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a—Si:H TFT有源矩阵制造技术的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
对a:Si:H TFT有源矩阵的一些关键制造工艺进行研究。研究了Ta2O5/a-SiNx双绝缘层的制备技术,提出了一种新的双有源层结构a-Si:H TFT来降低背光源对器件特性的影响,研制的a-Si:H TFT有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。 相似文献
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研究了a-SiN:H的退火行为及其作为栅介质使用时,退火对a-Si:HTFT工作特性和可靠性的影响,实验事实表明,在380℃以下的退火处理a-SiN:H介电常数的变化呈单调上升趋势,对a-SiN:H TFT的工作特性和可靠性有明显的改善,温度进一步升高时,介电常数减小,a-Si:HTFT的特性变坏。 相似文献
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薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了薄a-Si:H有源层结构的a-Si:H TFT的特性,实验结果表明,当a-Si:H层的厚度小于一个临界值时,a-Si:H厚度的变化对a-Si:H TFT静态特性的影响明显增大,本文中详细分析了有源层背面空间电荷层对a-Si:H TFT特性的影响,从表面有效空间电荷层的概念出发,从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系,计算的临界有源层厚度为130nm,这与实验结果基本一致。 相似文献
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实验研究了自对准结构的a-Si:H TFT的制备工艺,对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析,对制备工艺和结构参数进行了合理的优化,成功地制备出自对准结构的a-Si:H TFT。对影响自对准结构a-Si:H TFT特性的主要因素进行了详细的分析,提出了一种新颖的双有源层结构的a-Si:H TFT,可以有效地改善a-Si:H TFT的开态特性,其通断电流比ION/IOFF〉10^5。 相似文献
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本文发展了一种研究a-Si:H TFT电流-电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型,提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念,并由此推导出了a-Si:H TFT电流-电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于a-Si:H TFT静态特性分析及其电路优化。 相似文献
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本文报导当在室温下向非晶硅(a-Si)表面溅射钼(Mo)的过程中Mo与非晶硅发生互作用的现象。该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度。其作用速率在a-Si界面为反应速率限制,而在与Mo交界面则为扩建速率限制。互作用生成非晶态钼硅Mo:a-Si合金。它可阻止铝(Al)向a-Si中扩散,同时可改善a-Si TFT的接触特性。当用Al/Mo作a-Si薄膜晶体管(a-Si TFT)的源和漏电极时,可提高 相似文献
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本文描述了用自对准工艺制备自对准结构的αSi:H TFT。从理论上分析了有源层α-Si:H的厚度对α-Si:H TFT特性的影响,据此提出一种新型的双有源层结构的α-Si TFT。它可以有效地提高自对准αSi:H TFT的开态ION,其通断电流比ION/IOFF>10^5。 相似文献