低电阻率的(Sr,Pb)TiO_3基PTCR陶瓷

低电阻率的（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３基ＰＴＣＲ陶瓷（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３ＰＴＣＲＣｅｒａｍｉｃｓｗｉｔｈＬｏｗＲｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ王德君郭淳桂治轮李龙土（清华大学，北京，１０００８４）ＷａｎｇＤｅｊｕｎＧｕｏＹｕｃｈｕｎＧｕｉＺｈｉｌｕｎＬｉＬｏｎ...     

化学法制备的（Sr,Pb）TiO3基PTCR陶瓷

通过化学工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ３陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特性，样品耐压强度大，室温电阻率低于１０＾２Ω．ｃｍ，升阻比高达１０＾６．３３，烧结温度可以降低至１１００℃以下。     

PTCR型（Sr，Pb）TiO_3陶瓷

ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ_３陶瓷王德君，桂治轮，李龙土（清华大学，北京，１０００８４）（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ_３ＰＴＣＲＣｅｒａｍｉｃｓ￥ＷａｎｇＤｅｊｕｎ；ＧｕｉＺｈｉｌｕｎ；ＬｉＬｏｎｇｔｕ（ＴｓｉｎｇｈｕａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ...     

Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响

采用固相烧结工艺制备出了Ｓｒ_０．４Ｐｂ_０．６ＴｉＯ_３半导体陶瓷元件,其阻温特性具有独特的ＮＴＣＲ和ＰＴＣＲ复合效应,陶瓷室温电阻率及居里点以下的ＮＴＣＲ效应随着烧结温度的升高而提高,适当过量ＰｂＯ则能降低陶瓷室温电阻率及其ＮＴＣＲ效应．利用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＥＤＳ分别对样品的相结构、形貌及成份分布等进行分析,结果显示晶界中的Ｓｒ,Ｔｉ含量相对较高,而Ｐｂ含量相对较低,材料的阻温特性明显受其影响．铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现ＮＴＣＲ效应的主要原因之一,同时探讨了Ｙ^３＋离子掺杂（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ_３陶瓷的半导化机理和热敏特性．     

SrTiO3基陶瓷的介电谱研究

采用标准的固相反应法制备成０．９１（Ｓｒ０．８４Ｐｂ０．１６）ＴｉＯ３＋０．０９（Ｂｉ２Ｏ３·３ＴｉＯ２）介电陶瓷（缩记为ＳｒＴｉＯ３基陶瓷），并详细地研究了此种陶瓷的介电谱，即介电温度谱和介电频率谱。由介电谱确定了此种陶瓷的结构相变、居里温度、介电弛豫频率和介电弛豫时间，并对它们进行了讨论。     

TiO_2－Al－B系反应烧结制备的复相陶瓷和原位Al基复合材料

采用反应烧结方法，利用ＴｉＯ２，Ａｌ和Ｂ粉末间的放热反应在较低的温度下制备Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＢ２复相陶瓷和原位生长Ａｌ２Ｏ３和ＴｉＢ２弥散粒子增强Ａｌ复合材料Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＢ２复相陶瓷是密度ρ～０．８的多孔体，由尺寸约１０μｍ的生长单元构成晶粒，在陶瓷中还含有少量的Ａｌ３Ｔｉ．Ａｌ基复合材料中原位形成的Ａｌ２Ｏ３和ＴｉＢ２粒子尺寸小于２μｍ，在基体中呈现均匀分布，没有发现Ａｌ３Ｔｉ生成．这种原位Ａｌ基复合材料具有优于ＳｉＣｗ／Ａｌ复合材料的强度．     

不同受主技能杂对TiO2压敏陶瓷性能的影响

本研究通过在ＴｉＯ２压敏陶瓷制备过程中掺杂不同的受主杂质,讨论了采用不同受主掺杂及不同烧结温度对双功能ＴｉＯ２压敏陶瓷性能的影响。实验结果表明,在１３００℃烧结温度下,以Ｂａ或Ｓｒ掺杂的较Ｐｂ掺杂的Ｔｉ－Ｎｂ－Ｂｉ系压敏陶瓷对改善压敏性能更有利,相对而言,Ｂａ对降低压敏电压,Ｓｒ对提高非线性系数更有效。     

掺Nd的（Sr,Pb）TiO3陶瓷的热敏特性研究

研究了用固相法制备的掺（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷的热敏特性。结果表明，掺Ｎｄ的（Ｓｉ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷具有良好的ＮＴＣ－ＰＴＣ复合热敏特性，主要参数：Ｔｃ＝１２３℃，ｐＲＴ＝１５０Ωｃｍ，ｐｍｉｎ＝１５．４４Ωｃｍ，α（－）５０＝－３．０６％／℃，α（＋）５０＝７．５７％／℃，降阻后材料仍为典型的ＡＢＯ３型钙肽矿结构；Ｎｄ＾３＋一部分以施主形式进入Ａ位，一部分仍以Ｎｄ２Ｏ３的形式残留在试样中。Ｓ     

PTCR陶瓷材料的超低温烧结

主要研究了ＢＮ对ＰＴＣＲ陶瓷材料低温烧结的作用．对Ｌａ掺杂ＢａＴｉＯ_３ＰＴＣＲ陶瓷,在１１００℃的低温下烧结可以得到室温电阻率为１５０Ω·ｃｍ、升阻比为４．９个数量级的样品．对居里温度为３６０℃的高居里点（Ｂａ_０．４Ｐｂ_０．６）ＴｉＯ_３ ＰＴＣＲ陶瓷材料,选用 Ｎｂ_２Ｏ_５为半导化剂,ＢＮ和ＡＳＴ为助烧剂时,可以在１０００℃左右的超低温下烧成．同时,对ＢＮ助烧剂的液相烧结机制进行了初步的探讨．     

TiO2对Y掺杂PTCR陶瓷材料性能的影响

本文对ＴｉＯ２原料的晶型、颗粒状况和纯度对Ｙ＾３＋掺杂ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣＲ材料的显微结构、电性能的影响作了探讨，结果表明，ＴｉＯ２原料的晶型、颗粒大小和团聚状况都将影响到ＰＴＣＲ陶瓷的显微结构，ＴｉＯ２原料的晶型对ＰＴＣＲ陶瓷半导化过程有影响，原料存在杂质和团聚，将使ＰＴＣＲ陶瓷的电阻－温度特性变差。     

高导电高耐磨铜基材料研究进展

介绍了几种主要高导电高耐磨铜基材料，指出添加石墨、陶瓷颗粒和合金元素可以提高材料的耐磨性，而导电率仍维持在较高水平，并对几种材料的增强机理作了初步探讨。回顾了近年来高导电高耐磨铜基材料的主要研究成果，并指出多元微合金化、基体纯化和晶粒细化、高度致密化为今后研究发展的方向。     

Al与cBN在高温高压下的相互作用

将立方氮化硼(cBN)微粉和铝(Al)微粉按照体积比7:3的比例进行混配, 在高温(1300～1500℃)、高压(5.5GPa)条件下进行烧结. 利用X射线衍射分析(XRD)、透射电子显微镜(TEM)以及X射线色散能谱(EDS)对烧结体的物相构成、显微结构以及各组分元素的分布进行了分析. 实验结果表明, 1300℃, Al尚未与cBN反应; 当温度升至1400℃时, Al与cBN反应生成AlN和AlB₂; 温度进一步升高至1500℃, 反应产物增多, 产物种类不变. TEM和EDS分析表明, 在反应过程中Al扩散进入cBN的表层, B扩散进入富Al的区域, 生成新相AlN和AlB₂.     

高强度、高电导率铜基合金材料的研究现状及发展

对高强度、高电导率铜基合金的研究现状进行了综述.经时效沉淀强化的合金显微组织结构好,强化效率高;快速凝固技术的运用可以大幅度地提高沉淀元素在Cu中的固溶度值,从而使铜基合金在电导率不显著降低的条件下,强度大幅度提高.近年来,国内外对原住加工的铜基复合材料MMCs进行了大量的研究工作,但在合金的最佳组成和实用化生产工艺方面还有待作更多和更深入的研究.     

高强高模PVA纤维的横纹结构

选取不同转化率下无乳化剂乳液聚合制得的聚乙烯醇(PVA)进行凝胶纺丝,经相同后处理工艺处理后,得到两种纤维,光学显微镜下观察到低转化率下制得的纤维有横纹,高转化率下的无横纹。采用纤维强伸仪、偏光显微镜、扫描电镜(SEM)、X射线衍射及差示扫描量热(DSC)对纤维力学性能、表面形貌和内部结构进行分析,结果表明,两种纤维都具有较高的力学性能,内部较致密,横纹纤维较无横纹纤维结晶度高,表面较光滑。理论推测横纹由拉伸过程中形成的柱晶结构引起。     

高温高盐油藏常用起泡剂研究进展

泡沫流体以其低密度、高粘度和独特的流变性在油田开采中被广泛应用,然而形成泡沫的必要组分是起泡剂,其最重要的性能就是起泡性能和稳泡性能。但在国内一些高温、高盐油藏中,地下泡沫的起泡性能和稳泡性能与室内实验相比均有所下降,未能达到预期的原油采收率。论述了高温、高盐条件下导致泡沫消泡的微观机理;介绍了目前高温、高盐油藏常用的单组分起泡剂、复合/复配型起泡剂的基本类型和苛刻的储层条件对不同类型起泡剂泡沫性能的制约性;同时综述了国内外高温、高盐油藏常用起泡剂的研究进展及油田应用现状;以分子结构、有效官能团、复配微观规律和绿色环保为主要研究方向,展望了我国高温、高盐油藏起泡剂研究发展趋势。     

高模量树脂基体的研究现状

讨论了提高复合材料用树脂基体的主要途径与方法。对于复合材料树脂基体,利用反增塑剂的加入,使分子活动性降低,从而提高树脂基本模量。根据断裂理论,当高聚物分子化学键堆砌密度增大,自由体积减小,密度增大,模量提高,可选用高密度树脂,制备高模量基体。由于表面效应与体积效应,纳米材料的加入也可增大树脂基体的模量。     

J型高温高速染色机常见缺陷与检测要点

对染色工艺中最常用的设备——J型高温高速染色机的常见缺陷类型、各类缺陷产生的原因以及对其进行检验检测时需注意的要点进行了归纳总结,并给出了相应的预防措施及建议。重点阐述了在J型高温高速染色机使用过程中经常出现的应力腐蚀裂纹和疲劳裂纹等危险性缺陷,并指出产生这些缺陷的主要原因是柒液中存在氯离子、染色机存在应力集中、振动及频繁启动等因素;检验时应采用金相检验、无损探伤等方法措施,以便能够及早发现此类危险性缺陷,消除安全隐患。     

高露点湿度标准装置的研制

目前我国湿度计量基准中露点温度溯源的最高上限为80 ℃,为满足更高露点温度下的湿度参数溯源需求,研制了一套基于双温双压法原理的高露点湿度标准装置。该装置由恒温系统、预饱和系统、饱和系统、测量室和温度、压力测量与控制系统等部分组成,能够产生的露点温度范围为80～150 ℃,对应测量室的温度范围为80～200 ℃,绝对压力范围为0～1 MPa,扩展不确定度为0.34～0.80 ℃（k=2）。该装置准确性好、操作方便,弥补了国内在露点温度高于100 ℃时,温度计校准的不足。     

高熵合金基复合材料及制备方法研究进展

高熵合金基复合材料可以充分发挥高熵合金和强化相(或金属基体)的性能优势,有望超越传统金属复合材料的性能极限。对高熵合金基复合材料及其制备方法进行了综述,以期能为未来高熵合金基复合材料的组分设计、强化相种类和制备方法的选择带来一定的启发和借鉴作用。首先介绍了高熵合金基复合材料的强化相种类,并对高熵合金基复合材料制备工艺的特点进行了总结;在此基础上,归纳了制备高性能高熵合金基复合材料的关键因素,包括高熵合金成分的选择、强化相种类及生成方式和复合材料的制备方法等因素;最后对高熵合金基复合材料研究领域的挑战和未来发展进行了展望。     

高温高压下立方氮化硼晶体的生长机制

在４．５－５．０ＧＰａ，１５００－１８００℃范围内，对在Ｌｉ基复合氮化物或氮硼化物和催化体系中以及其中添加Ｌｉ８ＳｉＮ４后合成ｃＢＮ进行了研究。探讨了ｃＢＮ晶体的表面构造和生长机制，研究了由六方氮化硼向立方氮化硼转变过程中硅的存在在行为。本实验中合成的立方氮化硼为具有光泽的棕色透明单晶。