DD3单晶合金短时液相扩散连接接头组织与性能研究

采用D1P和D1F两种中间层合金在1250℃下分别保温10,30min,1,2,4h扩散连接DD3单晶合金.这两种中间层合金是在DD3合金成分基础上添加了一定量的降熔元素硼,分别以粉和箔带形式使用.对上述规范下获得的DD3接头组织和性能进行了研究分析,结果表明, 扩散时间短,D1P中间层合金扩散焊接头组织很不均匀,在中间层合金流入处生成大量光板γ′相,对接头持久性能不利,1250℃下扩散4h接头的980℃持久性能为母材性能的60%;而D1F中间层合金扩散焊接头组织均匀一致,1250℃下扩散4h接头980℃持久性能超过母材性能的70%.     

316L不锈钢扩散连接接头界面疲劳裂纹扩展行为

采用单边缺口试样对316L不锈钢扩散连接接头进行显微疲劳试验,实现微观尺度下界面裂纹扩展和微孔隙演化的原位观测.试验观察表明:动载荷下界面裂纹扩展时,裂纹尖端晶粒内产生局部的塑性变形,但几乎观测不到界面微孔隙的扩展,也未见微孔隙与微孔隙的相连;微孔隙对界面裂纹萌生和扩展的影响不大;扩散连接过程中所形成的谷脊状界面可以改变裂纹的扩展路径.     

固态扩散连接空洞闭合模型的研究进展

扩散连接是一种在固态下将2个同种或异种的材料连接在一起的先进连接方法.这种方法既可以连接低碳钢,也可以连接陶瓷,甚至还可以连接传统焊接方法所不能连接的材料.在很多材料没有实验数据的条件下,预测扩散连接所需时间是非常重要也是非常困难的,因此利用空洞闭合模型对扩散连接过程进行研究是当前固态扩散连接研究的重要方面.介绍了扩散连接空洞闭合的几个典型模型,对几何模型的选择进行了阐述,并对扩散连接的机制进行了解释和说明,同时比较了这几个模型的优缺点,并预测了扩散连接空洞闭合模型的发展方向.     

AlSiC电子封装材料及构件研究进展

AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装.综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展.     

Inconel718合金扩散连接接头的组织与性能研究

对细晶Incone1718高温合金无中间层和加Ni箔中间层两种情况下的扩散连接进行了研究,分析了不同的连接温度、连接压力、连接时间等工艺参数对接头剪切强度的影响;通过SEM、EPMA和金相技术对接头微观组织和力学性能进行了分析.确定了获得优质接头的最佳工艺参数区间,即扩散连接温度T=1 050℃,连接压力P=20 MPa,连接时间t=45 min,选用Ni箔作为中间层,厚度为25 μm.     

具有竞争力的倒装芯片封装技术

15年前,几乎所有封装采用的都是引线键合技术,而如今倒装芯片封装技术正在逐步取代引线键合的位置。倒装芯片的基本概念就是拿来一颗芯片,在连接点位置放上导电的凸点,将该面翻转,有源面直接与电路连接。     

芯片封装中铜丝键合技术的研究进展

铜线具有优良的机械、电、热性能,用其代替金线可以缩小焊接间距、提高芯片频率和可靠性.介绍了引线键合工艺的概念、基本形式和工艺参数;针对铜丝易氧化的特性指出,焊接时必须采用特殊的防氧化工艺,以改善其焊接性能;最后对铜丝键合可靠性及主要失效模式进行了分析.     

TiAl/40Cr钢扩散连接界面组织结构对接头强度的影响

扩散连接界面组织结构是影响连接性能的关键因素，不同的界面组织结构及生成相所决定的接合强度不同．本文研究了TiAl/40Cr钢的扩散连接，结果显示：连接温度过高及连接时间过长时，由于界面处形成了过多的TiC脆性层及Ti3Al FeAl FeAl2的金属间化合物混合层，接头拉伸强度低；当连接温度较低及连接时间较短时，界面紧密接触与元素扩散不充分，接头拉伸强度也较低．脆性TiC层的生成导致TiAl与40Cr钢之间的扩散连接性能较差，接头均破断于TiC层或TiC层与Ti3Al FeAl FeAl2的金属间化合物混合层之间．     

陶瓷部分瞬间液相连接的研究进展

部分瞬间液相连接（ＰＴＬＰ连接）是实现陶瓷高强度耐热连接的一种新方法,本文综述了近年来的研究进展。着重对ＰＴＬＰ连接中间层材料的选择、连接参数（温度、时间、中间层材料及厚度和后热处理等）对连接过程和接头强度的影响进行了阐述。     

相变储能材料的腐蚀性与封装材料研究进展

相变储能材料通过相变过程释放热能。通过利用相变材料的相变潜热来实现能量的储存和利用,提高能效和开发可再生能源,是当今能源科学和材料科学领域中一个十分活跃的前沿研究方向。技术人员选择包装材料对相变储能材料进行封装,以便相变材料释放的热能应用于实际生活中。封装材料和封装技术的有效选择往往决定实际应用效果。综述了目前国内外在相变材料对存储材料的腐蚀性及相变储能材料的封装技术方面的研究成果,并展望了今后的研究重点。     

Transient Liquid Phase Bonding of Ni—base Single Crystal Superalloy

The Ni-base single crystal superalloy was bonded by the transient liquid phase(TLP) bonding,using a Ni-base flexible metal cloth as an insert alloy.TLP bonding of superalloy was carried out at 1473-1523K for 0.5-24h in vacuum.The [001] orientation of each test specimen was aligned perpendicular to the joint interface.The bonded region was observed by optical microscopy, and the microstructural and compositional analyses across the bonded interlayer were performed by using a scanning electron microscopy(SEM) .The electron back scattering diffraction(EBSD) method was applied to determine the crystallographic orientation.The resultsindicated that the chemical homogeneity across the bonded region can be achieved,and γˊphase both in the bonded interlayer and in the superalloy substrate is almost identical,while the bonded interlayer had almost matched the crystallographic orientation of the bonded substrates.     

DD32单晶高温合金过渡液相扩散连接

为了提高DD32单晶高温合金过渡液相(TLP)扩散焊接头的力学性能,采用扫描电镜(SEM)和能谱分析仪(EDS)研究接头微观组织,TLP扩散焊过程中基体组织的变化,以及持久过程中基体组织的变化。结果表明,接头由连接区和基体区所组成,未发现明显的扩散区特征。连接区由等温凝固区和残余液相区组成。TLP扩散焊过程对基体组织有重要影响,接头需进行焊后热处理。此外,在持久过程中基体内产生了N型筏。控制TLP扩散焊接头内晶界的形成,可以有效提高接头力学性能。     

Ultrasound-Assisted Transient Liquid Phase Bonding of Magnesium Alloy Using Brass Interlayer in Air

The microstructure evolution and oxide film behavior in ultrasound-assisted transient liquid phase(U-TLP) bonding of Mg alloy were investigated by applying different ultrasonic time at 460?C with brass interlayer in air. The results indicated that with increasing ultrasonic time, brass interlayer disappeared gradually and the Mg-Cu-Zn eutectic compounds were formed. The eutectic compounds in the joint decreased as the ultrasonic time increased further. The oxide removal process was divided into four steps. Continuous oxide film at the interface was partially fractured by ultrasonic vibration,and then suspended into liquid by undermining eutectic reaction. After that, the suspended oxide film was broken into small oxide fragments by ultrasonic cavitation effect, which was finally squeezed out of the joint by ultrasonic squeeze action. In addition, the mechanical properties of the joints were investigated. The maximum shear strength of the joint reached 105 MPa, which was 100% of base metal.     

TiNi形状记忆合金与不锈钢瞬间液相扩散焊工艺研究

采用AgCu中间.过渡层,研究了连接温度、保温时间和连接压力对TiNi形状记忆合金与不锈钢瞬间液相扩散焊接头剪切强度的影响规律.本实验条件下连接温度为860℃,保温时间为60min,连接压力为0.05MPa时接头剪切强度最大为239.4MPa.通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究了最佳工艺参数下接头的元素分布和相组成,结果表明:接头生成了TiNi2,TiFe和Ti3Ni4等金属间化合物,从而影响接头性能.     

Bubble formation and growth during Transient Liquid Phase Bonding in Cu/SnAg system for microelectronic packaging

Journal of Materials Science: Materials in Electronics - In this work, we study the Transient Liquid Phase Bonding (TLPB) for flip chip interconnexion using copper pillar and SnAg solder alloy...     

电子封装材料的研究现状

电子及封装技术的快速发展对封装材料的性能提出了严格的要求,综述了各种新型封装材料的发展现状;并以金属基复合材料为重点,分别从增强体,基体材料,制备工艺及微结构几个方面讨论了它们对材料热性能的影响,据此进一步提出了改善封装材料热性能的途径及未来的发展方向。