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通过对液相外延（LPE）生长的外延片不同处理方法的研究，摸索出一条利用扫描电子显微镜（SEM）来观测有源区厚度的有效方法──蒸金法，最优可观察有源区厚度20nm，对设计厚度为18nm结构来说[1]，这是一种便利而有效的观察手段。 相似文献
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本文阐述了分子束外延（ＭＢＥ）技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ设备，实现了单量子阱（ＳＱＷ）和多量子阱（ＭＱＷ）半导体激光器外延片的生长，并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。 相似文献
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提出了在GaAs液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层，高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数n-10^16-10^17cm^-3，u=4-5*1-^3cm2/v.s(300K)的GaAs液相外延片，总结出生长高迁移率GaAs外延片的制备方法。 相似文献
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提出了在ＧａＡｓ液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数ｎ＝１０１６～１０１７ｃｍ－３，μ＝４～５×１０３ｃｍ２／ｖ·ｓ（３００Ｋ）的ＧａＡｓ液相外延片．总结出生长高迁移率ＧａＡｓ外延片的制备方法． 相似文献
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偿试性的在P－GaAs衬底上采用液相外延技术，研制成了双异质结（DH）平面结构可见光半导体激光器，其波长为794．5mm，阈值电流为3A，垂直结平面和平行结平面的光场强度发散角分别为15度和25度，三倍阈值电流工作时单面输出光功率为2－3W。 相似文献
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介绍了在ＧａＡｓ液相外延过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的ＧａＡｓ外延片，并确定了比较好的生长工艺条件．这对生长高质量的ＧａＡｓ外延片及制做参数一致性好、可靠性高的化合物半导体器件有一定实际意义． 相似文献
8.
自从在固态反应中发现周期型层片以来,学术界对其形成原因存在许多争论。利用场发射扫描电镜和能谱仪研究了Ni3Si/Zn体系扩散偶于450℃退火4h后的扩散层断面形貌。发现靠近Ni3Si基体的周期性层片对由单相层(γ?NiZn3)和两相层(T-Ni2Zn3Si+γ?NiZn3)组成;靠近Zn基体部分周期性层片变为δ?Ni3Zn22单相层和Ni4Zn12Si3单相层;过渡区的周期性层片对由两个单相层组成,分别是γ?NiZn3和Ni4Zn12Si3。另外,研究中清楚的观察到γ?NiZn3相的析出、长大以及连接成带状的组织演变过程,表明周期性层片组织的形成是由不同元素扩散速率不同引起的相析出和长大造成。 相似文献
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自从在固态反应中发现周期型层片以来,学术界对其形成原因存在许多争论.利用场发射扫描电镜和能谱仪研究了Ni3Si/Zn体系扩散偶于450℃退火4h后的扩散层断面形貌.发现靠近Ni3Si基体的周期性层片对由单相层(γ-NiZn3)和两相层(T-Ni2Zn3Si+γ-NiZn3)组成;靠近Zn基体部分周期性层片变为δ-Ni3Zn22单相层和Ni4Zn12Si3单相层;过渡区的周期性层片对由两个单相层组成,分别是γ-NiZn3和Ni4Zn12Si3.另外,研究中清楚的观察到γ-NiZn3相的析出、长大以及连接成带状的组织演变过程,表明周期性层片组织的形成是由不同元素扩散速率不同引起的相析出和长大造成. 相似文献
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偿试性的在Ｐ—ＣａＡｓ衬底上采用液相外延技术，研制成了双异质结（ＤＨ）平面结构可见光半导体激光器．其波长为７９４．５ｎｍ，阈值电流为３Ａ，垂直结平面和平行结平面的光场强度发散角分别为１５°和２５°，三倍阈值电流工作时单面输出光功率为２～３Ｗ． 相似文献
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在ＳＥＭ和ＴＥＭ下对Ｔｉ３３Ａｌ３Ｃｒ０．５Ｍｏ合金全层片组织薄板状和薄膜状试样分别进行了动态拉伸，并原位观察了试样中形核及扩展过程，发现裂纹遇到内相界面时会履发生偏转或裂尖发生钝化；主裂纹妈使剪切带断裂而与微裂纹相连接的方式扩展并沿曲折路径进行。 相似文献
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界面工程是提升工程合金强度和塑性等力学性能的重要途径.双相片层Ti-6Al-4V合金作为典型的工程合金,其原子尺度界面结构对材料变形行为和强塑性的调控作用尚不清晰.本文综述了传统片层Ti-6Al-4V合金中α/β界面和增材制造法制备的片层Ti-6Al-4V合金中α/界面层/β和α′/β界面对强塑性的影响.因为α/β界面... 相似文献
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以一高层建筑超大梁转换层结构为背景,分别采用基于刚性楼板假定的计算模型和基于板壳单元的弹性楼板有限元模型对超大梁转换层结构进行计算分析,通过对转换层结构上述两种分析模型的主要计算结果的比较研究,探讨了这两种分析模型在转换主梁应力分布、次梁内力以及转换层附近剪力墙应力分布等数值结果的差异,得到了一些有应用价值的结论. 相似文献