具有时间延迟和积分功能的HgCdTe扫描焦平面线列阵

俄罗斯RD&P Center ORION发展了一种基于平面HgCdTe光电二极管列阵和定制硅集成读出电路的焦平面列阵技术.做在碲镉汞液相外延层上的光伏探测器列阵以及硅读出电路是通过铟丘连接在蓝宝石互连衬底上的.冷却的硅读出电路是用n-MOS工艺制作的.本文描述了一些3μm～5μm和8μm～12μm时间延迟和积分(TDI)扫描红外焦平面线列的一般结构和发展结果,这些焦平面线列的规格分别为4×48、2×96、4×128和2×256.介绍了基于碲镉汞外延层的光伏型列阵的性能.描述了以TDI模式工作的混成焦平面列阵的测试方法及典型的调查结果.在8μm～12μm波长范围内,带四个TDI元件的4×48和4×128焦平面列阵的探测率高于(1～2)×1011cmW-1Hz1/2,带两个TDI元件的2×96和2×256焦平面列阵的探测率高于(7～10)× 1010cmW-1Hz1/2.     

O.13μm工艺与248nm KrF光刻机

ITRS规划2001年实现0.13μm工艺。实际上2001年O.13μm工艺已达量产。0.13μm工艺包括248nm光刻技术、高k绝缘材料、低k绝缘材料和铜互连技术等新技术。248nm光刻技术是实现0.13μm工艺达到量产的最关键技术,为此,必须采用248nmKrFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。     

4Gbit动态存储器用的晶体管

为了实现21世纪高度信息化正在开发千兆比特存储器,预计到2005年4Gbit动态存储器(DRAM)产品化。实现4Gbit动态存储器的.关键技术是0.1μm的微细加工技术和0.1μm的微细器件技术。使用X射线蚀刻,试制尺寸0.12μm4Gbit DRAM用的阵列MOSFET.井确认了其工作。本文作为器件技术实现了门电路和间距为0.12μm。的元件区,及0.12μm的门电路之间的匹配接点.并实现0.12μm的晶体管。也证实了4Gbit动态存储的器单元晶体管的正常工作。     

光学浸没型双色HgCdTe光导探测器

本文利用光学浸没原理以及叠层双色探测器工作原理,研制出浸没型3μm～5μm,8μm～12μm双色HgCdTe光导探测器.3μm～5μm探测器峰值探测率可达10~(11)cmHz~(1/2)/W;8μm～14μm探测器峰值探测率达7.0×10~(10)cmHz~(1/2)W.峰值响应率可达10~3V/W.     

1064 nm激光抽运PPMgLN光参量振荡高效率2.7 μm激光器

报道了采用1064 nm激光抽运PPMgLN晶体准相位匹配(QPM)技术实现高效率2.7μm激光输出的实验结果,理论计算了PPMgLN晶体准相位匹配周期调谐曲线,得出PPMgLN品体周期为31.3μm时可获得中红外波长2.7μm激光输出.PPMgLN晶体(MgO掺杂摩尔分数为5%)单谐振光参量振荡(OPO)技术采用e→e+e相位匹配.消除了光束之间的走离效应并利用了PPMgLN晶体的最大非线性系数d33(27.4 pm/V).在1064 nm激光抽运功率为26 W,声光Q开关工作频率为7 kHz的条件下,获得平均功率为4.7 W,波长为2.72μm激光输出,斜率效率超过21%,对应闲频光波长1.75μm激光输出功率约9 W.2.7μm激光水平方向和垂商方向光束质量M2因子分别为2.05和1.84.     

X射线光刻技术的现状和发展

根据日本电气和日立公司的1GbitDRAM的报告文章,Gbit时代已开始了.另外,有关光刻0.1μm的MOS器件的报告也相继出现,尺寸0.1μm以下的超大规模集成电路的批量生产大有可能.根据美国半导体工业协会发表的1995—2010年规则,预测2001年设计尺寸为0.18μm的1Gbit集成电路2007年开始批量生产尺寸0.1μm的1Gbit的集成电路.为了实现该目标非常重要的是微细加工技术,尤其是批量生产的蚀刻技术是关键.按现有技术的连续性来看,希望继续发展光刻技术的研究,其目标是0.18μm的ArF准分子激光(波长193nm)的蚀刻技术的发展.再者,若考虑     

膜混合集成电路、MOS集成电路

Y2000-62422-86 0103719全耗尽绝缘体上硅技术比例生成0.13μm 1.2～1VCMOS 电路=Scability of fully-depleted SOI technologyinto 0.13μm 1.2V～1V CMOS generation[会,英]/Raynaud,C.& Faynot,O.//1999 IEEE InternationalSOI Conference Proceedings.—86～87(EC)Y2000-62422-88 0103720用于超薄(35nm)绝缘体上硅0.18μm CMOS 电路的硅化物=Advanced silicide for sub-0.18μm CMOS on Ul-tra-thin(35nm)SOI[会,英]/Ren,L.P.& Cheng,Bth.//1999 IEEE International SOI Conference Proceed-ings.—88～89(EC)     

TSMC新建0.13μm(300mm园片)全层铜布线工艺试验线

近期 ,TSMC (TaiwanSemiconductorManufac turingCompany)新建成 0 13μm(30 0mm园片 )全层铜布线工艺试验线 (制作 4MbSRAM ) ,且实现了高成品率。同时 ,也开始了面向用户的 0 13μm产品测试。本公司是目前台湾唯一具备 30 0mm制作设备的厂家。 2 0 0 2年 ,已销售采用 0 18μm技术(30 0mm园片 )的制品。预计通过 0 13μm (30 0mm园片 )技术。成品率分析、评价 ,将开始生产。TSMC新建0.13μm(300mm园片)全层铜布线工艺试验线@康顺…     

0.13μm工艺与248nm KrF光刻机

ITRS规划2001年实现0.13μm工艺.实际上2001年0.13μm工艺已达量产.0.13μm工艺包括248nm光刻技术、高k绝缘材料、低k绝缘材料和铜互连技术等新技术.248nm光刻技术是实现0.13μm工艺达到量产的最关键技术,为此,必须采用248nmKrFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机).     

利用PZT块材制备微型压电悬臂梁采能器的研究

采用压电陶瓷(PZT)片状块材设计并制作了一种可集成于微机电系统的压电悬臂梁能量采集器.介绍了元件的整体制备流程,包括湿法化学蚀刻、反应离子(RIE)干法蚀刻、UV-LIGA等流片技术.该文利用环氧树脂将PZT紧密粘结在基片上的方法步骤和工艺参数作了详细描述,最终获得了2000μm×750μm×500μm(长×底宽×尖...     

多孔硅的有效场致发射

基于氢离子注入技术和典型电化学阳极浸蚀法制备了多孔硅有图(PS)薄膜.该薄膜的表面形态和特征采用扫描电子显微技术(SEM),X射线衍射(XRD)以及原子力显微技术(AFM)描述.采用大约3.5V/μm的低通场在电流强度为0.1 μA/cm2处获得有效场致发射.在约12.5V/μm的叠加场下,PS薄膜的发射电流密度达到1mA/cm2.实验结果表明PS薄膜对平板显示仪器具有巨大的应用潜能.     

根据Mie氏理论对单个泡沫球的体积消光性能的研究

;为寻求光学多波段干扰的有效途径,研究了泡沫这种新型环保长效的宽波段干扰介质.采用Mie氏理论,计算分析了在不同泡沫溶液复折射率情况下,在军事上两种常用激光波长(1.06μm、10.60μm)处和红外波段(3μm～5μm、8μm～14μm)以及可见光波段(0.38μm～0.76μm)内单个泡沫球的体积消光性能与泡沫球尺寸和壁厚的关系.计算分析结果表明,在不同的波长处或波段内,具有不同泡沫溶液复折射率的最优泡沫球体积消光系数所对应的泡沫球尺寸及壁厚是不同的.     

0.1μm栅长低温工作MOSFET

<正> 在1988年国际固体器件和材料会议上,美国IBM公司G.A.Sai-Halasz报告了0.1μm栅长NMOS FET的性能。器件在77K下最大跨导gm为940μS/μm(栅长0.07μm)和770μS/μm(栅长0.1μm)。在室温下gm分别为590μS/μm和505μ/μm。这是FET器件中最高测量值。在栅长和跨导关系测量中,在77K下当栅长小于0.1μm时明显出现速度过冲效应。     

非致冷InAsSb光电探测器的应用

一般说来,红外光电探测器均工作于3μm～5μm(中波红外)或者8μm～14μm波长范围。这一方面是因为这两个波长范围与人们进行远距离探测的两个大气透射窗口相对应,另一方面则是因为大气在5μm～8μm(长波红外)波长范围的吸收非常好。目前有一种对该波长特别合适的应用,即美国海军的“近炸引信应用”。这项应用需要利用短距离探测技术来躲避对抗。     

单片集成的双波段红外探测器列阵

量子阱红外光电探测器(QWIP)技术已取得了显著的成就,因为它在宽波段和多波段两方面都实现了大规格的焦平面列阵。这些探测器基于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,其在中波红外和长波红外(3μm-50μm)范围的光谱响应是可以专门确定的。最近,美国喷气推进实验室通过将一个近红外(1μm-1．5μm)p-i-n光电二极管与一个中红外(3μm-5μm)量子阱红外光电探测器集     

用MOCVD在偏(100)GaAs基片上生长空间规则排列的1.3μm InAs量子点

用MOCVD技术在偏(1100)GaAs衬底上生长了发光波长在1.3μm的线状空间规则排列InAs量子点.光致发光实验表明,相对于正(100)衬底,偏(100)GaAs衬底上生长的InAs量子点具有更好的材料质量,光谱有更大的强度和更窄的线宽.为了得到发光波长为1.3μm的量子点,对比研究了不同In含量的InGaAs应力缓冲层(SBL)和应力盖层(SCL)的应力缓冲作用.结果表明,增加SCL中In含量能有效延伸量子点发光波长到1. 3μm,但是随着SBL中In的增加,发光波长变化不明显,并且材料质量明显下降.     

Growth of Space Ordered 1.3μm InAs Quantum Dots on GaAs(100) Vicinal Substrates by MOCVD

用MOCVD技术在偏(1100)GaAs衬底上生长了发光波长在1.3μm的线状空间规则排列InAs量子点.光致发光实验表明,相对于正(100)衬底,偏(100)GaAs衬底上生长的InAs量子点具有更好的材料质量,光谱有更大的强度和更窄的线宽.为了得到发光波长为1.3μm的量子点,对比研究了不同In含量的InGaAs应力缓冲层(SBL)和应力盖层(SCL)的应力缓冲作用.结果表明,增加SCL中In含量能有效延伸量子点发光波长到1. 3μm,但是随着SBL中In的增加,发光波长变化不明显,并且材料质量明显下降.     

0.1μm线宽主流光刻设备—193nm(ArF)准分子激光光刻

阐述了可实现 0 1μm线宽器件加工的几种候选光刻技术 ,对 193nm(ArF)准分子激光光刻技术作了较为详细的论述 ,指出其在 0 1μm技术段的重要作用 ,并提出了研制 193nm(ArF)光刻设备的一些设想。     

1.47μm LD泵浦掺铒光纤放大器的实验研究

本文报道了采用国产器件进行的1.47μm激光二极管(LD)泵浦的掺铒光纤放大器的实验结果。采用模场匹配技术使标准单模光纤(MFD=9.125μm)与掺铒光纤(MFD=3.88μm)之间的熔接损耗降至0.2dB。研究了放大器的增益特性,获得了24dB的小信号增益。     

高稳定1.3414μmTEM_(00)模Nd~(3+):YAP连续激光器

分析研究了1.3414μm Nd~(3+):YAP连续激光器波动的原因,探索了抑制波动的技术,研制成功高稳定 1.3414μm TEM_(00)模激光器.激光输出功率5.3W,在0～25kH_z频率范围内波动 ≤±O.87%,未观察到由弛豫振荡引起的尖峰,激光接近线偏振光.