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集成电路中半导体器件的特征尺寸不断减小,集成电路对ESD的冲击更加敏感。静电防护成为集成电路中最重要的可靠性指标之一,ESD保护结构也成为芯片设计中的难题。随着集成电路规模的增大,芯片引脚增多,大量面积被用于ESD保护电路,导致成本提高。可控硅结构的ESD保护器件相比其他已知保护结构具有最高的单位面积ESD性能,因此成为低成本片上ESD设计方案的首选。针对改进型横向SCR (MLSCR,又称N+桥式SCR)的ESD保护结构,对其关键特性指标结合理论分析与实验数据进行分析。基于某0.18μm 5 V CMOS工艺的流片结果,对SCR结构的工作原理以及关键的触发电压、保持电压参数进行说明,并提出改进方案。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2018,(2)
针对静电放电(ESD)防护过程中ESD防护器件开启速度慢、易引起栅氧击穿或电路烧毁的问题,提出了一种可控硅(SCR)结构的ESD防护器件开启速度的优化方法。首先,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了P~+浮空和P~+接地SCR结构器件,通过分析阱间距对P~+接地SCR影响,获知当阱间距增至8.68μm时,器件开启速度快且过击穿电压低。其次,对比分析关键尺寸参数相同条件下P~+接地与P~+浮空SCR器件ESD防护性能,传输线脉冲测试结果表明,P~+浮空比P~+接地SCR开启速度更快。最后,通过进一步优化P~+浮空SCR器件特征参数,器件开启速度可提高约17.70%。TCAD仿真结果证明:与P~+接地SCR相比,P~+浮空SCR的电流密度分布较均匀,且导通时间短,有利于提高开启速度,因此P~+浮空SCR器件更适用于高速集成电路的ESD防护。 相似文献
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本文主要针对用于ESD防护的SCR结构进行了研究。通过对其ESD泄放能力和工作机理的研究,为纳米工艺下的IC设计提供ESD保护。本文的研究主要集中在两种常见的SCR上,低触发电压SCR(LVTSCR)与二极管辅助触发SCR(DTSCR)。本文也对以上两种SCR结构进行了改进,使得其能够在不同工作环境和相应电压域下达到相应的ESD防护等级。本文的测试与分析基于传输线脉冲测试仪(TLP)与TCAD仿真进行,通过对SCR中的正反馈工作机理的阐述,证明了SCR结构是一种新颖有效的ESD防护器件。 相似文献
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通过器件级仿真来评估ESD保护器件的鲁棒性的方法,对ESD电路的关键设计参数进行了研究.通过器件仿真软件MEDICI对栅极到源极接触孔的距离,栅极到漏极接触孔的距离以及栅极的宽度和长度对ESD性能的影响进行了研究,并分析了它们的失效机理.从而得出经验公式,可以在流片前估算出器件的ESD失效电压.通过在设计阶段预测器件的ESD性能可以缩短设计周期,节约成本. 相似文献
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可控硅(SCR)被广泛应用于片上静电放电(ESD)防护。由于SCR的低维持电压特性,闩锁问题一直是其应用于高压工艺ESD防护的主要问题。改进设计了一种新型SCR器件,即MOS High-holding Voltage SCR (MHVSCR)。通过对SCR寄生三极管正反馈进行抑制,并提高维持电压,实现了闩锁免疫。详细分析了MHVSCR提高SCR维持电压的可行性、工作原理以及实现步骤。基于Sentaurus TCAD的仿真结果表明:设计的器件将传统器件的SCR维持电压从2.8 V提高至15.88 V,有效实现了SCR在12 V工艺下的闩锁免疫能力。 相似文献