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一、前言在晶体开关电光调Q激光器中,采用单块双45°开关元件有以下优点:不再插入起偏元件,系统结构简单,插入损耗小,应用于YAG激光系统中,可以充分利用无规偏光,并能 相似文献
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一 单块双45°电光Q开关虽然有很多优点,特别是它能自然光调制,对中小型激光功率器件的应用很方便,但它还存在一些缺点,需要完善提高,这种Q开关中o光、e光分离角较大,造成了消光比低。对石榴石等高增益工作物质往往因消光比低而“关不死”。对铌酸锂双45°单块电光Q开关,实际应用中大多采用偏光瞬时加电压工作方式,这样工作电压比退电压方式高二倍,特别是效率降低约一倍,不能充分发挥单块Q开关自然光调制、效率高等优点。本文介绍的六角形单块电光Q开关克服了这些缺点,保留了它的优点。 相似文献
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给出了单块双45°LN电光Q开关消光比的定义,并讨论了这种Q开关的性能与最佳运转.介绍了这类开关的一种结构,它有理想的消光比,并具有校准方便,对沿Z轴长度无严格限制等特点. 相似文献
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KTP电光开关静态双折射补偿研究 总被引:2,自引:0,他引:2
比较了三种常用电光晶体(L iNbO3 晶体、KD3P晶体和KTP晶体)的Q开关特性,肯定了KTP晶体作为优异电光Q开关的极大潜力,同时也分析了温度变化对KTP电光Q开关透过率的影响,得出只有采用相同的两块KTP正交放置的Q开关,才能根本上补偿静态双折
射,保证关门稳定性,提高激光系统的可靠性。 相似文献
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刘美红 《激光与光电子学进展》2004,41(11):59-60
科学家研究了一种具有腔内CdTe晶体、电—光Q开关的光栅窄带CO2激光器,如图所示。Q开关通过旋转腔内循环功率的偏转充当损耗调节器,被布鲁斯特窗反射到腔外。在Q开关和输出反射镜之间的λ/4波片允许Q开关在大部分时间运作在λ/4电压(2.65kV)处;高压施加在CdTe晶体上的时间仅几微秒,此时光学损耗达到最小。通过减少CdTe晶体处于高压的时间可延长其使用寿命。 相似文献
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本文分析带格兰棱镜的组合电光Q开关存在的缺点。对KD*P双45°单块开关的临界尺寸和消光比进行了计算。对其电极结构提出了改进意见。可望在提高器件效率、提高输出功率、克服全反射面的破坏等方面会有较明显的好处。 相似文献
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介绍了铌酸锂晶体(LiNbO_3)用作各种Q开关时的加工工艺和几种检验方法,讨论了晶体的质量指标之间的关系及其分级和选择.实验表明,用光轴干涉图来检验晶体的光学质量是简单而有效的. 相似文献
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利用电光效应制成的Q开关,开关速度快、光脉冲窄、寿命长、性能稳定、工作可靠,所以成为目前广泛采用的一种调Q方式.用电光晶体调Q需要高压开关(一般为几千伏).目前采用的电开关元件一般常用闸流管,冷阴极管或可控硅,但都有一定的局限性.闸流管灯丝电流较大,所用变压器体积大、耗电多,还需要一定的予热时间,不能快速进入工作状态.冷阴极管虽然体极小,开关时间短,但所需触发电压高,干扰大. 相似文献
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电光调Q双脉冲输出Nd:YAG全固态激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了激光二极管(LD)双端面抽运传导冷却复合Nd:YAG晶体电光调Q激光器,实现脉冲间隔可调的双Q脉冲输出。用两个光纤耦合输出的LD模块作为抽运源,偏硼酸钡(BBO)晶体作为Q开关,在一个抽运周期内两次启动Q开关,获得脉冲能量大于14mJ,脉宽小于等于18ns,脉冲间隔200~230μs可调的双Q脉冲输出,激光器重复频率50Hz,光-光转换效率达到24%。探索了用磷酸二氘钾(KD*P)调Q晶体开关实现稳定双脉冲输出的可行性,通过抑制压电环效应,消除子脉冲现象,最终获得脉冲能量约11mJ,脉宽小于等于18ns。 相似文献