TND－1特种耐磨软氯化工艺

ＴＮＤ－１（无污染低温盐浴钒氮硫共渗）新工艺能使钒原子在Ａｃｌ温度以下渗入钢铁表面。用此工艺处理的４５钢和ｗ１８Ｃｒ４Ｖ的表层硬度分别可达ＨＶ０．０５１０００和ＮＶ０．０５１５００，并具有优良的综合耐磨性能和应用前景。     

HL—1M装置硼化膜的研究

ＨＬ－１Ｍ装置采用Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２蒸汽等离子体增强沉积技术对第一壁进行了原位硼化，在第一壁表面上形成一层半透明、非晶ａ－Ｂ／Ｃ：Ｈ膜。在单电极、１．２Ａ／７５０Ｖ放电参数下，平均沉积速率为１１０ｎｍ／ｈ，膜厚不均匀度为８４％，Ｂ／Ｃ＝０．６－２．０，Ｂ－Ｃ的结合能为９７－９９ｅＶ，与Ｂ／Ｃ值有关。膜层中有２０－３０％的硼是以Ｂ－Ｃ的形式存在，７０－８０％碳是以ａ－Ｃ：Ｈ形式存在，这是ＨＬ－１Ｍ装置     

超高压处理HDPE的微硬度及DSC研究

用维氏微硬度测定仪和ＤＳＣ对超高压自理的ＨＤＰＥ进行了研究。发现随着处理压力的增大,ＨＤＰＥ的微硬度ＨＶ）提高,在处理时升高温度（ＴＣ）,更有利于ＨＶ的提高。当Ｐｃ＝４．０ＧＰａ,Ｔｃ＝１８０℃时,ＨＶ达最大值１７８．４ＭＰａ,比处理前的的７２．５ＭＰａ提高了１４６％,ＤＳＣ结果表明,ＨＤＰＥ经超高压处理后,结晶度增大,而且除了在１３２℃出现１个普通的强度较大的融吸热峰外,还在１３４℃处附近出现１     

气相色谱法研究碳在氧阴极过程中的腐蚀

用气相色谱法研究和为氧阴极的碳材料在Ｎａ２Ｂ４Ｏ７和Ｎａ２Ｂ４Ｏ７－Ｎａ２ＣＯ３介质中腐蚀,结果表明,在较负电位下（－０．４－０．５Ｖ,０．１ｍｏｌ／Ｌ ＮａＯＨ）,检出ＣＯ和Ｃ瑟空白相同,说明碳腐蚀主要由电化学作用所致。     

VCD小影碟机市场通讯

ＶＣＤ小影碟机市场通讯傅清华时下，ＶＣＤ小影碟机已成为家电消费的热点，市场上数十种品牌的ＶＣＤ机可谓琳琅满目。ＶＣＤ的版本由１．０．１．１到目前最新的Ｖｅｒ２．０。由单一制式到ＰＡＬ和ＮＴＳＣ双制式兼容，并具有卡拉ＯＫ、数字回声、追唱替换等功能，尤其...     

离子束溅射沉积羟基磷灰石涂层钛种植体材料的制备和表征

采用Ａｒ＾＋离子束溅射沉积技术和钛基体上沉积羟基磷灰石薄膜涂层,Ａｒ＾＋离子束的能量分别为０．９ｋｅＶ、１．２ｋｅＶ和１．５ｋｅＶ。利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电（ＳＥＭ０、透射电镜（ＴＥＭ）和红外光谱（ＦＴＩＲ）等检测方法,对制备的羟基磷灰石薄膜涂层进行了表征。Ｘ射线衍射和透射电结果表明该薄膜涂层为非晶态;红外光谱中无羟基（ＯＨ）特征峰存在,ＣＯ３根吸收峰的出现说明制备过程中会引入ＣＯ３根;扫     

PVA／HEC偏光膜的制备与偏光性能研究

研究了采用聚乙烯醇，羟乙基纤维素为主体材料，内含碘化钾，或者碘化锂，用过氧化氢氧化制备ＰＶＡ／ＨＥＣ偏光膜。实验结果表明，选择４．８０ｇＰＶＡ．０．２０ｇＨＥＣ中含有５ｍｍｏｌＫＩ的基膜，用５％Ｈ２Ｏ２水溶液氧化５ｓ，经拉伸，干燥，可制备柔韧性能好的ＰＶＡ／ＨＥＣ偏光膜。根据实验结果，提出了新法ＰＶＡ／ＨＥＣ膜与Ｉ２形成络合物的机理模型。     

碳纤维表面涂碳及涂碳后纤维强度测定

用４－甲氧基苯酚经醚化、氯甲基化、消除反应合成出不熔但可溶的聚（２－甲氧基－５－辛氧基）对亚苯基亚乙烯（ＰＭＯＯＯＰＶ）。用ＰＭＯＯＯＰＶ的ＣＨＣｌ３溶液浸涂碳纤维（ＣＦ）,然后在７７３Ｋ碳化,得到亮黑色且分散性很好的涂碳ＣＦ。单纤维平均拉伸强度（σ）测定结果表明,与未涂碳的ＣＦ（σ＝２９７７．８ＭＰａ）相比较,用０．１％ＰＭＯＯＯＰＶ浸涂的ＣＦσ＝３９０８．２ＭＰａ,用０．２％ＰＭＯＯＯＰＶ浸涂的ＣＦσ＝５０３１．２ＭＰａ,并浸涂后强度离散系数、平均矢径等有规律地变小。     

气候变化与CFCs淘汰国际动态

１ 组建建筑空调业气候变化合作组织与加快ＣＦＣｓ制冷机淘汰速度 １９９９年统计数据表明,美国的ＨＣＦＣｓ消费水平（含ＣＦＣｓ消费的换算量）已达到其蒙特利尔议定书规定最高限值的 ９２％,为此,美国 ＥＰＡ已制订一项应急计划,以确保美国的ＨＣＦＣｓ消费水平不超过其最高限值［１］。 针对替代冷媒的产品优化设计,已使离心式制冷机的电耗水平从０．７５ ｋＷ／Ｔｏｎ降低到０．５ｋＷ／Ｔｏｎ,螺杆式制冷机的电耗水平从０．８５ ｋＷ／Ｔｏｎ降低到０．６５ ｋＷ／Ｔｏｎ。冷媒泄漏率从１５—１８％降低到 ０．５—１．０％。 …     

RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究

采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜，测量其Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），获得两组Ｃ（１ｓ）电子和Ｎ（ｌｓ）电子结合能，它们是Ｅ（Ｃ＾１）＝３９８．０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｃ＾２）＝２８４．６￣２８４．８ｅＶ；Ｅ（Ｎ＾１）＝３９８。０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｎ＾２）＝４００．０￣４００．９ｅＶ。证实了薄膜中碳原子存在ｓｐ＾３杂化轨道成键和ｓｐ＾２杂化轨道成键两种键合形式。该方法合成的氮化碳薄     

浅谈VCD版本及发展前景

众所周知，现在得到世界普遍承认的ＶＣＤ版本有ＶＣＤ１０、１１、２０，但近期一些媒体的广告出现了ＶＣＤ３０、４０、６０等等，让消费者迷惑不解，难以选择。ＶＣＤ究竟有多少版本，广告宣传的新版本有多大实用价值，ＶＣＤ的发展前景如何，这些都是广大...     

新型L—乳酸盐酶电极的研制

本文研制一种新型乳酸盐酶生物传感器，此传感器以复合酶ＮＡＤ＾＋与ＬＤＨ共固定在经ＣＮＢｒ活化的琼脂糖上作为敏感膜。用厚为０．３ｍｍ的粒状琼脂糖制成的敏感膜电极，其响应性能最佳。此乳酸盐酶电极测试的最优条件是：在ｐＨ８．５的Ｔｒｉｓ－ＨＣｌ缓冲液中进行，温度２５℃，此缓冲液中含１．５ｍｍｏｌ·Ｌ＾－１ＶＫ３电子介体。此电极的线性反应范围为０．０４￣２．１μｍｏｌ·Ｌ＾－１，每μｍｏｌ·Ｌ＾－１乳酸盐     

立方A^4＋M^5＋2O7型化合物与新型负热膨胀材料

概述了立方Ａ＾４＋Ｍ＾５＋２Ｏ７型化合物的结构特点，讨论了ＡＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ａ＝Ｚｒ或Ｈｆ；ｘ＝０．１～１．２）及其部分取代的Ａ＾４＋１－ｙＢ＾４＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｂ＝Ｔｉ，Ｃｅ，Ｔｈ，Ｕ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｇｅ或Ｓｉ；ｙ＝０．１～０．４）和Ａ＾４＋１－ｙＣ＾１＋ｙＤ＾３＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｃ为碱金属元素，Ｄ为稀土金属元素）材料的负热膨胀性能。     

高速钢激光相变强化组织的回火稳定性

研究了Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ高速钢激光相变强化层的组织及其回火稳定性。结果表明,对于Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ高速钢,激光相变强化后的组织明显细化,其组织由马氏体,残余奥氏体及末溶碳化物组成,Ｗ,Ｃｒ,Ｖ等强碳化物形成元素在马氏体及残余奥氏体中固溶度的提高使强化层的回火稳定性有了明显的改善,经６４０℃回火后强化层硬度达到最高值１００３ＨＶ０．１,红硬性的提高改善了高速钢刀具的切削性能。     

KNSBN:V晶体材料制备及光诱导吸收研究

成功地生长、制备出了一系列含不同掺钒浓度的钾钠铌酸锶钡（ＫＮＳＢＮ：Ｖ）晶体样品。测量了在不同光强、光偏振和掺钒浓度下ＫＮＳＢＮ晶体的光诱导吸收变化。实验结果显示,ＫＮＳＢＮ：Ｖ晶体存在较强的光诱导吸收,且其光诱导吸收变化明显依赖于泵浦束光强,探测束光偏振和晶体的掺钒量,对于探测束光偏振平行和垂直于ｃ轴的情况其值分别可达０．５５和０．２２ｃｍ＾－１。对实验结果进行了解释。     

NH2（CH2）2NH（CH2）3Si（OEt）3／SiO2ER流体的流变特性

研究用二氧化硅负载ｎ－β（氨乙基）－γ（氨丙基）三乙氧基硅烷［ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］作为分散颗粒制备的电流变（ＥＲ）流体的流变行为。结果发现，流体具有宾汉流体的特点。以硅油为分散介质，含２０％（Ｗ／Ｖ）分散颗粒的流体，不添加任何活化剂，在剪切速率（ｒ）为８．０６６ｓ－１时，电场强度（Ｅ）从０升至１．５０ｋＶ／ｍｍ，表观粘度（ηａ）从０．３５Ｐａ·ｓ增大到２６．５Ｐａ·ｓ。ｒ提高，ηａ降低。改变电场强度、分散颗核含量、分散介质种类和添加极性分子，可以改变流体的剪切应力和表观粘度，但不能改变流型。     

V2O5干凝胶的制备新方法

采用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）法，用酸化方法生成的多钒加入到Ｖ２Ｏ５水溶液中，引发Ｖ－ＯＨ、Ｖ－ＯＨ２的无机聚合反应，制备Ｖ２Ｏ５干凝胶（ＶＸＧ），且简便快速。ＩＲ及ＸＲＤ分析表明，用这种方法制备的ＶＸＧ的结构，介于无定型与结晶态之间，整体呈无定型状态，局部规整，维持了结晶态的层状结构。ＶＸＧ的层间距为１．６ｎｍ，有序区域大小为５．２５ｎｍ，约为多钒酸自聚合方法的ＶＸＧ有序区域的一半。     

Q相—C2S系统中V2O5对β—C2S稳定性的研究

本文研究了Ｑ相－Ｃ２Ｓ配合料中Ｖ２Ｏ５对β－Ｃ２Ｓ的稳定性问题,结果表明,微量Ｖ２Ｏ５可以稳定β－Ｃ２Ｓ,使Ｑ相与β－Ｃ２Ｓ可在常温下共存;Ｑ相－Ｃ２Ｓ配合料中Ｖ２Ｏ５／Ｃ２Ｓ在０．８～１．０％的范围内Ｖ２Ｏ５稳定β－Ｃ２Ｓ的效果最好。     

氯化聚乙烯及其接枝氯乙烯悬浮液粘度的研究

本文采用搅拌法测量氯化聚乙烯（ＣＰＥ）及氯化聚乙烯（ＣＰＥ）接枝（－ｇ－）氯乙烯（ＶＣ）悬浮液的粘度，与含固率建立关系，用Ｍｏｏｎｅｙ和Ｒｏｂｉｎｓｏｎ方程式进行关联。由悬浮液表观粘度ηａ与含固率ψｖ的关系曲线得出临界含固率ψｃ，结果发现ψｃ与悬浮液沉降层体积Ｖｐ呈线性关系：ＣＰＥ：ψｃ＝－０．４５５Ｖｐ＋１．４５６；ＣＰＥ－ｇ－ＶＣ：ψｃ＝－０．１８６Ｖｐ＋０．７５２     

HL—1M装置硼化,硅化和锂化壁的出气特性

借助ＱＭＳ诊断技术，完成了ＨＬ－１Ｍ装置Ｂ化，Ｓｉ化与Ｌｉ化壁的出气特性的对比实验研究。ＧＤＣ期间，Ｈ２出气占支配地位，杂质分压与Ｈ２分压成正比，ＧＤＣ后的本底放气率较同时间烘烤去气后低；ＧＤＣ（Ｈｅ＋Ｈ２）是去除膜的有效方法；Ｂ化、Ｓｉ化和Ｌｉ化壁相比，托卡马了放电后的Ｈ２出量绋１：０．１３：０．２１。其中Ｂ化壁Ｈ２出气量主于ｓｓ壁，Ｓｉ化和Ｌｉ化壁则低于ｓｓ壁，出Ｈ２量／送Ｈ２量，ｓｓ壁为０．