退火的薄膜样品,其光学吸收边分别为4．11、4．56、4．59eV．