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半导体中等离子激发的能量与其载流子浓度有一定的关系。利用高分辨率电子能量损失谱仪(HREELS)检测到的等离子激发能量的变化则可以反应出某些半导体表面区域载流子浓度的变化。对于InSb(100)的研究表明:(1)低能离子溅射(≤500eV)以及随后的退火处理都在n型和p型InSb(100)近表面区域形成一个自由载流子累积层;(2)低能离子的这种损伤效应延伸到100nm以下的深度。 相似文献
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La1—xCex(NiCoMnAl)5贮氢合金电极的新型表面改性:含KBH4碱液热充 … 总被引:1,自引:0,他引:1
采用还原剂热充电法对La1-xCex(NiCoMnAl)5合金电极进行预处理。测试了电极的活化性能,最大放电容量、高倍率放电能力和氢的扩散系数,利用扫描电镜进行表面形貌观察和表面元素分析。结果发现处理后的合金电极在第二次充放电循环时就能完全活化;并在900mA/g的充放电电流密度下,其高倍率放电能力达到85%左右;合金电极表面出现大量的微裂纹,氢在处理后的合金电极中的扩散系数为(2-3)*10^- 相似文献
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载锰活性炭纤维(SACF—Mn)的制备及对乙基硫醇吸附性能的研究:——I SA … 总被引:5,自引:0,他引:5
制备了载锰剑麻基活性炭纤维(SACF-Mn),并研究了制备条件对SACF-Mn的结构及表面形态的影响。研究表明:增大锰溶液的浓度,提高pH值,高价态的锰离子都有利于SACF对锰的吸附;锰化合物的阴离子类型,不仅影响SACF对锰的吸附,而且对载锰后SACF的表面形态的影响更显著。 相似文献