Bridgman法生长的PWO晶体的发光特性和透光特性

本文采用改进的Bridgman法，以纯度不低于99．99％的PbO和WO3为原料，生长出无色透明的、大尺寸的PbWO4（PWO）晶体，研究了晶体沿生长方向不同部位的透射光谱及X射线激发的发射光谱特性．发现改进的Bridgman法生长的PWO晶体具有较好的发光均匀性和透光均匀性，其原因主要是改进的Bridgman法采用密封的坩埚，有效地抑制了组份（PbO和WO3）的挥发.     

Bridgman法晶体生长中的溶质分凝与偏析

Bridgman法从1925年问世至今,已经演变出多种控制方式,成为金属定向凝固和人工晶体生长的核心技术.由于溶质分凝导致的成分偏析是Bridgman法生长固溶体型晶体材料中遇到的一个难题.本文从溶质分凝的热力学原理和溶质传输的动力学分析入手,探讨了Bridgman法晶体生长过程中溶质分凝和偏析形成的基本原理和规律.进而分析了溶质分凝与温度场的耦合关系以及对流对溶质分凝行为的影响.最后,结合CdZnTe晶体生长过程,分析了溶质分凝与偏析的控制在实际晶体生长过程的应用.     

HgCdTe晶体ACRT-B法生长过程的分凝特性研究

在定量估算的基础上，明确了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体ＡＣ－ＲＴ－Ｂ法生长过程轴向溶质再分配的 经条件，导出了计算公式。以ＨｇＴｅ－ＣｄＴｅ伪二元相图为基础进行了计算表明，按照远红外控制器要求的成分配料（ｘ０＝０．２２），仅在晶锭的某一部分可获得符合成分容差的晶体，而采用其它相近的成分配比也能获得符合成分要求的晶体，采用ｘ０值更小的槽糕成分获得的满足成分要求的晶段更长，并且位于结晶质量较高的晶锭前段‘     

轴向磁场下分离结晶熔体内热毛细对流的数值模拟

为研究轴向磁场对分离结晶Bridgman法生长CdZnTe晶体熔体热毛细对流的影响,采用有限差分法进行了三维数值模拟。结果表明轴向磁场能有效抑制熔体内的热毛细对流;轴向磁场对熔体内部温度分布也有较大的影响,能使等温线分布变得平缓;当磁场强度不变时,随着狭缝宽度的增大熔体内部的流动减弱。     

利用焓-多孔介质法对垂直Bridgman生长CdTe的数值模拟

利用数值模拟研究了碲化镉在垂直Bridgman炉中生长时的固-液界面的形状．采用焓-多孔介质法,在固定网格上对碲化镉的固液两相用统一的控制方程进行了整场求解,用一特征参数确定界面的位置和形状．结果表明,当晶体的生长速率较低时,界面的形状与物质在固态和液态两相下的热扩散率有关．如果两种热扩散率的数值相近,界面的形状是平坦的．液态区自然对流是界面形状的影响因素之一,而积聚在固态区的结晶潜热是形成弯曲固-液界面的主要原因．     

垂直Bridgman法生长CaF2单晶传热过程的数值分析

采用有限元法对大尺寸氟化钙单晶的生长过程进行了传热分析,准稳态模型简化模拟计算过程.研究了梯度区不同的温度梯度对界面形状和晶体生长速度的影响,讨论了辐射传热对晶体生长过程传热的影响.研究表明:晶体生长过程中界面凸度发生变化;晶体生长速率与坩埚下降速率不一致;25 K/cm为合适的梯度区温度梯度;晶体内部辐射传热对单晶生长传热过程有重要影响.计算结果表明,3个时期的固相等温线的曲率小于液相的.根据数值模拟结果进行了晶体生长实验,生长出的晶体完整,透明,无宏观缺陷.     

用LHPG法生长晶体光纤的环形聚焦激光加热系统研究

报道了一种用于晶体光纤生长的新一代ＬＨＰＧ生长系统——环形聚焦激光加热生长系统，分析了该系统的基本特性、结构及其应用前景。     

导模法生长微孔蓝宝石晶体工艺及性能研究

采用导模法生长了内孔径470 μm的蓝宝石晶棒和内孔径160 μm板形蓝宝石晶体。基于求解拉普拉斯方程的数值解, 得到生长界面处微孔的熔体膜轮廓曲线, 采用插入钼丝的方法设计了生长模具以形成和维持晶体内的微孔尺寸, 同时解决了微孔蓝宝石长晶生长过程中的两个难点: (1)获得高质量的蓝宝石晶体; (2)在蓝宝石晶体中形成并维持所需的内孔尺寸。所生长的晶体透明完整、无开裂、双晶摇摆曲线测定显示其衍射半峰宽为3.8°, 具有良好的结晶质量     

小型磁偏转质谱计磁场的分析计算

磁偏转质谱计是根据离子在磁分析器中运动时,不同质荷比的离子有不同的偏转半径原理来实现质量分离的。磁场大小和分布对质谱计的性能影响较大,因而设计时需要对质谱计磁场分布进行精确计算。应用有限元法建立了计算质谱计磁分析器磁场的物理模型,并利用这一模型计算了磁分析器磁感应强度在空间的分布情况。结果表明,在半径分别为20 mm和50 mm的1/4圆弧轨道上,其磁场分布规律类似。由于边缘磁场效应,在磁铁边界区域约3 mm范围内,磁感应强度基本呈直线下降,这一结果为磁分析器的结构优化和边缘场补偿提供了理论依据。     

用相场方法模拟镍的枝晶生长

采用相场模型,计算了纯镍的过冷溶液在凝固过程中的枝晶生长。在相场方程中,采用均匀网格的一般显示有限差分方法求解,通过数值模拟显示了枝晶的形貌,包括一次臂、二次臂,以及在枝晶生长过程中出现的“缩颈”现象。     

纵向磁场中导电薄板的亚谐共振

基于麦克斯韦方程和弹性动力学理论,导出了纵向磁场中导电薄板的非线性磁弹性耦合振动方程和电动力学方程,运用伽辽金法推得了两对边简支导电条形板的达芬型振动方程.针对亚谐波共振问题,应用多尺度法进行求解,得到了相应的近似解析解和幅频响应方程以及非平凡解存在条件.应用李雅普诺夫稳定性理论,对解的稳定性进行了分析,得到了稳态解稳...     

CdTe单晶生长过程的分凝特性及其生长条件的选择

在Ｃｄ－Ｔｅ相图的基础出ＣｄＴｅ－Ｃｄ相图并定义其主要参数，讨论了高Ｃｄ的ＣｄＴｅ液体在结晶过程中的分凝特性及其生长条件对昌体中Ｔｅ固溶量的影响，进而维持平面生长界面所需的最小温度梯度。     

磁力显微镜在磁性材料领域的应用

磁力显微镜是种新发展起来的用于研究物质磁性的重要技术。本文简要地介绍了ＭＦＭ的基本工作原理、影响分辨率的主要因素，以及ＭＦＭ在磁记录体系，磁性薄膜和铁磁学基本现象研究方面的应用情况。本文还报道了ＭＦＭ在有机铁磁体和生物分子磁性研究方面应用的重要意义及其发展趋势。     

磁场热处理对NdFeB非晶快淬粉末的晶化与磁性的影响

研究了外中磁场对非晶Ｎｄ５．５Ｆｅ６６Ｂ１８．５Ｃｒ５Ｃｏ５，Ｎｄ４．５Ｆ３７７Ｂ１８．５和Ｎｄ１０．５Ｆｅｎ７０Ｂ７．０Ｚｒ２．５Ｃｏ１０粉末的晶化与磁性的影响，发现在热处理过程中加磁场可促进淬非晶粉末的晶化，使相转变在较低的温度下进行，讨论了各向异性复合纳米永磁材料可能的制备方法。     

质子辐照制备HgCdTe光电二极管的性能研究

用质子辐照ｐ型碲镉汞材料的方法成功地制备了ｎ－ｏｎ－ｐ型短波与中波光伏器件．其中中波器件的截止波长为６．５ｍｍ,黑体探测率达２．３ｘ１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１,量子效率为２８％,其中Ｒ０Ａ达１５７·ｃＭ２。Ｃ－Ｖ特性研究发现其为突变结。噪声频谱表明在低频（＜３００Ｈｚ）时主要由１／ｆ噪声限制,在中频和高频时主要是白噪声限制。对辐照前后材料和器件的截止波长变化亦作出了初步解释。短波器件的电流电压特性表明器件在室温可承受１５Ｖ的反向偏压。     

组合线圈磁场下的液桥热表面张力流

为了优化外加磁场对对流控制作用,该文主要研究了轴向载流线圈磁场,横向四载流线圈磁场及其组合磁场对液桥热表面张力对流的控制.研究结果表明:轴向载流线圈磁场可有效抑制熔体的径向流动,并改善熔体对流的轴对称性;而横向载流线圈磁场可有效地抑制熔体轴向的对流,但是会破坏熔体对流的轴对称性.合理布置的轴向载流和横向四载流线圈的组合磁场同时保留了轴向载流线圈磁场的轴对称影响和横向四载流的轴向抑制作用,可以达到更好的控制熔体对流的效果,有利于从浮区法晶体生长中获得高质量晶体.     

圆柱旋转双面矩形磁控溅射靶磁场的设计计算

本文提出一种新型的圆柱旋转双面矩形磁控溅射靶,它具有平面磁控溅射靶的优点.根据靶的结构与工作原理,给出了圆柱双面矩形磁控靶磁场强度计算数学模型及计算公式.依据该计算方法,对具体的靶进行了计算机编程计算,并根据计算结果绘制出了靶磁场分布曲线.计算结果表明圆柱双面矩形磁控靶的磁场分布比较均匀,磁场强度满足磁控溅射功能的需要,其靶的溅射刻蚀区可宽达40°角的范围.从而提高了膜层的沉积速率及膜层沉积范围,改善了同轴圆柱形磁控靶由于环状磁场所引起的膜层不够均匀及靶材利用率低的问题,可以在靶磁场两侧的大面积平面基片上沉积出膜厚均匀的涂层.     

BRIDGMAN—Hg1—xCdxTe晶体生长时场量数值分析的进展

综述近十余年来关于Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长过程中场量的数值分析工作。评价一般Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统的数值分析，总结和归纳计算模型及边界条件处理方法，指出存在的问题及今后应开展的研究工作。