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针对大功率隧道结半导体激光器因光学灾变损伤(COD)而导致输出光功率无法进一步提高的问题,通过优化器件材料结构,提高了其COD阈值.采用标准的半导体激光器制作工艺,制作了发光区条宽为200 μm、腔长为900 μm的单隧道结半导体激光器.在脉冲宽度为200 ns、重复频率为5 kHz的室温下进行测试,器件峰值功率超过70 W,并且无明显COD现象发生.在20 A工作电流下,器件峰值波长为907 nm,光谱宽度为7 nm,斜率效率为1.88,接近相同工作电流下单有源层激光器的两倍. 相似文献
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研制成功高峰值功率分别限制异质结可见光半导体激光器,从理论及实验上研究了结构参数对器件性能的影响,得到了最佳的设计参数. 相似文献
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高功率半导体激光器电压饱和特性与器件质量 总被引:3,自引:1,他引:2
为实现对高功率半导体激光器快速,有效、无损的质量检测和可靠性筛选,对器件进行了电导数和光导数测试及分析.结果表明高功率半导体激光器的结电压饱和特性与其质量和可靠性紧密柏关.结电压饱和特性不好的器件一般都存在某种缺陷,结电压饱和特性的差异超出一定范围的同种类器件一定是质量和可靠性差的器件.因此,阈值处电导数曲线的下沉高度h值可作为器件筛选的一个判据.用模拟测馈的方法,对阵列器件和组成它的单元器件的电压饱和特性的相关性进行了研究,阵列器件的电压饱和特性与组成它的单元器件的一致性(均匀性)紧密相关.均匀性小好的器件的电压饱和特性也不好. 相似文献
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现代工业技术水平的提升,大功率半导体激光器在军事领域与工业领域有着广泛地应用.对功率半导体激光器展开研究,分析其现有的研究进展.本次研究进展的分析,集中在激光器的驱动方法、功率效率、结温与噪声关系以及单管耦合等多方面的研究,对其未来发展提出展望. 相似文献
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基于AlxNy绝缘介质膜的新型窗口大功率半导体激光器 总被引:1,自引:1,他引:1
提升半导体激光器的腔面抗光学灾变(COD)损伤的能力,改善半导体激光器的工作特性,一直是大功率半导体激光器器件工艺研究的难点.基于薄膜应力使基底半导体材料带隙变化的原理,采用直流磁控溅射方法在不同条件下溅射生成不同内应力的AlxNy绝缘介质膜.通过研究大功率半导体激光器腔面退化机理,借助AlxNy等应力膜设计制作了一种新型非吸收透明窗口结构的宽条形半导体激光器,使器件平均最大输出功率提高46.5%,垂直发散角达到21°,水平发散角达到6.1°,2000 h加速老化试验,其千小时退化速率小于0.091%. 相似文献
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为了降低微盘腔半导体激光器工作时有源区的温度,提升封装的可靠性,基于Ansys Workbench有限元分析分别对AlN,WCu10,SiC,石墨烯,以及CVD金刚石过渡热沉封装的蜗线型微盘腔半导体激光器进行了热特性分析,得到了器件工作时的温度分布以及热应力、热应变分布.结果显示,SiC封装器件的有源区温度较AlN和WCu10封装器件分别降低了 2.18,3.078 C,并在五种过渡热沉封装器件中表现出最低的热应力,器件热应变最小.SiC过渡热沉封装可以有效降低微盘腔半导体激光器工作时的有源区温度,同时减少封装应力与器件应变,从而提高器件的散热能力和可靠性.计算结果对半导体激光器单管散热及阵列集成散热均有指导意义. 相似文献