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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
贾海珑  倪卫宁  石寅  代伐 《半导体学报》2007,28(9):1346-1352
提出了一种基于全集成的无源射频身份识别(RFID)应答器芯片的电源供给方案,并在特许半导体的0.35μm嵌入EEPROM的CMOS工艺线上流片成功.提出的AC/DC和DC/DC电荷泵能够为RFID的应答器芯片提供稳定的工作电压,同时具有极低的功耗和很高的充电效率.还给出了电压倍增器的分析模型、与其他电荷泵的升压原理的比较以及仿真结果和芯片测试结果.  相似文献   

2.
本文提出一种与普通CMOS工艺兼容的、适用于UHF频段无源RFID应用的低功耗电源恢复电路和一种新型OOK解调技术.该解调技术具有结构简单、功耗低、易于集成、适应大动态范围等特点.芯片采用0.18μm CMOS工艺进行设计,测试结果表明在电源电路负载为510kΩ时,恢复出的芯片电源电压为1.6V~2.0V;在发射功率为4WEIRP的条件下,可以在3.7m的距离下正常工作.  相似文献   

3.
一种用于无源射频识别标签的上电复位电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
安治龙  李永明 《微电子学》2007,37(6):785-789,793
提出了一种新型的低压低功耗上电复位电路。该电路利用MOS管多种二级效应,采用多种低压低功耗技术,满足降低功耗的需要。整个上电复位电路的静态功耗低于1μW,应用于1.8 V与1.2 V电源电压。设计采用SMIC 0.18μm EEPROM工艺,可应用于其他低电源电压以及低功耗要求的芯片设计。  相似文献   

4.
文章实现了用于UHF频段的射频识别(RFID)标签的时钟恢复电路和反向散射调制信号产生电路。电路由电流源和延时单元两部分组成。由于RFID在不同工作条件下工作电压会有所不同.因此文章特别优化了用于延时电路的电流源电路,使得在各种工作电压下的延时值近似不变。电路在0.18微米工艺下实现.各种条件下仿真所得到的延时参数偏差在5%左右,表明电路指标满足设计要求。  相似文献   

5.
设计完成了一款无源超高频RFID标签的低功耗模拟前端电路。采用了一种新的阈值消除技术,整流电路的能量转换效率可以达到30%以上;使用一种低功耗的稳压电路,为数字电路提供稳定的1 V电源电压的同时功耗为500 nA。此外提出了一种等效灵敏度的测试方法,可以简便地获得标签芯片的激活功率水平。该设计采用TSMC 0.18μm工艺,整个芯片面积为700μm×800μm。测试结果显示:稳压电路可以输出稳定的0.95 V电压,解调模块可以正确调解幅度大于150 mV的天线信号。根据等效灵敏度测试方法,测得本设计的灵敏度约为-14.9 dBm。  相似文献   

6.
设计了一种符合NCITS 256协议的无源超高频射频识别标签.标签携带2kbit的标准商用EEPROM.在读卡器发射功率为915MHz 4W EIRP的情况下,芯片的读距离为1.5m,写距离为0.3m.芯片在SMIC 0.18μm EEPROM CMOS工艺下流片实现,面积为1mm×1mm.标签使用Dickson倍压电路从读卡器发射的电磁波中提取能量.Dickson倍压电路使用肖特基管实现,转换效率为25%.  相似文献   

7.
提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在~40~100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA.  相似文献   

8.
提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在~40~100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA.  相似文献   

9.
消防员在地下建筑、无窗建筑、大型建筑物内,执行火情控制与人员搜救时,不可避免会遇到浓烟、黑暗、高温、陌生等情况,因此就需要精确的室内定位系统支持,已有的室内定位技术无法满足定位精度和长期部署的需求.本文提出了一种基于无源射频识别(RFID)标签的消防员室内定位系统,通过在消防员头盔内安装可变功率的RFID读写器,并将建筑物内读取的已经过精确标定的RFID标签信息回传到远程服务器进行计算处理,可实现建筑物外指挥员对室内消防员的实时精准定位和指挥功能.  相似文献   

10.
刘艳艳  张亮  张为  陈曙光 《微电子学》2012,42(6):749-752
提出了一种基于ISO/IEC18000-3协议的高频13.56MHz射频识别(RFID)标签芯片的模拟前端电路结构,采用Chartered 0.35μm EEPROM工艺进行流片验证。该芯片实现了无源RFID标签芯片通信时所需的整流、稳压供电、时钟恢复、信号解调以及副载波调制的全部功能。  相似文献   

11.
介绍了一种为无源UHF RFID设计的高效高灵敏度电源产生电路.该电路基于0.18μm工艺,其中包含了两个电荷泵,一个参考电流源和一组偏置电路.由于其偏置电路消除了传统电路中的阈值损失和体效应,使该电路在低压下的电源转换性能得到很大的提高.要为100kΩ负载提供1.5V电源电压,所需最小输入电压为350mV,转换效率为22%.在负载为60kΩ时,最高可以获得29.8%的转换效率.仿真结果表明,新的电路结构比传统的电荷泵具有更优越的性能.  相似文献   

12.
介绍了一种为无源UHF RFID设计的高效高灵敏度电源产生电路.该电路基于0.18μm工艺,其中包含了两个电荷泵,一个参考电流源和一组偏置电路.由于其偏置电路消除了传统电路中的阈值损失和体效应,使该电路在低压下的电源转换性能得到很大的提高.要为100kΩ负载提供1.5V电源电压,所需最小输入电压为350mV,转换效率为22%.在负载为60kΩ时,最高可以获得29.8%的转换效率.仿真结果表明,新的电路结构比传统的电荷泵具有更优越的性能.  相似文献   

13.
低功耗RFID电源产生电路的优化设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
电子标签是创新消费模式、提升生活质量和工作效率的热门新科技,但是由于功耗和成本的原因阻碍了其广泛应用.介绍了一种电子标签芯片电源产生电路的优化设计,探讨了限幅电路、整流电路、模拟电源电路、数字电源电路和EEPROM高压电路的低功耗设计技术和实现方法,提出了融合并联分流的限幅电路、改进的桥式整流电路、带有低压检测复位功能的模拟电源电路.低功耗电源产生电路已成功应用到无源电子标签芯片的设计中,并在SMIC O.35μmCMOS工艺下流片成功.  相似文献   

14.
设计了一种符合NCITS 256协议的无源超高频射频识别标签.标签携带2kbit的标准商用EEPROM.在读卡器发射功率为915MHz 4W EIRP的情况下,芯片的读距离为1.5m,写距离为0.3m.芯片在SMIC 0.18μm EEPROM CMOS工艺下流片实现,面积为1mm×1mm.标签使用Dickson倍压电路从读卡器发射的电磁波中提取能量.Dickson倍压电路使用肖特基管实现,转换效率为25%.  相似文献   

15.
提出了一种可以在915MHz ISM频带下工作的、符合ISO/IEC 18000-6B标准的无源UHF RFID应答器的阻抗匹配方法.该UHF RFID应答器具有复数阻抗并从射频电磁场接收能量.该阻抗匹配方法利用天线的寄生电感,通过调整反向散射电路的电容来改变匹配网络的容抗,从而实现ASK调制.而且,该阻抗匹配方法在阅读器、天线与应答器之间达到了最大的功率传输.采用该阻抗匹配方法的应答器芯片通过支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,经测试其工作距离约为4m.  相似文献   

16.
提出了一种可以在915MHz ISM频带下工作的、符合ISO/IEC 18000-6B标准的无源UHF RFID应答器的阻抗匹配方法.该UHF RFID应答器具有复数阻抗并从射频电磁场接收能量.该阻抗匹配方法利用天线的寄生电感,通过调整反向散射电路的电容来改变匹配网络的容抗,从而实现ASK调制.而且,该阻抗匹配方法在阅读器、天线与应答器之间达到了最大的功率传输.采用该阻抗匹配方法的应答器芯片通过支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,经测试其工作距离约为4m.  相似文献   

17.
一种适用于射频电子标签的低电压低功耗振荡器   总被引:6,自引:3,他引:6  
提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法.针对低电压低功耗的要求,选择了比较简单的振荡器结构,通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率.输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出频率的稳定,低功耗的二进制权电流电路提供了很小的寄生参数、较高的电流精度和很小的芯片面积.芯片在Chartered 0.35μm CMOS工艺流片,电源电压为1.2~2V,环形振荡器消耗的平均电流约为6.5μA.  相似文献   

18.
张强  倪卫宁  石寅  俞育德 《半导体学报》2012,33(10):105003-5
实现了一种应用于无线网络传感器的基于MOS管的AC/DC电荷泵,提出的AC/DC电荷泵在0.13μm公益平台实现能够提供稳定的工作电压,同时具有低功耗及高充电效率。电荷泵采用了具有低阈值(Vth)的MOSFET二极管,提高了转换效率。给出了电压倍增器的模型,仿真结果和芯片测试结果。  相似文献   

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