氧化锌基薄膜晶体管制备与研究

以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长.利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管.SiO2 被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管 (ZnO-TFT) 成功运作目的.ZnO-TFT 的电流开关(on/off)比达到104以上.ZnO-TFT 在可见光区平均光透过率大约为80%.以上表明利用ZnO 替代传统 Si 材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的.     

Nb/Nd共掺Bi4Ti3O12对ZnO基薄膜晶体管性能的影响

利用化学溶液沉积(CSD)法,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上成功制备以B3.15Nd0.85Ti3-x NbxO12(BNTNx,x=0.01,0.03,0.05,0.07)薄膜作为栅介质层、以ZnO薄膜作为有源层的铁电薄膜晶体管(ZnO/BNTN铁电TFT)。研究了Nb含量对BNTN薄膜微结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,BNTN0.03薄膜的剩余极化(2 Pr)最大(71.4μC/cm2),介电常数最大(370)。测得BNTNx薄膜的居里温度约为410℃,介电损耗(tanδ)约为0.02。ZnO/BNTN铁电TFT相比ZnO/SiO2层TFT,有较好的输出特性和转移特性,其阈值电压、沟道迁移率、存储窗口和开关电流比分别达到了2.5V、5.68cm2/Vs、1.5V和1.8×105。     

磁控溅射ZnO基TFT的研究

采用直流磁控溅射在SiO2/n-Si(111)衬底上沉积了Al薄膜,经过光刻、刻蚀形成源漏极,再采用射频磁控溅射沉积ZnO薄膜作为有源层,成功制备了底栅顶接触结构的ZnO-TFT,Al膜厚135nm,ZnO膜厚110nm.实验结果表明,薄膜晶体管展示出明显的栅控特性以及饱和特性,ZnO薄膜沿C轴择优取向生长,且在可见光...     

不同的制作方法对ZnO-TTFT光学特性的影响

采用磁控溅射和电子束热蒸发方法制备了ZnO-TTFT(ZnO基透明薄膜晶体管)器件,通过XRD和透射光谱对两种不同制作方法的样品性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TTFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,制得器件的有源层有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85%以上。研究了退火处理对器件性能的影响,发现快速热退火有利于改善薄膜的晶化,降低缺陷态密度,提高器件的透光性。     

有机发光晶体管的研究进展

兼备有机发光二极管及薄膜场效应晶体管特性的有机发光晶体管(OLET)不仅可能取代薄膜晶体管驱动的液晶显示,应用于大面积的全有机有源矩阵柔性显示中,还在集成电路信号处理等方面具有潜在的应用价值.文章概述了OLET的发展进程,并从器件结构、工作原理和材料等方面对其进行了概述.     

基于低温ALD氧化锌/钙钛矿复合膜的光电探测器

以原子层低温沉积技术(ALD)制备的氧化锌(ZnO)作为薄膜晶体管载流子传输层,将其与光电敏感性极高的CsPbBrI₂全无机钙钛矿薄膜复合进一步研制出光电晶体管用于光电探测。氧化锌薄膜晶体管可在150℃低温条件下制备且无需高温退火,同时,CsPbBrI₂钙钛矿薄膜也可以在低温工艺下制备。结果显示,CsPbBrI₂/ZnO光电探测器表现出较好的性能,可对365 nm至600 nm波长的光辐射有光响应。在500 nm波长的光照射下,最大响应度和探测率分别可达2×10³A/W和3×10¹⁴Jones。CsPbBrI₂/ZnO光电晶体管的瞬态响应显示出250 ms的上升时间和200 ms的下降时间,并且在长时间测量后瞬态行为保持不变。     

磁控溅射法制备高性能ZnO薄膜晶体管

研究了磁控溅射法制备的ZnO薄膜晶体管(TFT)。以NH3处理的热生长SiO2作为绝缘层,控制好Ar-O2比等条件溅射合适厚度的ZnO作为器件的有源层。实验表明,与普通条件下热生长的SiO2绝缘层硅片相比,NH3处理的高性能SiO2绝缘层Si片器件的载流子迁移率至少要高1个数量级以上;溅射条件在Ar-O2比25∶1情况下制作的器件性能最好;ZnO薄膜厚度也对ZnO-TFT性能有很大的影响。实验中,采用了4种膜厚,测试表明,其中25nm厚的ZnO薄膜迁移率最大。     

氩氧分压比对ZnO薄膜的结构及电学性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFTS),研究了氩氧分压比对ZnO薄膜生长以及ZnO-TFT电学特性的影响。结果表明:氩氧分压比为40/16和40/8时制得的ZnO-TFT样品,都存在氧过量现象,生长晶向都存在一定左偏移,有源层沟道都为n型,均工作在增强型模式下,饱和特性都较好,且都呈现出一个较大的负方向漏电流,但氩氧分压比为40/16时制备的ZnO薄膜结晶性更好,其所对应的ZnO-TFT具有更高的场效应迁移率和开关电流比,以及更低的亚阈值摆幅。     

氩氧分压比对ZnO薄膜的结构及电学性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFTS),研究了氩氧分压比对ZnO薄膜生长以及ZnO-TFT电学特性的影响。结果表明:氩氧分压比为40/16和40/8时制得的ZnO-TFT样品,都存在氧过量现象,生长晶向都存在一定左偏移,有源层沟道都为n型,均工作在增强型模式下,饱和特性都较好,且都呈现出一个较大的负方向漏电流,但氩氧分压比为40/16时制备的ZnO薄膜结晶性更好,其所对应的ZnO-TFT具有更高的场效应迁移率和开关电流比,以及更低的亚阈值摆幅。     

ZnO/ZnCdO和ZnO/ZnMgO超晶格的子带研究

ZnO是具有3.37 eV的宽禁带半导体材料,近年来引起了众多研究者的兴趣。Zn1-xCdxO和Zn1-xMgxO很好地实现了对ZnO能带的减小和增大。采用较为简单的一维K P势模型结合有效质量理论得到了ZnO/Zn1-xCdxO及ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱的能量色散关系,以及子带的MeV跃迁与超晶格带阶、阱垒宽度之间的关系。将该多量子阱应用于太赫兹量子级联激光器(THz QCL)有源区,对粒子数反转和跃迁矩阵进行了相关讨论。     

辽河油田有线电视300MHz传输系统总体设计方案

作者根据多年对大型CATV系统管理维护经验,详尽论述了辽河油田300MHz CATV系统设计方案。对目前我国大中、型CATV系统改造具有一定参考价值。     

一种新的基于共模扼流圈传导干扰模态分离网络

测试传导性干扰的模态噪声,是设计电磁干扰(EMI)滤波器的前提条件。共模扼流圈能够抑制共模模态,而不影响差模电流的输出。根据共模扼流圈这一特点,设计一种由两个共模扼流圈为核心的共模/差模分离网络,实现共模电压和差模电压的同时输出。仿真结果表明,在150 kHz³0 MHz的测试频带,输入端口阻抗基本在50Ω,并且共模传递比(CMTR)、差模抑制比(DMRR)、差模传递比(DMTR)及共模抑制比(CMRR)四个结果显示了该分离网络的良好模态分离效果。     

用衍射微透镜列阵提高探测器性能的原理分析

文中研究了用衍射做透镜列阵与焦面探测器相耦合来提高探测系统的能量利用率，从而改善其信噪比等整机性能及轻量化前置光学系统的原理。结论表明，该方法的有效性决定于衍射微透镜列阵的F／＃和衍射效率ηde及其对焦面的能量接收率及kp，F／＃越小，ηde与kp越大，系统性能改善越好。     

全光纤反射式Mach—Zehnder干涉仪的数值研究

本文首次用干涉法对反射式Mach-Zehnder干涉仪的性能做了较详细的研究。推导出了该干涉仪的能量传输矩阵,分析了两个耦合器的分光比和两臂的臂长差对其输出光谱谱线的影响,对于k=0.5的反射式Mach-Zehnder干涉型滤波器比同臂长差的透射式Mach-Zehnder干涉型滤波器的峰值波长间隔周期小1倍。并讨论了相邻透射峰之间波长差与臂长差的关系。     

差错控制对数字通信系统的可靠性的影响

通过对数字通信的各种信道编码方式、差错控制的类型以及差错控制编码分类的总结和分析,根据各种常用信道编码的比特差错率和码字差错率之间关系的差异,得出了差错控制编码对数字通信系统可靠性影响的定量计算结果,并用MATLAB仿真软件进行了分析和比较.又根据差错性能和信号带宽、信噪比、传输速率之间的关系,得出了评价干扰数字通信系统等级的一些想法,为进一步研究数字通信系统干扰效果的评估准则做一个理论基础.     

基于比值法图像拼接算法研究

在讨论比值法进行图像拼接的基础上,针对比值匹配算法误匹配的问题,提出了一种改善比值匹配配准精度的算法.通过增加比值模板的列数来确定选取特征线的最佳匹配,从而增加了模板的信息量,提高了图像拼接的准确性.实验表明,该改进算法可以有效地进行图像拼接,并改善了原有比值法的配准精度.     

一种新的基于优先级表的实时调度算法

本文提出了一种新的基于优先级表的实时调度算法,称作截止期—价值密度优先(Deadline - Value Density First)算法,简称DVDF算法.DVDF算法综合考虑了实时任务的截止期和价值密度两个参数,能够更好地适应不同的负载情况.通过使用正常负载和过载情况下的典型数据对算法进行仿真研究表明,这种算法比单纯考虑截止期的EDF(Earliest Deadline First)算法在性能方面有明显的改进,特别是在系统过载的情况下,能够优雅地降级.     

Logistic扩频序列在MC-CDMA系统中的性能分析

文章通过对Logistic映射产生的混沌序列的特性进行定量分析,证明了Logistic映射序列在MC-CDMA系统中能够实现扩频通信的适应性;随后在分析影响MC-CDMA系统信噪比及误码率主要因素的基础上,在MC-CDMA下行链路基于BPSK调制方式,选择m序列、Gold序列、Logistic映射混沌序列分别作为扩频序列进行了实验仿真,揭示了系统误码率随序列长度、用户数、子载波数、信噪比的变化关系.在用户数和序列长度一定的情况下,信噪比在8dB之前,使用三种序列系统的误码率几乎相同,在信噪比为12dB之后Logistic序列误码性能明显优于其它两序列.而在序列长度和系统信噪比一定的情况下,在8个用户之前采用不同扩频序列系统误码率区分不明显,而在8个用户之后,随着用户数的增多,Logistic序列与其它两序列的误码率区分更加清楚.     

输电线路几种比率差动保护性能仿真

针对输电线路纵联差动保护中常用的常规比率差动保护、复式比率差动保护、故障分量复式比率差动保护的不同特点,采用ATP-EMTP仿真软件模拟的方法,结合这3种判据经高阻发生故障的试验,得出各判据的抗过渡电阻的能力的结论,以便解决差动保护的可靠性和灵敏度问题。     

集成对数单片放大器性能介绍

介绍了对数放大器的基本原理,给出了集成对数放大器AD83**系列的使用方法及相关计算公式等,同时,阐明了对数放大器在雷达接收机中的设计步骤。