聚合物MEH-PPV橙红光OLED的研究

以聚合物聚[2-甲氧基-5-(2'-乙烯基-己氧基)聚对苯乙烯撑](MEH-PPV)为发光层,采用旋涂方法制备了两种不同结构的有机电致发光器件(OLED),分别为:ITO/MEH-PPV/Alq3/Mg:Ag和ITO/MEH-PPV/bathocuproine(BCP)/Alq3/Mg:Ag.对两种器件的电致发光谱、J-V曲线和L-V曲线等发光特性进行了分析研究.对比发现,采用BCP为空穴阻挡层的结构具有较大的发光亮度和较高的发光效率.根据能级理论对上述实验结果进行了初步的理论分析,并对器件性能差异的原因进行了解释.     

芴类衍生物有机电致发光器件中的激基复合物

利用紫外-可见光吸收光谱和荧光发光(PL)光谱,研究了新型芴类小分子材料2,3-bis(9,9-dihexyl-9H-flu-oren-2-yl)-6,7-difluoroquinoxaline(F2Py)的本征光谱特性,并制备了基于F2Py的有机电致发光器件(OLEDs),讨论了器件的电致发光(EL)光谱。结果表明,F2Py在溶液状态下的本征PL峰值位于452 nm,在薄膜状态下的本征PL峰值位于448 nm,而F2Py与NPB的混合物的PL发光峰在544 nm。在器件的EL光谱中,观察到了位于530~550 nm范围的激基复合物发光峰,以及来自F2Py与NPB激子发光的共同作用形成的位于430nm左右的肩峰。当F2Py层厚度为50 nm时,器件的启亮电压为17 V,最高亮度为58 cd/m2;而当F2Py厚度为20 nm并加入了Alq3(10 nm)做电子传输层(ETL)时,器件启亮电压为8 V,最高亮度为5030 cd/m2,EL性能大大提高。     

不同手性单壁碳纳米管分离及其场效应晶体管性能研究

高纯度的单手性单壁碳纳米管对于下一代碳基电子器件的发展具有重要意义。利用聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-联吡啶](PFO-BPy)、聚(9,9－二辛基芴－2,7－二基)(PFO)和聚(9,9－二辛基芴－共苯并噻二唑)(PFO-BT)三种聚合物在有机相中分别分选出(6,5),(7,5)和(10,5)三种手性单壁碳纳米管,具有较高纯度以及浓度,并去除了超过99%的残留分散剂。使用上述溶液沉积获得高均匀性和高密度的碳纳米管薄膜,以此作为器件沟道材料,制备了手性单壁碳纳米管场效应晶体管阵列。结果显示,大直径的(10,5)手性碳纳米管晶体管器件具有较好的电学性能,其迁移率最高达16cm²·V-1·s-1,开关比达10⁷。     

一种新型光电聚合物的光伏器件制备及其性能研究

研究了新型光电聚合物材料聚1,4二(1-氰基)乙烯基撑苯撑3,7-N-辛基吩噻嗪撑(PQP)的电学性能和光伏特性.首先制备了结构为ITO/PQP/Al的单层器件.在暗场条件下,器件的电流一电压特性曲线呈典型的二极管整流特征.在白光二极管照射下器件可以获得光伏响应,开路电压(Voc)为0.2 V,填充因子(ff)为0.27.此外,在单层器件的基础上,研究了与茈的衍生物PTCDI-C13结合制备的双层结构器件ITO/PQP/PTC-DI-C13/Al的光伏性能.与单层器件相比,双层器件的Voc可提高到0.9 V.双层器件的开路电压显著增加表明开路电压不仅仅受电极功函数的影响,还与受主的LUMO和施主的HOMO之间的能带有关.     

共轭聚合物电致发光器件

采用脱氯化氢法合成出可溶性的共轭聚合物－ 聚（２ － 甲氧基－ ５ － 癸氧基） 对苯乙炔（ Ｐ Ｍ Ｏ Ｄ Ｏ Ｐ Ｖ） ,以 Ｐ Ｍ Ｏ Ｄ Ｏ Ｐ Ｖ 为发光层制备了单层电致发光器件,研究了器件的发光特性。器件的启亮电压为５ Ｖ ,发光峰位为５６０ ｎ ｍ     

基于Zn(4-TfmBTZ)2的OLED的电致发光光谱调控

将不同浓度的二[2-(4,三氟甲基-2-羟基苯基)](Zn(4-TfmBTZ)2)掺杂到mcp层中制备了有机电致发光器件(OLED),器件的结构为ITO/NPB(40nm)/[Zn(4-TfmBTZ)28%:mcp](30nm)/Bphen(40nm)/LiF(1nm)/Al(200nm)。结果发现,Zn(4-TfmBTZ)2的掺杂浓度极大地影响器件的光谱和色度。在mcp层中,Zn(4-TfmBTZ)2质量分数为8%时,Zn(4-TfmBTZ)2与电子传输层Bphen形成的激基复合物发射较强;但在掺杂浓度达到50%时,激基复合物的发射非常弱,几乎消失。由此通过mcp中Zn(4-TfmBTZ)2掺杂浓度的调节,实现了器件从蓝光色坐标为(0.22,0.27)到白光色坐标为(0.29,0.34)发射的调控。     

基于芴类寡聚物的蓝光聚合物光纤放大器

利用在POFs中掺杂一系列的芴类寡聚物,包括3-,5-（9,9-二辛基芴）和7-（9,9-二己基芴）,我们制作了工作在440～480nm的聚合物光纤（POF）放大器。纯寡聚芴类的增益性质证明增益系数量级在250dB／cm,放大自发辐射阈值在1～8μJ／cm^2,大大低于其他芴类增益介质。掺杂低聚物PMMA薄膜的光学和形态特性显示,低聚物在PMMA中高度孤立。利用适当的预制棒拉纤技术和掺杂寡聚芴类拉制的POFs的光学和增益性质测试表明。掺杂的2mmPOF增益值为0．07dB量级．寡聚芴类在POFs中高度孤立,为用于光学增益开关铺平了道路。     

基于DPV的高效率蓝光有机电致发光器件

制备了基于荧光染料2-diphenylamino-7-(2,2 diphenylvinyl)-9,9'-spriobifluoreme(DPV)的高效率蓝光有机电致发光器件(OLED).器件的结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/DPV(d nm)/BCP(10 nm)/Alq3(30 n...     

交流电沉积制备PEDOT∶PSS有机电化学晶体管

使用3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)与聚(4-苯乙烯磺酸钠)(NaPSS)的混合水溶液为电解液,采用交流电沉积法在Pt微电极对之间沉积形成薄膜、线、枝晶等不同形貌结构的有机半导体(OS)沟道层。以NaCl电解质作为栅介质,Ag/AgCl电极作为栅极,一对Pt微电极中一个为源极,另一个为漏极,制备形成有机电化学晶体管(OECT)。采用计时电流法和循环伏安法对Pt电极聚(3,4乙烯二氧噻吩)∶聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT∶PSS)聚合过程进行了表征与检测。结果表明EDOT的氧化电位为0.9 V,PEDOT∶PSS的过氧化电位为1.2 V,电沉积制备PEDOT∶PSS的过程中物质输运扩散受限。进一步基于介电泳、电泳以及粒子间的聚合力分析了电化学参数对OS层形貌的影响规律。使用Keithley 2636B源表对OECT进行测试,结果表明制备的OECT为p耗尽型器件,薄膜状OS沟道层的器件性能最好,其跨导达到0.8 mS,开关比达到400。     

新型芴-咔唑共聚物电致发光性质的研究

研究了一种新型的芴与咔唑交替共聚合物材料的电致发光(EL)特性,制备了2种不同结构的器件,分别为indium-tin-oxide(ITO)/polymer/tris-(8-hydroxyquinoline)-alumium(Alq3)/Mg:Ag和ITO/polymer/bathocuproine(BCP)/Alq3/Mg:Ag.实验结果表明;前者发射绿色光,为Alq3的本征发光,聚合物起空穴传输层(HTL)的作用;后者发射蓝色光,EL谱与聚合物材料的光致发光(PL)谱一致,说明这种共聚物除了可用做空穴传输材料外,本身亦可做为优良的OLED蓝色发光材料.     

Modeling of noise parameters of MESFETs and MODFETs and theirfrequency and temperature dependence

A simple noise model of a microwave MESFET (MODFET, HEMT, etc.) is described and verified at room and cryogenic temperatures. Closed-form expressions for the minimum noise temperature, the optimum generator impedance, the noise conductance, and the generator-impedance-minimizing noise measure are given in terms of the frequency, the elements of a FET equivalent circuit, and the equivalent temperatures of intrinsic gate resistance and drain conductance to be determined from noise measurements. These equivalent temperatures are demonstrated in the case of a Fujitsu FHR01FH MODFET to be independent of frequency in the frequency range in which 1/f noise is negligible. Thus, the model allows prediction of noise parameters for a broad frequency range from a single frequency noise parameter measurement. The relationships between this approach and other relevant studies are established     

物联网技术发展及武汉政府可采取的对策

物联网的应用已逐步进入我国的某些领域,取得了很大成功.在未来的5至10年物联网将会在更大范围于全社会展开.本文首先介绍了物联网的概念和发展历史,分析了物联网应用的关键技术及体系,列举了物联网应用的现状及发展趋势,阐述了物联网应用过程中存在的主要问题,最后提出了武汉市在物联网发展过程中应采取的对策     

便携式温湿度无线监控系统的设计与实现

利用新一代单片全校准、高集成度、小体积的数字式温湿度传感器SHT71,通过单片机的控制实现对温湿度的采集与显示,再经由无线收发传输采集到的数据与遥控各温湿度调节设备,并结合了便携式与PC机操作。使得此系统具有体积小、适用面广、使用方便等特点。     

"杀手锏"、"产业链"问题及创新与发展策略

随着3G的演进与宽带多媒体业务的发展,用户需求、市场运营模式已发生了本质改变,在这种多方依赖、共赢合作的环境中,必须处理好技术驱动与市场驱动关系,以及“杀手锏”和“产业链”问题,企业才能作出正确的战略决策,在激烈的市场竞争中取得成功。本针对这些情况,并结合中国国情,介绍了应关注的新技术,重点论述“杀手锏”、“产业链”问题及持续发展与不断创新关系的一些策略考虑。     

宽带卫星多媒体系统与下一代网络的互连与集成

BSM是现有宽带卫星IP系统的代表．致力于卫星通信与互联网的结合．使得陆地IP网络协议可以应用于卫星系统。而NGN提出了下一代通信网络的特点与要求,这将成为通信系统未来发展的趋势。BSM与NGN的结合将对卫星通信的发展产生重要影响,本文将对BSM与NGN的功能架构做简要介绍,并针对BSM与NGN的互连与集成的适应性做介绍与分析。     

浆料的结冻与解冻

浆料的结冻与解冻张耿（国营４３２０厂西安７１００６５）ＦｒｅｅｚｅａｎｄＤｅｆｒｅｅｚｅｏｆＰａｓｔｅａｎｄＳｌｕｒｙＺｈａｎｇＧｅｎｇ（ＳｔａｔｅＲｕｎＦａｃｔｏｒｙＮｏ４３２０，Ｘｉ＇ａｎ，７１００６５）１引言在研制和生产浆料的过程中，无论是银浆...     

有人战斗机和无人战斗机打击性能比较分析

对敌威胁扇面角的确定是战斗机对敌舰进行打击、执行海上作战计划的重要环节,有助于提高编队体系作战能力。美国海军的“伯克”级驱逐舰拥有强大的攻击能力、卓越的防空和对舰作战能力。针对美国海军的“伯克”级驱逐舰,分析了有人战斗机和无人战斗机对其构成的威胁扇面角与预警半径、敌我距离、我机作战半径、导弹射程的关系,建立了对敌空中威胁扇面角定量模型。仿真结果表明了无人战斗机在远程打击上的优势。     

浅谈科学技术发展的利与弊

21世纪是人类历史的一个蓬勃发展的时代。在信息高速发展的今天,科学技术迅速发展,带动了人类社会的进步,但是同时也带来了人类的生存危机。人类应该正确看待科学技术,使科学造福于人类,而不成为祸害。     

有线电视收费管理系统的研究与实现

随着我国有线电视的发展,有线电视的收费管理问题日益突出,收费难已经成为全国各有线电视台有待解决的难题之一,严重制约了我国有线电视的发展。提出一种成本低廉、效果明显的有线电视收费管理系统,能够较好地解决上述问题。     

Mechanisms and kinetics of vapor-phase etching of GaAs and GaP

Vapor-phase etching of (111), (111), (110) GaAs and (111), (111) GaP wafer in H₂ + HBr or H₂ + PBr₃ gas mixtures has been conducted. The results of two cases, with liquid-forming metal (gold) layers or without coatings, are compared. Etching rates as a function of temperature in the range of 600? to 950? C were measured in Arrhenius coordinates. For both materials and for different gas environments, low-, medium- and high-temperature regions are distinguished, the activation energies in the low-temperature region (below about 650?c) being quite different for the two cases. The kinetic results are correlated with morphological changes arising from temperature variations. Some conclusions are made about the mechanisms of chemical vaporization in various temperature regions. The vaporization mechanisms have much in common with those for A^II - B^VI compounds.