宽带GaAs MMIC放大器

Ｍ／Ａ-ＣＯＭ研制的ＭＡＡＭ２８０００-Ａ１型宽带ＭＭＩＣ放大器的工作频率为２～８ＧＨｚ,它采用２级放大,单电源１０Ｖ供电,具有较好的增益平坦度,输入输出阻抗均为５０Ω,增益为１７ｄＢ,增益平坦度为±０．５ｄＢ,在２～４ＧＨｚ、４～６ＧＨｚ和６～８ＧＨｚ时的最大噪声分别为８．０ｄＢ、６．５ｄＢ和６．０ｄＢ,输入和输出驻波比分别为１．６和１．５,输入ＩＰ３为+７ｄＢｍ,输出１ｄＢ压缩为+１．４ｄＢｍ,反向隔离为３５ｄＢ,最大偏压电流为１００ｍＡ。该器件采用廉价的小型８脚陶瓷封装,不需要任何外部元件,可用于卫星通…     

12GHz GaAs MMIC 放大器

本文叙述了12GHz 单片放大器的理论分析与设计,提出一种 CAA 噪声分析模型,该模型在己知 FET 最小噪声系数 F_(min)和相应增益 G_a 的基础上,计算最佳源导纳 Y_(?),同时本文介绍了放大器的工艺制作。放大器在12.2～13.8的频率范围内具有增益7dB,在12.2GHz 具有噪声系数为3.9dB。     

DC～70GHz GaAs超宽带放大器MMIC

基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款DC～70 GHz超宽带放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用6级共源共栅结构,拓展了超宽带放大器MMIC的带宽,提高了其增益。在共源共栅PHEMT之间引入一条调谐微带线作为调谐电感,改善了超宽带放大器MMIC的增益平坦度。在片测试结果表明,该放大器MMIC在DC～70 GHz内,小信号增益大于8.3 dB,增益平坦度典型值为±1 dB,饱和输出功率大于13 dBm。在50 GHz以下噪声系数小于5 dB,在70 GHz的噪声系数为8.5 dB。该放大器MMIC的工作电压为8 V,电流为70 mA,包含射频压点与直流压点的芯片尺寸为1.39 mm×1.11 mm。     

开发GaAs MMIC用于数字式无绳电话

<正>据日本《Semiconductor World》1993年第8期报道,日本夏普公司开发了1.9GHz数字式无绳电话用的GaAs MMIC发射和接收组件。 发射用的MMIC,其芯片尺寸为1.9mm×1.9mm,工作电压为3V,功率附加效率B>40％; 接收用的MMIC,其芯片尺寸为1.0mm×1.0mm,功耗为3V,1.8mA,噪声/增益系数为3dB/14dB。 该组件可应用于数字式无绳电话和数字式蜂窝电话。     

NJG1129MD7：低噪声放大器GaAs MMIC

新日本无线株式会社推出适于1SEG信号用调谐器模块的宽频带低噪声放大器（下称LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7。     

5～13 GHz GaAs限幅低噪声放大器MMIC

基于0.15 μm GaAs pin二极管和GaAs PHEMT工艺,设计并实现了一款5～13 GHz限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC).该MMIC中限幅器采用三级反向并联二极管结构,优化了插入损耗和耐功率性能;LNA采用两级级联设计,利用负反馈和源电感匹配,在宽带下实现平坦的增益和较小的噪声;限幅器和LNA进行一体化设计,实现了宽带耐功率和低噪声目标.测试结果表明,在5～13GHz内,该MMIC的小信号增益大于20 dB,噪声系数小于1.8 dB,耐功率大于46 dBm(2 ms脉宽,30％占空比),总功耗小于190 mW,芯片尺寸为3.3 mm×1.2 mm.限幅LNA MMIC芯片的尺寸较小,降低了组件成本,同时降低了组件装配难度,提高通道之间的一致性.     

12~18 GHz GaAs MMIC低噪声放大器设计

采用GaAs工艺设计了一个12~18 GHz毫米波单片集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。采用三级单电源供电放大结构,运用最小噪声匹配设计、共轭匹配技术和负反馈结构,同时满足了噪声系数、增益平坦度和输出功率等要求。仿真表明：在12~18 GHz的工作频带内,噪声系数为1.15~1.41 dB,增益为27.9~29.1 dB,输出1 dB压缩点达到15 dBm,输入、输出电压驻波比(VSWR)系数小于1.72。     

2～18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC

基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2～18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构,通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增加接地电容,提高了放大器的高频输出阻抗,进而拓宽了带宽,提高了高频增益,并降低了噪声。在片测试结果表明,在5 V单电源电压下,在2～18 GHz内该低噪声放大器小信号增益约为26.5 dB,增益平坦度小于±1 dB,1 dB压缩点输出功率大于13.5 dBm,噪声系数小于1.5 dB,输入、输出回波损耗均小于-10 dB,工作电流为100 mA,芯片面积为2 mm×1 mm。该超宽带低噪声放大器可应用于雷达接收机系统中,有利于接收机带宽、噪声系数和体积等的优化。     

GaAs MMIC倍频器

HMC156C8是Hittite Microwawe推出的GaAsMMIC倍频器,其输入频率范围为0．7～2．3GHz,输出频率为1.4GHz～4.6GHz,转换损耗小于18dB。中心频率fo、3fo和4fo相对于输入电平的隔离分别为47dB、55dB和42dB,输入驱动电平为10～20dBm,该芯片采用Hittite公司的MMIC技术,不需直流偏压,尺寸小。采用非密封陶瓷表面封装,工作温度为-55～+85℃。 咨询编号：001243     

100GHz InP MMIC放大器开发成功

<正> 美国Varian公司开发成功单级5～100GHz单片毫米波集成电路(Monolithic Millimeter-Wave Integrated Circuit,MMIC),其平均增益大于5.0dB。据R.Majidi-Ahy等在最近的IEEE-MTT学报上的论文所述,这种MMIC分布放大器具有迄今为止报导过的最高的工作频率和带宽(5～100GHz)。这种七段分布放大器的有源器件是晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As-In_(0.52)Al_(0.48)AsHEMT,它们也是匹配到磷化铟(InP)半绝缘衬底上的。决定高频性能的关键因素是     

GaAs MMIC应用展望

ＧａＡｓ　ＭＭＩＣ应用展望本刊主编林金庭中图分类号：ＴＮ４５４ＰｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅｏｆＧａＡｓＭＭＩＣｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ￥ＬｉｎＪｉｎｔｉｎｇ１９９０年以前，砷化镓（ＧａＡｓ）技术的８０％是用于军事，随着冷战结束，高性能的ＧａＡｓＩＣ向何处去...     

具有正斜率增益的GaAs MMIC宽带放大器芯片设计

介绍了一种宽带放大器芯片,该放大器的工作频率覆盖了2～12 GHz,采用砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片电路工艺实现。在一个宽带负反馈放大器的前面集成了一个幅度均衡器,使放大器的增益在整个带内具有7 dB的正斜率,频率低端(2 GHz)增益为3 dB,高端(12 GHz)为10 dB,输入输出电压驻波比为1.6∶1,饱和输出功率为20 dBm,芯片尺寸为2.0 mm×1.5 mm×0.1 mm。详细描述了电路的设计流程,并对最终的测试结果进行了分析。该芯片具有频带宽、体积小、使用方便的特点,可作为增益块补偿微波系统中随着频率升高而产生的增益损失。     

100GHz MMIC放大器

<正>为适应军用毫米波和潜在商用的发展,Varian公司研制了新的毫米波宽带放大器.以前的W频段(75～110GHz)雷达、通讯和监视系统存在不少缺点,部分原因是由于它们采用混合集成电路.而MMIC技术能把多种电路集成在一个芯片上.Varian公司研制了分布式宽带5～100GHz MMIC,单级平均增益超过5.OdB.这种     

离子注入GaAs MMIC IF放大器的加速老练和长期可靠性研究

本文介绍了在3时掺铬GaAs LEC衬底上制造的离子注入GaAs单片微波集成电路(MMIC)IF放大器(IFA)的可靠性试验结果。该试验是总计为13000小时、对200多个IFA实行的三个加速老练试验和一个长期寿命试验。在125℃工作温度下,预计的失效率小于150非特。在激活能为1.9eV的情况下,失效前平均工作时间(MTTF)为10(?)小时。主要失效模式是IFA偏压电流和RF增益降额。初步失效分析表明,降额引起FET沟道电阻增大和跨导减小。     

GaAs MMIC抗静电能力研究

用人体静电放电模拟器对以ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ为主要有源器件的ＭＭＩＣ的静电敏感度进行研究,叙述了在ＭＭＩＣ设计、工艺制作等环节防静电和提高ＭＭＩＣ抗静电能力的措施,采用这些措施后,低噪声ＭＭＩＣ静电损伤阈值达到５００～８００ Ｖ。     

GaAs MMIC CAD Design Center

Nanjing Electronic Devices Institute Ga As MMIC CAD Center has HP、 SUNworkstation systems with EDA softwares such as HP EEsof、CADENCE、COMPACT,andEM Simulators such as Ansoft、 IE3D. And it also has the Integrated DevicesCharacterization Analysis Program HP IC- CAP with a complete set of microwave on- wafettest system.With the capability of MMIC design,devices model extracting and librarybuilding,layout design and CAD software developing,the MMIC CAD Center hasun…     

18GHz移动通讯回程应用需要高效1W GaAs MMIC放大器

为满足第四代数据传输服务的需要,无线通讯业已向LTE(长期演进)迅猛发展。虽然某些地区的不同标准将仍继续存在,世界上绝大部分的无线系统运营商会将依赖LTE作为他们4G平台的所有或相当大的组成部分。LTE能实现高质量视频流传输和文件速传等数据密集应用。     

12GHz低噪声MMIC放大器

<正>据《Semicon.NEWs》1989年第8期报道,日本三菱电机株式会社光微波器件研究所现已研制成在12GHz下噪声系数为1.58dB,增益29dB的世界最高性能的低噪声MMIC放大器.该放大器采用具有均匀性、重复性好的自对准多层金属栅结构超低噪声GaAs FET工艺,并使噪声和阻抗的匹配电路开始单片化.与以前采用凹槽型的GaAs FET放大器相比,性     

GaAs MMIC用无源元件的模型

制作了不同结构参数的GaAs MMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16.1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.