Sol-Gel法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究进展

综述了溶胶—凝胶法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究现状,主要介绍了制备过程中衬底材料、热处理工艺、前驱体以及掺杂等因素对铁电陶瓷薄膜择优取向的影响以及铁电陶瓷薄膜的择优取向与铁电性能的关系。     

克酮酸薄膜的物理气相制备与表征

有机铁电材料具有质量轻、可低温制备薄膜、可弯曲等优点,在柔性器件的制备上有着巨大的潜力,但目前以聚偏氟乙烯为代表的铁电聚合物较小的剩余极化限制了它们在器件中的应用.近年来,克酮酸小分子晶体被发现具有与无机铁电材料相当的铁电性能,为了进一步的器件研究,利用物理气相沉积制备了薄膜,通过原子力显微镜、X射线衍射分析和红外吸收光谱等手段研究了其物性,证实克酮酸薄膜中存在大量的微晶,且这些微晶存在着择优取向,并发现薄膜粗糙度随膜厚的增加而变大,表明克酮酸薄膜或可像铁电聚合物一样用于器件且具有更小的驱动电压.     

铁电薄膜及其制备技术

具有铁电性且厚度尺寸为数十纳米到数微米的铁电薄膜具有良好的压电性、热释电性、电光及非线性光学特性 ,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的应用前景 ,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过综述铁电薄膜及其制备技术研究的新进展 ,给大家介绍铁电薄膜材料的基本特征、性能及应用 ,并重点分析铁电薄膜主要制备技术的优缺点 ,指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究需要重点解决的一些问题。     

单层膜厚对钙锶铋钛钕薄膜结构及性能的影响

采用Sol-Gel法和层层快速退火工艺,通过控制甩膜转速在Pt/Ti/SiO2/Si 基片上制备了单层膜厚不同的钙锶铋钛钕(C0.4S0.6NT)铁电薄膜.研究了单层膜厚对于C0.4S0.6NT铁电薄膜的结构及性能的影响.研究结果表明:适当的单层膜厚有利于薄膜在(200)方向的择优取向,有利于薄膜的铁电性能.单层膜厚为60nm时,C0.4S0.6NT薄膜具有优良的铁电性能,2Pr和2Ec分别为24.155μC/cm2、148.412kV/cm,具有较高的应用价值..     

(Ba,Sr)TiO3铁电薄膜制备技术及其研究进展

(Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜较传统的铁电材料有高介电常数、高击穿场强、快响应速度、居里温度可调等优点,在DRAM、微波调节器等领域具有广阔的发展前景,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一.通过对铁电薄膜及其制备技术研究新进展的综合评述,就BST的微观结构、性能及应用,深入分析BST铁电薄膜主要制备技术的优缺点,指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究中应注意的问题.     

（Ba，Sr）TiO3铁电薄膜制备技术及其研究进展

(Ba，Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜较传统的铁电材料有高介电常数、高击穿场强、快响应速度、居里温度可调等优点，在DRAM、微波调节器等领域具有广阔的发展前景，是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过对铁电薄膜及其制备技术研究新进展的综合评述，就BST的微观结构、性能及应用，深入分析BST铁电薄膜主要制备技术的优缺点，指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究中应注意的问题。     

铁电薄膜及其制备技术

具有铁电性且厚度尺寸为数十内米到数微米的铁电薄膜具有良好的压电性、热释电性、电光及非线性光学特性，在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的应用前景，是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过综述铁电薄膜及制备技术研究的新进展，给大空介绍铁电薄膜材料的基本特征、性能及应用、并重点分析铁电薄膜主要制备技术的优缺点，指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究需要重点解决的一些问题。     

单层膜厚对钙锶铋钛钕薄膜结构及性能的影响

采用Sol—Gel法和层层快速退火工艺,通过控制甩膜转速在Pt／Ti/SiO2／Si基片上制备了单层膜厚不同的钙锶铋钛钕（C0.4S0.6NT）铁电薄膜。研究了单层膜厚对于C0.4S0.6NT铁电薄膜的结构及性能的影响。研究结果表明：适当的单层膜厚有利于薄膜在（200）方向的择优取向,有利于薄膜的铁电性能。单层膜厚为60nm时,C0.4S0.6NT薄膜具有优良的铁电性能,2Pr和2Ec分别为24．155μC／cm^2、148．412kV／cm,具有较高的应用价值。     

在LaNiO3衬底上（Pb,La）TiO3铁电薄膜的制备和研究

首先通过金属有机化合物热分解(MOD)法在Si(100)基片上制备出LaNiO3(LNO)薄膜,再通过溶胶-凝胶(sol-gel)法,在LNO/Si(100)衬底上制备出(PbxLa1-x)TiO3(PLT)铁电薄膜。经XRD分析表明,LNO薄膜具有(100)择优取向的类钙钛矿结构,PLT/LNO/Si薄膜具有四方相钙钛矿结构,同时以(100)择优取向。最后对薄膜的介电性和铁电性进行了测试,发现薄膜介电常数适中,铁电性良好。     

在LaNiO_3衬底上（Pb,La）TiO_3铁电薄膜的制备和研究

首先通过金属有机化合物热分解（MOD）法在Si（100）基片上制备出LaNiO3（LNO）薄膜,再通过溶胶-凝胶（sol-gel）法,在LNO/Si（100）衬底上制备出（PbxLa1-x）TiO3（PLT）铁电薄膜。经XRD分析表明,LNO薄膜具有（100）择优取向的类钙钛矿结构,PLT/LNO/Si薄膜具有四方相钙钛矿结构,同时以（100）择优取向。最后对薄膜的介电性和铁电性进行了测试,发现薄膜介电常数适中,铁电性良好。     

Fabrication and structure of Langmuir-Blodgett films of ferroelectric liquid crystal

The molecular aggregation, orientation, and structure in Langmuir-Blodgett films ot terroelectric liquid crystal were studied by ultraviolet and Fourier transform infrared spectra. The results show that medium strong H-aggregates in the Langmuir-Blodgett films of ferroelectric liquid crystal are formed by chromophores where the alkyl chains are nearly perpendicular to the film surface. Compared with the cast films, the C-O stretching hands, due to the rotational isomerism around the O-C axis of the chiral part, can be identified clearly in Langmuir-Blodgett films.     

不同锆锡比对PLZST铁电陶瓷相变行为的影响

对不同锆锡比的Pb_(0.97)La_(0.02)(Zr_(0.12+x)Sn_(0.7-x)Ti_(0.18))O_3铁电陶瓷的铁电和相变行为进行了系统的研究,阐明了组成和温度对PLZST铁电陶瓷的相变效应的影响规律.研究结果表明:PLZST铁电陶瓷均呈现典型的铁电体电滞回线.随着温度的升高,PLZST12/70/18,PLZST52/30/18,PLZST62/20/18发生铁电-顺电相变,PLZST22/60/18,PLZST32/50/18,PLZST42/40/18为铁电-反铁电-顺电相变.     

铁电薄膜材料及集成铁电器件的相关问题

铁电薄膜材料及集成铁电器件自20世纪90年代以来一直受到人们的关注，就目前该领域研究中的几个基础问题，如生长动力学、特性退变、异质结界面以及如何进一步发展铁电薄膜和集成铁电器件等提出了见解。     

Explosive Ferroelectric Power Supply of Flux Compression Generator

Useful electrical pulses of a few hundred kilowatts lasting for several microseconds can be obtained by the depolarization process of PZT95/5 ferroelectric ceramics. In this paper, taking account of the dielectric relaxation, and finite resistance, a new mathematical model of PZT95/5 ferroelectric ceramics subjected to normal-mode shock wave is suggested. Explosive shock wave techniques have also been used to investigate the response of PZT95/5 ferroelectric ceramics with inductive loads in experiments. The predictions from the model have a good agreement with observed results. In addition, an explosive ferroelectric generator composed of explosive shock wave generators, electric units, and additional capacitors is design to power small-size helical flux compression generators. The test results with the maximal output energy of up to 80 J are given and experimental results are also considered.     

制备氧压对外延锆钛酸铅铁电膜疲劳行为的影响

:利用脉冲激光沉积方法 ,在外延的具有钙钛矿结构的 La0 .35 Nd0 .35 Sr0 .3Mn O3导电膜上生长外延的铁电薄膜 Pb( Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3。通过改变制备氧压控制铁电膜中氧的空穴浓度 ,研究其对 Pt/ Pb( Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3/La0 .35 Nd0 .35 Sr0 .3Mn O3铁电电容器疲劳行为的影响     

Microstructure and strength modification of relaxor ferroelectric ceramics through microwave sintering for multilayer capacitors

Relaxor ferroelectric ceramics with the composition of xPb( Mg_(1/3) Nb_(2/3)O_3-yPb (Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3-zPbTiO_3 was fast sintered in a 2.45 GHz microwave system. Microwave-sintered samples illustrate more rapid densification and much smaller grain size microstructure than eonventional sintered samples. Also the microwave processing significantly increases the dielectric strength and flexural strength of the relaxor so that its strength becomes comparable with modified BaTiO_3, and could obtain comparable dielectric properties in comparison with conventional sintering process. Microwave processing has many advantages for sintering of relaxor ferroelectrie ceramics used as multilayer capacitors.     

Highfield effects of layered perovskite ferroelectric thin films

Ｉｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓ,ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｔｈｉｎｆｉｌｍｓａｎｄｔｈｅｉｒａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｈａｖｅｂｅｃｏｍｅｏｎｅｏｆｔｈｅｐｏｐｕｌａｒｒｅｓｅａｒｃｈｆｉｅｌｄｓｉｎｃｏｎｄｅｎｓｅｄｐｈｙｓｉｃｓａｎｄｓｏｌｉｄｓｔａｔｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ[1,2].Ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙｔｈｅｒｉｓｅｏｆｐｈｙｓｉｃｓｏｆｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｔｈｉｎｆｉｌｍｓａｎｄｉｔｓａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｆｏｒｓｏｌｉｄｓｔａｔｅｆｕｎｃｔｉｏｎｄｅｖｉｃｅｓｈａｖｅｐｕｓｈｅｄｔｈｅｒｅｓ…     

组合法制备Pb（ZrxTi（1-x））O3组分梯度薄膜

在无蒸馏和无惰性气氛保护的条件下,快速制备了用于组合合成Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜的前驱溶液PT和PZ。采用组合法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了一系列Pb(ZrxTi1-x)O3组分梯度薄膜。经XRD分析表明,薄膜具有钙钛矿结构,择优取向为(111)。SEM结果显示薄膜厚度在500nm左右。电滞回线的测试表明,下梯度薄膜PZT-654表现出良好的铁电性能,明显优于其它薄膜。PZT-654梯度薄膜的剩余极化强度Pr为38.4μC/cm2,矫顽场Ec为75.0kV/cm,有较大的极化偏移,Poffset为12.9μC/cm2,表现出梯度铁电薄膜的特性。