瞬态电压抑制（TVS）二极管及其应用

瞬态电压抑制（ＴＶＳ）二极管及其应用段景汉１、ＴＶＳ二极管简介本文以ＰＲＯＴＥＫ公司提供的５ＫＷ系列硅瞬态电压抑制（ＴＶＳ）二极管为例，介绍这类器件的主要特性。利用这种器件可以避免过高的瞬态电压对电压敏感元件造成损坏。ＴＶＳ二极管是一种硅ＰＮ结器件，...     

稳压二极管的应用

稳压管是一种特殊的二极管。其伏安特性曲线和普通二极管比较相似,只是反向特性曲线较陡、线性度好。一般二极管反向电压超过其反向耐压值时会被击穿而损坏。而稳压二极管则不同,它在承受反向电压达到稳压值时,反向电流急剧增大。只要反向电流     

可作光子计数的雪崩光电二极管

对于光电倍增管不适用的高灵敏度弱光探测应用，存在一种固体替代器件，即雪崩光电二极管。这种器件在半导体内产生光电倍增，而光电倍增管在真空中产生电子倍增。雪崩光电二极管具有与半导体技术有关的微型化优点。由于这种器件能对单光子计数和探测很短时间间隔，它们已在光雷达、测距仪探测器和超灵敏光谱学方面找到日益增长的应用。另外，雪崩光电二极管在光纤通讯方面正与PIN光电二极管相竞争。雪崩光电二极管如何工作与任何光电二极管，样，雪崩光电二极管中由两类半导体组成的p-n结只允许电流在一个方向流动。光电二极管由一个掺有…     

变容二极管的高速全自动分类仪

<正> 前 言 笔者在文献[1]中介绍了日本国洋电子公司的SM—1018E型变容二极管电容测试、分类仪。最近,该公司推出比SM—1018E型更先进的电容分类仪,其型号为SM—1048B型变容二极管自动分类仪。无锡元件四厂已引进这种分类仪。该分类仪适用于微型或片状化变容二极管的反向电流、反向电压、正向压降、电容、电容比、电容差的测试及电容分类。微型或片状化变容二极管主要为彩电和录像机用C型电调谐器配套。微型或片状化变容二极管包括LT32、LT32A、LT33、LT33A、LSV164、MA334、MA338。微型变容二极管外形为M-204型、为夏普C     

快速整流二极管的一种新结构

介绍了一种新型结构的整流二极管，即多晶硅／硅结构的二极管。从理论分析和实验结果表明，这种器件的反向恢复时间很短。     

生物二极管可能导致超级芯片的产生

生物二极管可能导致超级芯片的产生Ｐ．马尔克斯总有一天“生物”计算机芯片能存储和处理一万倍于当今硅芯片的信息，而后者则正逼近微型化的极限。该梦想现在已朝现实迈出了关键的一步。这是由日本研究具有二极管特性的蛋白质分子的一个小组所开创的。二极管在电子学领域...     

浅析二极管在液晶模组产品中的综合应用

文章综述了液晶模组中使用的各种二极管的特性,主要通过对肖特基二极管的特性分析以及液晶模组中集成电路芯片外围电路的分析,阐述肖特基二极管在液晶模组中的使用原理、使用方式以及改善分析。文章讨论了齐纳二极管以及发光二极管的配合使用及其在液晶模组中的典型应用．最后分析讨论了不同的发光二极管封装方式对液晶模组显示效果的影响。     

专用二极管表面安装款式日益取代引线款式

因为专用二极管的大多数功能可由LSI和IC来完成,因此,相对而言,它对许多公司来说,已降为次要地位。但制造商仍在生产各种系列的专用二极管。     

激光测距应用中雪崩光电二极管最佳工作状态的再研究

回顾了雪崩光电二极管最佳工作状态的确定方法。根据R.J.McIntyre给出的关于达通型雪崩光电二极管的噪声谱密度结果,分析了不同背景下,确定最佳工作状态的最佳噪声分配比的特性,并给出了实验结果。给出了不但能确定和保持雪崩光电二极管的最佳工作状态,而且可以保持恒定的虚警率的实用方法。     

二极管型非制冷红外焦平面中二极管结构优化研究

为适应非制冷红外探测器高空间分辨率的发展趋势,非制冷红外焦平面阵列作为非制冷红外探测器的核心部件不断向大阵列、小像素方向发展。本文针对二极管型非制冷红外焦平面阵列,理论分析了敏感元件二极管对读出电路以及器件性能的影响,在确定二极管最佳工作电流的同时,提炼出二极管结构中串联个数以及结面积为主要性能影响因素。基于此,设计了p+n-pn-n+p三合一二极管,并将其与传统二极管、回型二极管、p+n-n+p二合一二极管、以及由p+n-n+p二合一二极管直接拓展得到的两种三合一二极管进行了对比考察,研究发现6种结构中p+n-pn-n+p三合一二极管在相同尺寸下拥有最多的二极管串联数量且结面积相对最大;进而利用Sentaurus TCAD仿真,验证了在同一整体尺寸下,p+n-pn-n+p三合一二极管的电压温度系数分别约为p+n-n+p二合一二极管,及在其基础上直接拓展得到的两种三合一二极管的1.5倍,为回型二极管与传统二极管的2.6倍、3.7倍。证明了在小像素下p+n-pn-n+p三合一二极管性能最优,且在其基础上拓展可得到N合一二极管能进一步优化器件的性能。     

新颖红外发光二极管

主要介绍近几年国外研制的红外正面、侧面发光二极管和超辐射发光二极管的最新进展，并对新开发的超晶格、量子阱发光二极管的基本结构、性能、制造技术和应用前景作了简要叙述。     

3C-SiC功率肖特基二极管特性的计算机分析

由描述功率肖特基二极管电学特性的基本方程出发，结合对典型整流电路效率、器件正向压降、反向耐压及温度特性等参数的数值分析，给出3C－SiC功率肖特基二极管折衷优化设计的理论依据。     

LightSheer半导体激光脱毛的疗效评价

目的:评价LightSheer半导体激光脱毛的治疗效果。方法:运用LightSheer半导体激光脱毛系统,对97名患者共113个部位进行脱毛治疗,波长800nm,能量密度24-40J/cm2,脉冲宽度30ms,分别对治疗一次、二次及三次后的有效性进行分级评价。结果:97名患者共113个部位一次治疗后均出现毛发再生减少、再生延迟,再生毛发细小、浅淡。随着治疗次数的增加有效性分级提高。二次治疗后,60%以上可达到3级(毛发减少40-59%);三次治疗后,80%以上可达到3级。腋窝和唇毛部位约50%可达到4级(毛发减少60-79%)。结论:LightSheer半导体激光脱毛系统对亚洲人是安全和有效的,80%的患者经三次治疗后毛发可减少近60%,但要达到更好的疗效需更多次治疗。     

有机高亮度黄光发光二极管

用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件,在１９Ｖ下器件亮度可达４００００ｃｄ／ｍ２,外量子效率达３．４％．     

毫米波脉冲体效应二极管

报导了脉冲输出大于1W的8mm体效应二极管，给出了器件结构和参数设计及其电参数研究。器件最佳性能为36．5GHz下，脉冲输出功率1．5W。用于8mm脉冲锁相放大器中，获得了增益13dB，输出大于0．66W，带宽大于1．5GHz的结果。     

光控L波段平面GaAs－PIN二极管的实验研究

报道光控平面ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管的实验结果。采用Ｖ形浅槽的全离子注入工艺，研制了ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管。器件击穿电压高达８０Ｖ，最小电容０．２ｐＦ。光控Ｉ－Ｖ曲线类似晶体管特性，光控电流能力为３００μＡ／ｍＷ。装成移相器电路，测得在Ｌ波段的光控相移２０°～２６°。     

谐振带间隧道二极管

谐振带间隧道二极管是一种双势垒量子阱极性器件,其突出特点在于其峰－谷电流 极管（属双势垒量子阱非极性器件）高。对其基本工作原理及结构进行了分析,介绍了并讨论了这种结构在电路中的两项应用。     

基于二极管单元的高密度掩模ROM设计

针对传统ROM(Read-Only Memory)存储密度低、功耗高的问题,该文提出一种采用二极管单元并通过接触孔编程来存储数据的掩模ROM。二极管阵列采用双沟槽隔离工艺和无间隙接触孔连接方式实现了极高的存储密度。基于此设计了一款容量为2 Mb的掩模ROM,包含8个256 kb的子阵列。二极管阵列采用40 nm设计规则,外围逻辑电路采用2.5 V CMOS工艺完成设计。二极管单元的有效面积仅为0.017m2,存储密度高达0.0268 mm2/Mb。测试结果显示二极管单元具备良好的单元特性,在2.5 V电压下2 Mb ROM的比特良率达到了99.8%。     

Facet Reflection Coefficient of Phase—locked Diode Laser Array in an External Cavity

A diode laser array(DLA) positioned in an external cavity can receive the radiations emitted from its neighboring elements (C1)and that of itself(S) after being reflected at the DLA facet as well as from the external mirror(C0).Considering the fact that |C0/S| should be larger than uniity if the external cavity is effective,and |C1/S| should be larger than unity if the phase locking may be established in the external cavity.The requirements on the reflection at the facet of diode laser array have been specified in terms of the cavity length and reflection coefficient of the external mirror.     

非晶硅碳薄膜发光二极管的研究现状及趋势

扼要地介绍了非晶硅碳薄膜可见光发光二极管（α－ＳｉＣｘ：ＨＴＦＬＥＤ）及其研究现状，简单地阐述了当前存在的问题，详细地评述了非晶硅碳薄膜发光二极管的发展方向──提高发光亮度、实现彩色显示、大面积化和低热耗，并预期着其有潜在的应用前景。