以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ∶Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ∶Ｅｒ）／透明电极（ＺｎＯ∶Ａｌ）。发光层是用电子束蒸发制备的,透明电极是采用溅射法制备的。器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,研究了器件的亮度－电压和效率－电压等特性。     

薄膜绝缘层对陶瓷厚膜电致发光显示器件的影响

采用丝网印刷技术，在Al2O3陶瓷板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层制备出陶瓷厚膜基板，进而制备了新型厚膜电致发光显示器（TDEL），整个器件结构为陶瓷基板／内电极／厚膜绝缘层／发光层／薄膜绝缘层／ITO透明电极。对用不同薄膜绝缘材料制备的显示器件的特性进行测试、比较、分析，结果表明薄膜绝缘介质层对器件的阈值电压、发光亮度均有一定的影响，以复合绝缘层的性能最优。最后对器件的衰减特性进行了初步分析。     

高饱和度蓝色磷光有机发光器件

使用典型天蓝色磷光材料FIrpic作为磷光金属微腔有机发光器件（OLED）的发光层,以高反射的Al膜作为阴极顶电极和半透明的Al膜作为阳极底电极,采用空穴和电子注入层MoO3和LiF,制备了结构glass／Al（15nm）／MoO3（znm）／NPD（40nm）／mCP：Flrpic（30Ftm,7％）／BCP（20n...     

使用高介电常数多层陶瓷衬底的新型薄膜电致发光器件

已研制成功一种使用多层薄膜和陶瓷衬底的新型复合结构交流电致发光器件.发光薄膜(ZnS:Mn)和ITO电极淀积在一块由高电介质陶瓷绝缘层(e_s～10~4),内部印刷电极和陶瓷基板构成的多层陶瓷衬底上.这种器件具有工作电压低(40-80V),无击穿故障,清晰度高的特点.     

Electron Injection Enhancement by Diamond-Like Carbon Film in Polymer Electroluminescence Devices

用正丁胺作碳源,采用射频辉光等离子系统制备类金刚石碳膜(DLC),沉积在聚合物发光器件中的发光层(MEH-PPV)和铝(Al)阴极间作电子注入层.制备了结构为ITO/MEH-PPV/DLC/Al的不同DLC厚度的器件,测量了器件的I-V特性、亮度及效率,研究了DLC层对器件电子注入性能影响的机制.结果表明:当DLC厚度小于1.0nm时,其器件有较ITO/MEH-PPV/Al高的启动电压和低的发光效率;当DLC厚度在1.0～5.0nm之间时,器件的性能随着DLC厚度增加而变好;当DLC厚度为5.0nm时,器件具有最低的启动电压与最高的发光效率;当DLC厚度继续增加时,器件的性能随着DLC厚度增加而变差.并对ITO/MEH-PPV/DLC/Al和ITO/MEH-PPV/LiF/Al的器件性能进行了比较研究.     

高亮度场致发光器件

日本夏普公司采用独立的发光层研制成高亮度的绿色、红色场致发光器件。为了使场致发光器件多色化,该公司通过在 ZnS层中掺杂稀土类元素的氟化物得到了特有的发光颜色。掺杂的元素是 ZnS:TbF_3(绿色)和 CaS:Eu(红色),实现了场致发光器件的高亮度化。绿色场致发光器件的构造是:在玻璃衬底上形成透明电极、绝缘膜、激发层、绝缘层、反向电极;通过在氩气中溅射各自的混合粉末形成发光层,选择由 SiO_2、Si_3N_4、Al_2O_3、Y_2O_3等组成的单层或复合膜作为上下     

聚合物电致发光器件中用类金刚石碳膜增强电子注入

用正丁胺作碳源,采用射频辉光等离子系统制备类金刚石碳膜(DLC),沉积在聚合物发光器件中的发光层(MEH-PPV)和铝(Al)阴极间作电子注入层.制备了结构为ITO/MEH-PPV/DLC/Al的不同DLC厚度的器件,测量了器件的I-V特性、亮度及效率,研究了DLC层对器件电子注入性能影响的机制.结果表明:当DLC厚度小于1.0nm时,其器件有较ITO/MEH-PPV/Al高的启动电压和低的发光效率;当DLC厚度在1.0～5.0nm之间时,器件的性能随着DLC厚度增加而变好;当DLC厚度为5.0nm时,器件具有最低的启动电压与最高的发光效率;当DLC厚度继续增加时,器件的性能随着DLC厚度增加而变差.并对ITO/MEH-PPV/DLC/Al和ITO/MEH-PPV/LiF/Al的器件性能进行了比较研究.     

乐甫波器件温度特性实验研究

研究了基于ST-90°X石英基片和SU-8波导层的乐甫波器件的温度特性。采用电极宽度控制单向单相(EWC/SPUDT)结构和铝电极,设计制作了具有单一模式控制功能和低插入损耗的150 MHz剪切型声表面波(SH-SAW)延迟线器件,并在其表面涂覆不同膜厚的SU-8声波导层构成系列乐甫波器件。由于SU-8波导层与石英基片温度系数的相反极性特性,SU-8膜厚直接影响到了乐甫波器件的温度特性。实验发现,覆盖不同膜厚的SU-8的乐甫波器件的中心频率随温度呈非线性变化,且在60~80℃内,SU-8膜厚为0.95μm时,其频率温度系数约为0.830×10-6/℃。     

退火对聚合物有机发光器件的影响

制作了结构为ITO／MEH—PPV／AI的单层聚合物有机发光器件(PLED),在镀铝电极前后分别对器件进行高于MEH—PPV玻璃化温度的退火处理。结果表明,镀铝电极后的退火处理可使器件的效率提高30％左右,器件的寿命增加40％左右;而镀铝电极前的退火处理对器件影响不大。     

陶瓷厚膜介质电致发光器件特点和最新进展

总结了陶瓷厚膜介质电致发光器件(TDEL)的发展历程和近期进展.介绍和比较了TDEL器件的特殊结构和优异的显示特性,以及陶瓷厚膜介质的工艺特点及器件的成本.重点阐述了iFire技术公司的新颖的颜色转换彩色显示实现方案,并对其产业化前景作了展望.     

陶瓷厚膜和薄膜混合电致发光器件

使用PbMg1/ 3Nb2 / 3O3 PbTiO3 PbCd1/ 2 W1/ 2 O3三元系电容器瓷料 ,采用流延工艺成膜 ,丝网印刷内电极 ,在 930～ 950℃下低温烧结的方法制备了陶瓷衬底。陶瓷厚膜在室温下的相对介电常数εr>1.4× 10 4 ,损耗tanδ≈ 1% ,具有极高的品质因素 (大于等于 80 μC/cm2 )。理论分析了电致发光器件的阈值电压与绝缘介质特性的关系。直接在陶瓷厚膜上制备了MIS结构和MISIM结构的以陶瓷厚膜为绝缘层的ZnS :Mn低压驱动电致发光器件     

喷墨打印OLED发光层像素坑内成膜控制方法

在OLED发光层喷墨打印制备中,像素坑内成膜厚度控制是抑制器件产生Mura缺陷的关键。不同喷孔液滴体积差异和液滴错误沉积引起的像素坑内融合溶液体积变化,是造成发光层膜厚不一致的主要原因。为解决膜厚一致性问题,本文提出了基于液滴体积控制与沉积定位控制的OLED发光层成膜控制方法。首先调节驱动波形使不同喷孔产生体积适配的液滴;然后检测各喷孔的液滴落点位置,通过偏移补偿和异常喷孔筛选控制液滴精准沉积;最后使用不同液滴混合方法控制像素坑内溶液体积。在实验中,将液滴沉积定位偏差控制在±10μm,将液滴混合后溶液体积差异控制在±4%,测量干燥固化后的薄膜厚度,结果表明,不同像素坑膜厚一致性提高至95%以上,获得了发光均匀的OLED器件。本文提出的膜厚一致性控制方法达到预期、满足OLED功能层制备要求。     

具有新型空穴缓冲层材料TiO2的有机薄膜发光器件

以溶胶凝胶法制备的TiO2作为空穴缓冲层．在结构为ITO／TiO2／NPB／Alq／LiF／A1的器件中,改善了器件的发光效率。研究了TiO2厚度对器件发光特性的影响。在电流密度为100mA／cm^3时,有缓冲层的器件发光效率为5cd／A,而没有缓冲层的器件发光效率为3．45cd／A,有TiO2缓冲层的器件发光效率有了明显提高。     

红色OLED器件发光特性的研究

采用DCJTB作为红色染料，以绿色发光材料Alq，Gaq，Inq作主体材料。分别制备了结构为ITO／TPD／Mq(M=Al^3 ，Ga^3 ，In^3 )：DCJTB／Alq／LiF的一系列红色OLED器件，目的在于研究主体与客体发光分子间的能级匹配情况对载流子的注入、限制、激子的复合及发光色纯度方面的影响。同时研究了DCJTB的掺杂浓度，发光层中发光基质与掺杂染料之间的能带匹配，以及器件的各有机层之间的能带匹配对器件发光性能的影响。分析表明．在ITO／TPD／Alq(Gaq，Inq)：DCJTB／Alq／LiF／Al器件中．发光层中存在着从Mq向DCJTB的能量传递，Alq，Gaq，Inq与DCJTB之间的能带匹配显著地影响着这些器件的发光性能，如最大发光亮度、发光效率、色度-电压的关系等。     

Alq3厚度以及沉积速率对OLED性能的影响

以ITO为透明电极，NPB为空穴传输层，Alq3为发光层，制备出ITO／NPB／Alq3／LiF／Al结构的有机电致发光显示器。通过比较Alq3发光层厚度以及沉积速率对OLED的亮度、发光效率的影响，确定了Alq3层的厚度为65nm，沉积速率为0．3nm／s，得到起亮电压为3．01V、发光亮度为12800cd／m^2、发光效率达到4．421cd／A的器件，并对其影响因素进行了分析。     

有机电致发光器件中复合发光区域的移动

采用在OLED有机层中夹入与主发光材料不同的发光材料薄层标记发光区域，介绍了复合发光区域位置随电压变化而移动的现象。在以Alq为发光材料的单层器件中夹入0．5nm厚的红光材料DCJTB层，或在两个位置分别夹入0．5nm厚的橙光材料QA层和红光材料DCJTB层，研究分析了电压升高时发光颜色的变化。结果表明，复合发光区域位置随电压升高由阳极一侧有机层向阴极方向移动；在有空穴阻挡层BCP层的器件中。在电子传输层与BCP层之间夹入10nm厚的DCJTB掺杂发光层，研究了不同电压时器件的发光颜色，发光区域位置在较低的电压范围内被BCP层限定，但发光区域在驱动电压很高时可越过BCP层进入电子传输层。     

掺铥氮化镓产生蓝光

辛辛那提大学纳米电子实验室一研究组已用氮化镓基发光二极管的一种替代物产生蓝光。这些装置虽然也是以氮化镓为基础 ,但它们不是发光二极管 ,而是场致发光器件 ,其中铥掺杂剂提供了光。为了制造场致发光器件 ,用分子束取向生长技术 ,在硅的 Ga N缓冲层上种植 1μm厚的掺 Tm Ga N膜 ,Tm浓度为 10 19～ 10 2 0 / cm3 。氧化铟锡电极是被沉积电极。研究人员构造了面积 7.6 4× 10 -4 cm2的环状场致发光器件 ,以及面积为 0 .12 5cm2 的光斑结构。置于正偏 55～ 83V时 ,装置在 4 77nm和 80 1nm出光 ,4 77nm处光谱半高全宽为 7.5nm,80 1nm处…     

双层电极有机电致发光器件

主要讨论了在有机双层电致发光器件 Ｉ Ｔ Ｏ／ Ｔ Ｐ Ｄ／ Ａｌｑ３／ Ａｌ 的 Ａｌｑ３／ Ａｌ 界面处引入绝缘材料 Ａｌ２ Ｏ３ 薄层对器件性能的影响。实验发现具有双层电极 Ａｌ２ Ｏ３／ Ａｌ 的器件发光效率比单层电极 Ａｌ 的器件效率提高了六倍多,这是由于 Ａｌ２ Ｏ３ 薄层的引入,降低了界面的表面态密度,提高电子的注入能力,有效地提高了激子的辐射复合几率所致     

柔性ZnS∶Cu电致发光器件制备和性能研究

采用喷墨印制工艺在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜表面制备纳米银线(AgNWs)柔性透明导电膜。以纳米银线柔性透明导电膜分别作为顶电极和底电极，ZnS∶Cu为发光层，聚二甲基硅氧烷(PDMS)为介质层和包装层，采用旋涂工艺制备AgNWs/ZnS∶Cu&PDMS/AgNWs结构的柔性电致发光器件，并研究了电极的光电性能、介质层性能以及施加电压对器件性能的影响。研究表明，良好光电性的电极和高介电常数的介质层有利于提升器件发光强度。当以方阻20Ω/和透光度(550 nm)63.9%的薄膜作为电极，BaTiO₃和PDMS混合作为介质层时，施加200 V电压时器件的发光强度可达2.61 cd·m^-2,施加300 V电压时器件的发光强度可达6.41 cd·m^-2。器件弯曲180°后仍具有良好的电致发光特性。采用喷墨印制工艺制备4 cm×4 cm花朵图案的纳米银线柔性透明导电膜分别作为顶电极和底电极，ZnS∶Cu为发光层，BaTiO₃和PDMS作为介质层和包装层，制备电致发光器件，在200 V(50 Hz...     

影响厚膜导体附着力的几种因素

厚膜导体是厚膜混合集成电路中的一个重要组成部分,在电路中起有源器件的互连线、多层布线、电容器电极、外贴元器件的引线焊区、电阻器端头材料、低阻值电阻器、厚膜微带等作用.在厚膜混合集成电路的生产过程中,为了评价成膜基片的性能及焊接的效果,在做剪切强度测试时,经常会遇到焊盘脱落现象,这给厚膜电路的产品质量带来很大隐患.文章通...