复数旋转码及其对偶码的超限译码

本文讨论了复数旋转码及其对偶码的超限译码能力,得到了t=(P+1)/2时复数旋转码可以纠Ct+1p2+p(p-1)-p2Ctp+1个t+1错;其对偶码可以纠Ct1+1p2+2t1p-2tpCt1+1p+1个t1+1错,这里t1=[(p+1)/2]-1, p为素数。     

介绍一种M_e~2<1而M~2>1的激光束

文献[1～2]报导了等效光束质量因子M~2_e＜1的激光束，并称之为"超衍射极限"的光束．本文模拟计算出一种M~2_e＜1而M~2＞1的激光束，从而说明M~2_e＜1与M~2＜1并不"等效"．M~2_e＜1的激光束其M~2是否也＜1是一个尚待澄清的问题。     

xPb(Y_(1/2)Nb_(1/2))O_3-(1-x)Pb(Zr_(1/2)Ti_(1/2))O_3铁电陶瓷性能研究

系统地研究了 x Pb(Y1 / 2 Nb1 / 2 ) O3- (1- x) Pb(Zr1 / 2 Ti1 / 2 ) O3三元系铁电陶瓷材料 ,测量并计算了不同组分时的压电常数 (d33 )、介电常数 (εT3 3/ ε0 )、机电耦合系数 (kp、k31 )、以及弹性柔顺系数 (s E1 1 、s E1 2 、s E3 3 ) ,对 0 .0 7Pb(Y1 / 2Nb1 / 2 ) O3- 0 .93Pb(Zr1 / 2 Ti1 / 2 ) O3材料 ,d33 为 32 7× 10 - 1 2 C/ N,介电常数 εT3 3/ ε0 为 135 0 ,机电耦合系数 kp 大于 0 .6 ,弹性常数 SE1 1 和 SE3 3 均大于 17× 10 - 1 2 m2 / N。实现发现 ,当 x大于 0 .5 5时 ,x Pb(Y1 / 2 Nb1 / 2 ) O3- (1- x) Pb(Zr1 / 2 Ti1 / 2 ) O3不再是铁电材料     

WFB 100、WFB 101、WFH 1618-2、WFH 2223-2 GaAs Power Amplifier Modules

NEDI has developed WFB1 0 0、WFB1 0 1、WFH 1 6 1 8- 2、WFH 2 2 2 3- 2 Ga As poweramplifier modules.The specifications are as follows:Model WFB1 0 0 WFB1 0 1 WFH1 6 1 8- 2 WFH2 2 2 3- 2Frequency/GHz 2 .2～ 2 .31 0 .7～ 1 1 .71 .6～ 1 .82 .2～ 2 .3Power gain/d B 47～ 5 0 1 5～ 1 835～ 40 35～ 40Output power/W 5 .0～ 6 .0 1 .2～ 1 .5 2 .0～ 3.0 2 .0～ 3.0PAE/% >2 5 >2 5 >30 >30Single power supply/V 1 0～ 1 1 1 0～ 1 1 1 0～ 1 1 1 0～ 1 1WFB 100、WFB 101、WFH 1618-2、WFH 2223-…     

WFB 100、WFB 101、WFH 1618-2、WFH 2223-2型GaAs功放模块

南京电子器件研究所已研制成功 WFB1 0 0、WFB1 0 1、WFH1 6 1 8- 2、WFH2 2 2 3- 2型砷化镓功放模块 ,其基本特性如下 :型号 WFB1 0 0 WFB1 0 1 WFH1 6 1 8- 2 WFH2 2 2 3- 2频率范围 /GHz 2 .2～ 2 .31 0 .7～ 1 1 .71 .6～ 1 .82 .2～ 2 .3功率增益 /d B 47～ 5 0 1 5～ 1 835～ 40 35～ 40输出功率 /W 5 .0～ 6 .0 1 .2～ 1 .5 2 .0～ 3.0 2 .0～ 3.0功率附加效率 / >2 5 >2 5 >30 >30工作电压 /V 1 0～ 1 1 1 0～ 1 1 1 0～ 1 1 1 0～ 1 1WFB 100、WFB 101、WFH 1618-2、WFH 2223-2型GaAs功放模块…     

新的Ⅱ型偶长Z-互补对构造

为丰富Z-互补对(ZCP)的参数形式,研究了新的Ⅱ型ZCP的构造方法。基于迭代法,实现了Ⅱ型(2^k+2N,(2^k+2-1)N)-ZCP的构造,当N=1时,可得Z-最优Ⅱ型(2^k+2,(2^k+2-1))-ZCP。进一步,将迭代法与插值法相结合,构造了Ⅱ型(2^k+1N+2^k+1,2^k+1N+2^k+1-N/2)-ZCP;当N=2时,可得Z-最优Ⅱ型(3×2^k+1,3×2^k+1-1)-ZCP。所提方法可以生成新的偶长ZCP,实现了对现有ZCP数量的扩展。     

信息与动态

TFT LCD 5～ 8代线情况公　司代基板尺寸 (mm)万张 /月地点生产日期 (年 月 )夏　普 6.0 1 5 0 0× 1 80 0 1 .5龟山 2 0 0 4 16.0 1 5 0 0× 1 80 0 1 .5 2 0 0 4 78.0 2 2 0 0× 2 60 0 2 0 0 5 9LG Philips 5 .0 1 0 0 0× 1 2 0 0 6.0龟尾 2 0 0 2 55 .0 1 1 0 0× 1 2 5 0 6.0龟尾 2 0 0 3 36.0 1 5 0 0× 1 85 0 6.0龟尾 2 0 0 4 1 27.0 2 1 5 0× 2 2 5 0 6.0Paju 2 0 0 6 3Samsung 5 .0 1 1 0 0× 1 2 5 0 1 0天安 2 0 0 2 95 .0 1 1 0 0× 1 30 0 6.0 2 0 0 3 1 27.0 1 870× 2 2 0 0 6.0 2 0 0 5年初8.0 2 2 0 0× 2 4…     

互动·手机秘笈

黄娟大红大紫(1"w1 115) 机型:松下5(2)$6(1)}7(1)}0(1)+}5(2)女0(1)十·3(1)}>3(1)}>3(1)十4(2)·5(2)·6(1)+0(1)··5(2)}0(1)}}4(2){>4(2)岸2(2)+0(1)女+2(2)+0(1)十}3(1)+4(2)}7(2)+4(2)+。5(2)·6(1)·0(1)}+7(1)·0(1)$}4(2)}5(2)>5(2)$6(1)+7(1)}0(1)·}5(2)+O(1)女}3(1)}>3(1)}>3(1)}4(2)十5(2)+6(1)+0(1)}+7(1)+0(1){十l(6)t 7(1)6(1)5(2)t 4(2)++5(2)0(1)+5(2)+4(2)t+5(2)·0(1)}{7(2)}+1(2){}3(1)}>3(1)··,3(1)O(1)}4(2)十>4(2)$}>4(2)0(1)·5(2)}>5(2)}}>5(2)0(1)女6(1)+>6(1)}+>6(1)十5(2)}6(1)}7(1)·0(1)}·7(1)t 0(1)}$…     

光轴在入射面内的正单轴晶体e光全反射角公式

用惠更斯作图法推导光轴在入射面内的正单轴晶体e光全反射角公式：i=arcsin(1/n)((n_e~2-n_o~2)sin~2α n_o~2)~(1/2),它与光轴在入射面内的负单轴晶体e光全反射角公式形式完全相同;所以光轴在入射面内的单轴晶体e光全反射角公式为i= arcsin(1/n)((n_e~2-n_o~2)cos~2α n_e~2)~(1/2)=arcsin(1/n)(n_e~2-n_o~2)sin~2α n_o~2)~(1/2)(简称“何波公式”)。     

军用电子装备与电源质量

1电子装备的定位、属性、功能、范畴1．1定位现代战争的“大脑机关”武器系统的中枢神经信息化战争的核心信息化装备的精髓1．2属性：武器系统中的软武器2军用电子装备与电源质量2．1电源种类2．1．1从电源类分为（1）特高压电源（2）高压电源（3）中压电源（4）低压电源（5）微压电源