首条全自动化非晶硅生产线扎根无锡

香港华基光电能源集团制造出新一代非晶硅薄膜“华基玻璃电砖”生产设备。日前,该公司与无锡源畅和美国CMI公司签订合作协议,第一条全自动化的非晶硅生产线由此扎根无锡。到明年底,该公司将制造出31条生产线,可生产光电155兆瓦,投资总额达5亿美元。这也表明,全球最大的非晶硅产     

亚洲最大太阳能非晶硅项目落户大理

记者获悉，大理高新技术产业开发区管委会与源畅高科技（集团）有限公司近日就大理太阳能非晶硅薄膜光电项目投资协议举行签字仪式。作为外交部“波恩”项目在云南省启动的第一个具有国际领先水平的高科技项目，大理太阳能非晶硅薄膜光电项目总投资额约5亿美元，一期工程年产40MW，生产线投产后可实现年销售收入约8000万美元，年利税总额可达约4092万美元；项目全部达产后可实现年销售收入约24000万美元，年利税总额可达约12276万美元。当地政府表示，该项目投产后将成为亚洲最大的非晶硅生产基地。[第一段]     

沙晓林 成就薄膜太阳能帝国

我国太阳能产业规模居世界第一。但我国目前95%以上的光伏电池产品多为多晶硅电池,成本高且生产环节复杂,导致价格过高而难以取得市场竞争优势。强生光电进入太阳能产业较晚,但生逢其时,顺应国际最新潮流,采用非晶硅薄膜光电新技术,与多晶硅相比,非晶硅薄膜电池所用原材料只是多晶硅电池的1%,不存在原材料供应的瓶颈,在生产制造中的用电量仅为后者的15%,且应用领域将更加的广泛,是最有可能将发电成本接近火电成本的技术,清洁且环保。强生集团董事长沙晓林先生充满自信的声称:"强生光电薄膜电池产能将在2010年达到15条生产线,总产量达到500MW,成为世界前五位非晶硅薄膜电池生产商之一"。     

中国单线产能最大太阳能薄膜电池生产线将投产

中国单线产能最大的25兆瓦太阳能薄膜电池生产线本月将在江苏南通开始批量生产。总部设在上海的南通强生光电科技有限公司日前称,公司在2008年将再增加两条生产线,总产能达到75兆瓦,两年内使太阳能薄膜电池上网电价达到1元,大大低于目前光伏发电上网电价4．5元的水平。     

非晶硅薄膜太阳能电池应用开发新进展

非晶硅（ａ－Ｓｉ）薄膜太阳能电池是取之不尽的洁净能源－太阳能的光电元（组）件。文章详述了ａ－Ｓｉ薄膜太阳能电池的工艺优势，市场开发状况，可能应用领域，存在问题和展望。     

强生光电科技引入风险投资

南通强生光电科技有限公司董事长沙晓林日前在上海宣布,该公司利用先进的非晶硅太阳能薄膜电池生产技术,有望率先打破长期以来太阳能发电因成本过高而难以推广的瓶颈,准备用2年时间使光电薄膜电池上网电价从目前的4元／度降低为1元／度,接近欧洲和日本的火电上网电价,实现太阳能发电的推广普及。     

非晶硅光电导层交流电阻率的研究

利用等效电路,估算出高性能液晶光阀对非晶硅光电导层交流电阻率的要求。用化学气相沉积法在最佳工艺条件下制备了非晶硅薄膜,测量了样品的交流电阻率。结果表明,非晶硅薄膜的交流电阻率随照射光的波长增大而先减小后增大,随功率密度、衬底温度和射频功率的增大而减小。样品的交流电阻率满足高性能液晶光阀光电导层的要求。     

张宁波考察威海光电子和半导体封装项目进展情况

9月1日,山东省信息产业厅副厅长张宁波在威海会见了美国集成电路设计与制造代表团,并到威海中玻光电有限公司、日月光半导体（威海）公司,重点考察半导体非晶硅薄膜太阳能电池以及半导体封装测试项目的进展情况。     

新浦东崛起光伏产业高地

日前,总投资11．95亿元、占地123亩的上海曙海太阳能有限公司光伏项目落户新浦东的南汇工业园区,将生产具有自主知识产权和国际先进水平的非晶硅薄膜太阳能电池生产线及其光伏电池组件。     

射频磁控溅射法制备硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜的研究

研究了工艺参数对硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜形成及光电导性能的影响。采用射频磁控溅射的方法制备了硼轻掺杂的氢化非晶硅薄膜,结果表明,衬底温度和溅射功率对薄膜的沉积速率、掺杂量、光吸收系数、电导率等有着很大的影响,在温度300℃,溅射功率300 W时沉积速率达到最大。通过实验得到的规律可以通过调整工艺参数来得到性能优良的硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜。     

佳讯光电成功中标蚌埠2MWp非晶硅示范电站

安徽省蚌埠市2MWp非晶硅太阳能示范电站招标代理蚌埠中源光伏电力于近日宣布，常州佳讯光电（Giansolar）成功中标安徽省蚌埠市2MWp非晶硅太阳能示范电站。该2MWp非晶硅太阳能示范电站位于蚌埠市龙子湖区曹山东南坡，由机械工业第一设计研究院设计。蚌埠中源光伏电力与常州佳讯光电在10月28日正式签署电站工程总承包合同。     

同一个赛场 不同的起点 自主知识产权优势几何

纵观世界光伏领域,各种技术百花齐放,各个厂家百家争鸣。薄膜技术与晶硅技术是目前两个最具代表性的技术,二者相辅相成共同承担了目前光伏发电的历史使命。其中薄膜太阳能技术本身发展已经有二十多年的历史,并不算是新兴的技术,自1992在美国加州建成世界上第一座290KWp的非晶硅电站以来,非晶硅薄膜技术一直在稳定可靠的为世界提供清洁能源。普乐新能源以改善世界环境为己任,努力为人类社会与环境的和谐发展做出自己应有的贡献。——普乐新能源有限公司总经理孙嵩泉博士     

液晶光阀光电导层光吸收系数的研究

用化学气相沉积法制备了液晶光阀中光电导层———非晶硅薄膜,从实验中得出最佳制备工艺的参数取值。给出了用包络线法测量非晶硅薄膜光吸收系数的原理,测量了样品的光吸收系数随波长的变化规律。得到样品在最佳工艺条件下的光吸收系数高于1×103cm-1。     

用生长/氢等离子体交替处理堆积层表面技术制备微晶硅薄膜

利用HW-MWECR CVD系统,用氢等离子体处理间隙生长堆积层表面技术,制备了一系列不同厚度的μc-Si:H薄膜.发现,当薄膜厚度在0.55μm以下时,样品具有较为典型的非晶硅特征,光电导衰退率很大;当薄膜厚度为0.60～0.70μm之间时,样品兼备非晶和微晶的特点,在这一厚度范围内,光电导随薄膜厚度变化非常敏感,光电导衰退率较小;当薄膜厚度为0.80μm以上时,薄膜表现为明显的微晶硅性质,其光电导衰退率很小,通过模拟光照53.5h,其光电导几乎不变化.     

欧瑞康太阳能和富阳光电联合宣布薄膜硅电池提前满量产

欧瑞康太阳能和富阳光电于近日联合宣布了40MW的单晶硅薄膜太阳能电池生产线提前一个月到达了满量产。这次安装包含了欧瑞康太阳能创新的LPCVD TCO前和后连接技术,它无疑证明了在先前6个月里达到满量产的能力。平均每个模块的能量产出都超过了合同所订的目标。富阳光电在2008年10月拿到了IEC证书。富阳光电满量产的实现是太阳能行业里第一条成功完成端对端的薄膜硅电池生产线的安装。     

用生长/氢等离子体交替处理堆积层表面技术制备微晶硅薄膜

利用HW-MWECR CVD系统,用氢等离子体处理间隙生长堆积层表面技术,制备了一系列不同厚度的μc-Si:H薄膜.发现,当薄膜厚度在0.55μm以下时,样品具有较为典型的非晶硅特征,光电导衰退率很大;当薄膜厚度为0.60～0.70μm之间时,样品兼备非晶和微晶的特点,在这一厚度范围内,光电导随薄膜厚度变化非常敏感,光电导衰退率较小;当薄膜厚度为0.80μm以上时,薄膜表现为明显的微晶硅性质,其光电导衰退率很小,通过模拟光照53.5h,其光电导几乎不变化.     

本征非晶硅薄膜的准分子激光晶化

为了减低非晶硅薄膜太阳能电池的光致衰减效应和提高其光电转换效率,用等离子体化学气相沉积系统制备了本征非晶硅薄膜,用波长为248nm的KrF准分子激光器激光晶化了非晶硅表层,用共焦显微喇曼测试技术研究了非晶硅薄膜在不同的激光能量密度和不同的频率下的晶化状态,并用扫描电子显微镜测试晶化前后薄膜的形貌。结果表明,随着激光能量密度的增大,薄膜晶化效果越来越好,能量密度达到268.54mJ/cm2时晶化效果最好,此时结晶比约为76.34%;最佳的激光能量密度范围是204.99mJ/cm2~268.54mJ/cm2,这时薄膜表面晶化良好;在1Hz~10Hz范围内,激光频率越大晶化效果越好;晶化后薄膜明显出现微晶和多晶颗粒,从而达到了良好的晶化效果。     

欧瑞康太阳能和富阳光电联合宣布薄膜硅电池提前满量产

2009年2月,欧瑞康太阳能和富阳光电,中环集团的一个下属公司,于近日联合宣布了40MW的单晶硅薄膜太阳能电池生产线提前一个月到达了满量产。这次安装包含了欧瑞康太阳能创新的LPCVDTCO前和后连接技术,它无疑证明了在先前6个月里达到满量产的能力。平均每个模块的能量产出都超过了合同所订的目标。富阳光电在2008年10月拿到了IEC证书。富阳光电满量产的实现是太阳能行业里第一条成功完成端对端的薄膜硅电池生产线的安装。     

非晶硅少子扩散长度的测量

正 (一)引言 非晶硅少子扩散长度对非晶硅太阳电池的性能有重要影响,它是表征非晶硅材料质量的重要参数。最近Dresner和Moore分别用表面光电压法(SPV法)测量非晶硅少于扩散长度获得成功。但前者需要超高真空系统,样品表面要经过溅射和退火,后者使用非晶硅液体肖特基势垒,装置较烦。我们试用顶层淀积了金属镍的非晶硅薄膜作样品,利用镍和非晶硅膜构成的金属肖特基势垒进行表面光电压测量,获得成功。这样     

非晶硅薄膜光吸收系数的研究

用化学气相沉积法制备非晶硅薄膜,测量了样品的光吸收系数及其波长区域范围.测得在最佳工艺条件下,非晶硅薄膜的光吸收系数随入射光波长增大而减小,随衬底温度升高而增大,随射频功率和反应气体流量的增大而减小,在700 nm附近的光吸收系数不低于1×103 cm-1,满足高性能液晶光阀对光电导层的性能要求.