分子束外延及其应用

最早发表有关化合物半导体分子束外延(简称MBE)的论文大约是五年前的事。之后,贝尔实验室及国际商业机械公司对分子束外延进行了研究发展,最近,它作为半导体单晶新的生长技术而引人注目。分子束外延可以生长极薄(几十埃)的外延层,且原子能级平坦,但用目前的汽相和液相外延法生长这样的薄层就很困难。本文就分子束外延及其应用问题加以阐述。     

分子束外延(MBE)技术的最新发展

本文综述了分子束外延技术在人造结构材料及器件上的应用,重点在于用分子束外延制备掺杂超晶格;应变层结构,无针孔硅化物和单晶二氧化硅等人造结构材料及器件。介绍了迁移增强外延(MEE)、间隔生长和温度开关等改进的 MBE技术。展望了分子束外延的发展。     

原子氢辅助分子束外延生长以GaAs材料性能的改善

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了常规分子束外延和原子氢辅助分不外延生长的掺杂Ｓｉ和Ｂｅ的ＧａＡｓ同质结构样品中缺陷的电这特性。发现原以辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低,这可解释为生长过程中原子对缺陷的原位中和与钝化作用。     

几种改进的分子束外延（MBE）技术

本文介绍了最近几年来发展的几种改进的分子束外延(MBE)生长技术,包括间隔生长技术、温度开关技术、迁移增强外延(MEE)、气源分子束外延(GSMBE)等。比较详细地介绍了它们的原理,并给出了主要实验结果。     

激光束外延促进超导薄膜生长

激光束外延促进超导薄膜生长大贩大学已发展一种用激光分子束外延生长１５０～１７０Ｋ氧化钙银铜（ＣａｏｓＳｒｏ，ＣｕＯ；。）高温超导薄膜的技术。该技术具有产生不连续界面，可进行原子水平的单层淀积控制。用激光烧蚀和计算机控制的分子束外延装置淀积（Ｃｈ，Ｓｒ...     

在分子束外延P型HgCdTe薄膜上制造长波红外平面光电二极管

本文介绍了分子束外延生长ＨｇＣｄＴｅ外延层以及利用平面工艺技术制制敏感波长为８μｍ－１０μｍ的小型ｐ－ｎ结的结果,在分子束外延过程中,生长动态,组分和表面粗糙度是利用内在高能电子衍射计和椭圆对称计在原位控制的。小面积光敏二极管（５０×７０μｍ）是利用平面工艺技术和阳极氧化物薄膜下的退火技术而制造出来的,Ｖ－Ｉ,光谱响应以及噪声特性的测量结果表明,在用发子束外延技术生长的碲镉汞外延层上制造的光电二极     

半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器

近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延（MBE）课题组合作,采用分子束外延技术生长的InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器.     

（英）分子束外延生长InAsSb材料的组分控制

采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子, Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可较好实现InAsSb材料的组分控制.     

分子束外延生长InAsSb材料的组分控制（英文）

采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子,Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可较好实现InAsSb材料的组分控制.     

分子束外延生长的连续工作InGaAs/InP隐埋异质结激光器

人们对用于1.0～1.7μm波长光纤通信系统光源的以InGaAsP和InGaAs作有源层的半导体激光器已进行了广泛研究。本文报导一种采用分子束外延生长制备的InGaAs/InP隐埋异质结激光器,该激光器的隐埋层是用液相外延生长的。InGaAs/InP隐埋异质结激光器的结构如图1所示。该激光器是以掺Sn(100)InP为衬底,用分子束外延生长:(1) n-InP限制层;(2) 非掺杂(n-型)InGaAs有源层;(3) p-InP限制层。接着用液相外延生长隐埋层(p-InP层和n-InP层),再用分子束外延生长p-InGaAs顶层。在分子束外延生长     

在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件

通过分析对比蓝宝石衬底和金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的优缺点,指出了金属所具有的独特优异的物理及化学性能,以及金属作为衬底外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的重大意义。详细介绍了国内外在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的研究状况及所发展的相关外延技术。相比金属有机物气相沉积技术和分子束外延技术,脉冲激光沉积技术可以实现Ⅲ族氮化物的低温外延生长,从而克服金属有机物气相沉积技术和分子束外延技术采用的高温生长而导致金属衬底与外延薄膜间发生的剧烈界面反应,可以直接在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件。脉冲激光沉积技术为在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件开拓了广阔的前景。     

分子束外延InAlSb/InSb晶体的质量研究

InAlSb/InSb薄膜材料的晶体质量会直接影响器件的性能。提高薄膜材料的晶体质量可以有效降低器件的暗电流,提高探测率和均匀性等。主要报道了掺铝锑化铟分子束外延技术的初步研究结果。通过采用多种测试方法对InAlSb分子束外延膜的晶体质量进行了分析,找出了影响晶体质量的因素,提高了InAlSb分子束外延的技术水平。实验结果表明,通过优化生长温度、束流比、升降温速率以及退火工艺等生长条件,可以获得高质量的InAlSb分子束外延膜。     

分子束外延及其应用

一、引言随着半导体器件的发展而发展起来的分子束外延(MBE),是一种精密加工新技术。它是在超高真空下,把几个分子束喷射炉置于液氮屏蔽罩内,用需要进行生长的物质或掺杂物分别装入各喷射炉中,将炉温升到各自的蒸发温度产生相应的分子束,连续地打在适当温度的衬底上,实现单晶薄膜生长。分子束外延不仅能生长大面积、厚度和化学组份精确控制、均匀平滑的外延层,而且还能     

第八届全国分子束外延学术会议征文通知

由中国电子学会电子材料分会和中国有色金属协会半导体材料分会主办、中国科学院半导体研究所承办的第八届全国分子束外延学术会议将于2009年9月24日至27日在新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市召开。本次会议旨在展示我国在分子束外延及其相关领域的新进展、新动态、新成果,交流、探讨我国分子束外延技术发展中存在的问题和     

第十一届全国分子束外延学术会议征文通知(第二轮)

·会议时间:2015年8月25~28日·会议地点:四川省成都市(银河王朝大酒店,中国四川省成都市顺城大街88号)·会议网址:http://mbe2015.csp.escience.cn·主办单位:中国有色金属学会半导体材料学术委员会、中国电子学会电子材料分会·承办单位:中国科学院红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所·会议宗旨,全国分子束外延学术会议是每两年举办一次的全国性学术会议。会议的宗旨是展示我国在分子束外延(MBE)及其相关领域的新进展、新动态、新成果,交流和探讨我国分子束外延发展中存在的问题和未来的发展方向,拓宽分子束外延的应用领域,为我国从事分子束外延技术以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会,同时也为分子束外延相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道,从而促进我国分子束外延技术及其相关领域科学技术的发展。     

GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术

在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制 ,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长 Si Ge/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的 Si Ge/Si HBT外延材料 ,可将硼杂质较好地限制在 Si Ge合金基区内 ,并能有效地提高磷烷对 N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率 ,获得了理想 N、P型杂质分布的 Si Ge/Si HBT外延材料     

分子束外延设备和砷化镓单晶的生长

<正> 分子束外延(简称MBE)技术是在真空蒸发基础上发展起来的晶体生长新技术.它是在超高真空条件下,构成晶体的各个组分和掺杂原子(分子)以一定的热运动速度、按一定的比例喷射到热的衬底上进行晶体的外延生长.其特点是生长速度慢、生长温度低,可精确控制生长层的厚度、组分和杂质分布,生长的表面和界面有原子级的平整度,     

砷化镓分子束外延简介

一、概述从六十年代初期至今十余年内,用来生长砷化镓单晶外延膜的方法主要有两种:一种是利用化学反应从汽相往单晶衬底上淀积砷化镓的汽相外延生长法,另一种是从含有砷化镓材料的溶液中利用偏析作用在衬底上析出单晶的液相外延法。最近几年,国外又出现了一种被称为分子束外延的生长技术(也有称为真空淀积技术或真空蒸发技术),并用它成功地生长了砷化镓单晶薄膜。所谓分子束外延方法,就是在一超高真空系统中,使衬底保持在一适当高温下,通过将膜组分元素和掺杂剂元素分别装到分离的喷射炉中,并将炉温加到蒸发温度以产生相应的分子束,连续地打在衬底表面上,从而在衬底表面上进行淀积以后到单晶薄层。     

电子器件重要术语解释(Ⅲ)

3 超晶格器件(Super LatticeDevice)3.1 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy)分子束外延是AT＆T贝尔研究所J.R.Arther和A.Y.Cho于1970年开始研究的超高真空(～1.33×10~(-8)Pa)半导体结晶生长技术。把待结晶生长的基片放置在超高真空腔室中,在基片的对面设置多个分子束束     

Ⅱ-Ⅵ族化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延

本文是有关Ⅱ—Ⅵ族半导体化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延法的第一篇报导文章。外延生长是在100℃温度下、在用分子束外延得到的CdTe(111)面上进行的。