热等静压技术在特种陶瓷制备中的应用

引言 特种陶瓷包括结构陶瓷和功能陶瓷。由于特种陶瓷所用原料大部分为共价键原料,使得烧结时的扩散速度相当低,故烧结性很差。若选用无压烧结,要获得致密的烧结体,不得不加入添加剂,而添加剂的加入,或多或少地影响材料的各种性能。若选用热压烧结,虽然可以得到致密的烧结体,但制品的形状和尺寸要受到限制。又因为热压烧结是采用单向加压,烧     

碳化硅陶瓷及其复合材料的热等静压氮化

通过对ＳｉＣ陶瓷，ＳｉＣ－ＴｉＣ复相陶瓷以及ＳｉＣ晶须补强ＳｉＣ基复合材料在氮气氛中进行高温的氮化处理，成功地实现了这些材料的开口气孔与表面裂纹的愈合。有关研究表明：热等静压氮化工艺可以显著提高ＳｉＣ陶瓷及其复合材料的抗强度，对断裂韧性也有较大的改善作用。     

等静压成型碳化硅多孔陶瓷

介绍了等静压成型碳化硅多孔陶瓷的制备技术,研究了高温结合剂加入量及成型粘合剂的加入量对制品的成型性能、气孔率、孔结构、强度等性能的影响.     

低温烧结等静压成型陶瓷柱塞的研制

阐述了采用等静压成型工艺和低温烧结技术生产大型高铝陶瓷柱塞的过程。通过精心配方设计和对主要工艺参数的优化，含氧化铝85％的陶瓷柱塞烧结温度从1400℃到1550℃，机械强度高，烧成变形小，合格率高，生产成本低，使用寿命较注浆产品显著延长。     

高温等静压后处理液相烧结SiC陶瓷的强化与增韧机理

研究了高温等静压（ＨＩＰ）后处理对液相烧结ＳｉＣ陶瓷的强化与增韧机理。通过讨论ＨＩＰ后处理对材料显微结构与力学性能的影响,建立了实验模型,深入分析了ＨＩＰ氮化后处理通过中,起主导作用的物理化学过程,并将此过程分为Ｎ２的扩散、表面氮化反应及进一步的致密化三个阶段。结果表明,ＨＩＰ后处理通过受液相烧结ＳｉＣ陶瓷显微结构的影响非常显著,当ＳｉＣ的液相烧结温度较低,晶粒尺寸较小时,将有利于Ｎ２沿ＳｉＣ晶界     

陶瓷墙地砖等静压模具

陶瓷墙地砖等静压模具是新近出现的一种新型模具。本文详细介绍了它产生的背景、原理、适用范围和发展前景。     

陶瓷烧结新工艺

主要介绍了当前较重要的陶瓷烧结新工艺,对各新工艺的基本原理,优缺点,应用等做了概括,并总结了它们的应用前景及目前亟等解决的问题。     

热态等静压成型对氧化铝陶瓷机械性能的影响

本文研究了热态等静压成型条件对含９４．９７％和９９％Ａｌ２Ｏ３的预烧陶瓷机械性能的影响。     

碳化硅致密陶瓷材料研究进展

碳化硅材料以其优异的性能得到了越来越广泛的应用,通过简要介绍碳化硅致密陶瓷的制备方法及其性能和总结近年来国内外的研究进展,来展望碳化硅致密陶瓷材料的研究发展趋势。     

多孔碳化硅陶瓷的原位氧化反应制备及其性能

以SiC为陶瓷骨料,Al2O3作为添加剂,通过原位氧化反应制备了Sic多孔陶瓷,并对其氧化反应特性及性能进行了研究.结果表明:在1 300～1 500℃,随烧结温度的升高,SiC的氧化程度增加,SiC多孔陶瓷的强度逐渐增加,但开口孔隙率有所降低.莫来石相在1 500℃开始生成·当烧结温度升高到1 550℃时,莫来石大量生成,得到了孔结构相互贯通且颈部发育良好的莫来石结合SiC多孔陶瓷;由于在SiC颗粒表面上覆盖了致密的莫来石层,SiC的氧化受到抑制,开口孔隙率因而升高,SiC多孔陶瓷的强度因莫来石的大量生成而增加.由平均粒径为5.0um的SiC,并添加20%(质量分数)Al2O3,经1 550℃烧结2h制备的SiC多孔陶瓷具有良好的性能,其抗弯强度为158.7MPa、开口孔隙率为27.7%.     

热压法制备SiC_p/Cu复合材料

用电阻热压烧结法制备了碳化硅颗粒/铜(SiC_p/Cu)复合材料。对复合材料的制备工艺进行了研究。对复合材料的致密化机制进行了分析。用X射线衍射、扫描电镜等分析样品的成分和微观形貌。结果表明:制备SiC_p/Cu复合材料较适宜的烧成条件为700℃,30～40 MPa,5～10 min。所制备的35SiC/65Cu(体积分数)复合材料的最大密度为7.0 g/cm~3,弯曲强度为220 MPa,显微硬度为1.30 GPa。SiC_p/Cu复合材料的电阻烧结致密化是通过软化的铜在烧结压力下的塑性变形来实现的。     

无压烧结制备纳米复合碳化硅陶瓷

以水基喷雾造粒而成含5%(质量分数)纳米氮化钛(TiN)颗粒的碳化硅(SiC)造粒粉为原料,采用无压烧结制备纳米复合SiC陶瓷。分析了烧结温度及保温时间对复合陶瓷烧结特性与显微结构的影响规律。结果表明:采取二步烧结可以实现SiC陶瓷在晶粒不明显长大的前提下实现致密化,二步烧结,即先升温到1950℃保温15min后迅速降至1850℃烧结1h,制备的SiC陶瓷具有较高收缩率、较低质量损失以及较高的致密度;纳米TiN颗粒加入后能与基体(SiC,Al2O3)部分发生反应生成TiC和AlN,明显改善SiC陶瓷的烧结性能,获得等轴状、细晶显微结构和优越的力学性能。     

日本采用冷等静压设备制造各向同性石墨的发展

评述了日本采用冷等静压设备制造各向同性石墨的历史及其发展,介绍了日本各向同性石墨的型号、性能与应用。     

聚碳硅烷粘结法低温制备碳化硅多孔陶瓷

分别以平均粒径为10μm和20μm的两种规格碳化硅(SiC)粉末为原料、聚碳硅烷(PCS)为粘结剂,通过包混、过筛、模压成型、1000℃热解等工序制备了SiC多孔陶瓷,研究了PCS含量对SiC多孔陶瓷微观形貌、线收缩率、孔隙率与抗弯强度的影响,并对两种规格粉末制备的SiC多孔陶瓷性能进行了对比。结果表明:随着PCS含量的增加,两种规格粉末制备的SiC多孔陶瓷微观形貌都逐渐变得致密,当PCS含量为13%时,两种规格粉末制备的多孔陶瓷都出现了微观裂纹。随着PCS含量的增加,两种规格粉末制备的SiC多孔陶瓷孔隙率都逐渐降低,线收缩率都逐渐增大,抗弯强度先增大后降低,在PCS含量为10%时,平均粒径为10μm与20μm的SiC粉末制备的多孔陶瓷抗弯强度取得最大值,分别为31.6MPa与29.0MPa。     

多孔碳化硅陶瓷的抗热震性研究

本文考察了多了孔碳化硅陶瓷的抗热震性,并探讨了不同制造工艺对多孔碳化硅陶瓷抗热震性的影响。同时研究了ＳｉＣ陶瓷在热处理过程中ＳｉＣ颗粒表面氧化形成的ＳｉＯ２在不同热处理温度的状态变化及其对试样抗热震性的影响。     

国内冷等静压各向同性石墨的发展

评述了国内冷等静压各向同性石墨的发展历史，介绍了各向同性石墨的生产企业及其产品性能与应用。